技术特征：
1.一种衬底的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.清洗衬底，然后干燥；s2.将步骤s1所得衬底进行等离子体干法刻蚀；s3.制备金刚石微粉浆料，将金刚石微粉浆料均匀地旋涂在步骤s2刻蚀后的衬底上，得旋涂后的衬底；s4.低温烘干步骤s3旋涂后的衬底；s5.将步骤s4低温烘干后的衬底进行二次等离子体干法刻蚀，得预处理后的衬底，备用。2.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，所述衬底选用硅、二氧化硅、钛中的一种。3.如权利要求1或2所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s2中，等离子干法刻蚀后，所得衬底表面粗糙度小于100 nm。4.如权利要求3所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s2中，将步骤s1所得衬底放进等离子设备中进行等离子体干法刻蚀，具体参数为：气氛为氢气、氧气、氩气中的至少一种，温度为400~1300℃，压强为10~40kpa，时间10~120min。5.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s3中，旋涂后的衬底表面，金刚石微粉浆料的厚度为1~500um；优选所述旋涂工艺具体参数为：800~20000r/min，旋涂时间10~120s。6.如权利要求1或5所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s3中，所述金刚石微粉浆料中，金刚石微粉的质量分数为10~50%。7.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s4中，低温烘干工艺为：在40~100℃，保温40~80min进行烘干处理。8.如权利要求1所述的衬底的预处理方法，其特征在于，步骤s5中，所述二次等离子体干法刻蚀过程为依次对步骤s4低温烘干后的衬底进行氧等离子干法刻蚀、氢等离子干法刻蚀；优选所述具体步骤为：s51.氧等离子体干法刻蚀：压强10~16 kpa，温度为200~600℃，刻蚀时间8~60min；s52.氢等离子体干法刻蚀：压强10~16 kpa，温度为200~900℃，刻蚀时间8~80min。9.一种金刚石膜的制备方法，其特征在于，使用权利要求1~8任一项所述衬底的预处理方法所得预处理后的衬底沉积金刚石。10.如权利要求9所述的金刚石膜的制备方法，其特征在于，沉积气氛为氢气和甲烷，所述氢气和甲烷的体积比为100：1.5~5.5，沉积压强为9~21 kpa，沉积温度为800~920℃。
技术总结
本发明属于金刚石膜制备领域，公开了一种衬底的预处理方法及金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：S1.清洗衬底，然后干燥；S2.将步骤S1所得衬底进行等离子体干法刻蚀；S3.制备金刚石微粉浆料，将金刚石微粉浆料均匀地旋涂在步骤S2刻蚀后的衬底上，得旋涂后的衬底；S4.低温烘干步骤S3旋涂后的衬底；S5.将步骤S4低温烘干后的衬底进行二次等离子体干法刻蚀，得预处理后的衬底，最后使用上述衬底的预处理方法所得预处理后的衬底沉积金刚石。本发明所述方法提高了金刚石形核的速率、密度与质量，克服了机械研磨和普通超声接种的缺点，有利于高品质金刚石膜的制备。金刚石膜的制备。金刚石膜的制备。
技术研发人员：冯曙光 于金凤 李光存
受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司
技术研发日：2021.09.10
技术公布日：2021/12/6