无电解镀基底剂的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种含有超支化聚合物、金属微粒和烷氧基硅烷的无电解镀基底剂。
【背景技术】
[0002] 对于无电解镀，由于仅通过将基材浸渍于镀敷液中，就可以得到厚度均匀的被膜 而与基材的种类和形状无关，在塑料、陶瓷、玻璃等非导体材料上也可形成金属镀膜，所以 可广泛用于例如对汽车零件等树脂成型体赋予高级感、美观这样的装饰用途、电磁屏蔽、印 刷电路板和大规模集成电路等配线技术等各种领域。
[0003] 通常，在利用无电解镀在基材（被镀敷体）上形成金属镀膜的情况下，可进行用于 提高基材与金属镀膜的密合性的前处理。具体而言，首先通过各种蚀刻方法对被处理面进 行粗糙化和/或亲水化，接着，进行将促进镀敷催化剂在被处理面的吸附的吸附物质供给 到被处理面上的敏化处理（sensitization)和使镀敷催化剂吸附在被处理面上的活化处 理（activation)。典型地，对敏化处理而言，将被处理物浸渍于氯化亚锡的酸性溶液中，由 此，可作为还原剂起作用的金属（Sn 2+)附着在被处理面上。然后，对被敏化了的被处理面， 使被处理物浸渍于氯化钯的酸性溶液中作为活化处理。由此，溶液中的钯离子被作为还原 剂的金属（锡离子：Sn 2+)还原，作为活性的钯催化剂核附着在被处理面上。在这样的前处 理后，浸渍于无电解镀液中从而在被处理面上形成金属镀膜。
[0004] 另一方面，分类为树突状（树枝状）聚合物的超支化聚合物，积极地导入支链，作 为最显著的特征，可以举出末端基团数多。在对该末端基团赋予反应性官能团的情况下，由 于上述聚合物以非常高的密度具有反应性官能团，所以例如可期待作为催化剂等功能物质 的高灵敏度捕捉剂、高灵敏度的多官能交联剂、金属或者金属氧化物的分散剂或者涂布剂 的应用等。
[0005] 例如，报道了一种含有具有铵基的超支化聚合物和金属微粒的组合物用作还原催 化剂的例子（专利文献1)。
【发明内容】
[0006] 发明要解决的课题
[0007] 如上所述，在现有的无电解镀处理中，前处理工序中所实施的粗糙化处理使用铬 化合物（铬酸），另外，前处理的工序数非常多等，在环境方面、成本方面、复杂的操作性等 方面要求各种改善。
[0008] 此外，近年来，树脂框体的成型技术提高，要求可直接对干净的框体面进行镀敷化 的方法，特别是随着形成电子电路的微型化和电信号的高速化，要求在光滑基板上的密合 性高的无电解镀的方法。
[0009] 因此，本发明着眼于这样的课题，目的在于提供一种考虑环境，能够以少的工序数 简便地处理并且可实现低成本化的、可用于无电解镀的前处理工序的新的基底剂。
[0010] 用于解决课题的方案
[0011] 本发明人等为了实现上述目的进行了悉心研究，结果发现，将分子末端具有铵基 的超支化聚合物与金属微粒和烷氧基硅烷组合，将其涂布在基材上而得到的层作为无电解 金属镀敷的基底层，镀敷性以及密合性优异，从而完成了本发明。
[0012] 即，本发明作为第一观点，涉及一种在通过无电解镀处理在基材上形成金属镀膜 时使用的基底剂，所述基底剂含有：(a)分子末端具有铵基，且重均分子量为500~5000000 的超支化聚合物；(b)金属微粒；以及（c)具有可被脂肪族基团取代的氨基、或者环氧基的 烷氧基硅烷或其低聚物。
[0013] 作为第二观点，涉及第一观点所述的基底剂，所述（a)超支化聚合物的铵基附着 在所述（b)金属微粒上而形成复合物。
[0014] 作为第三观点，涉及第一观点或第二观点所述的基底剂，所述（a)超支化聚合物 为式[1]所示的超支化聚合物，
[0015]
【主权项】
1. 一种基底剂，其是在通过无电解镀处理而在基材上形成金属镀膜时使用的基底剂， 所述基底剂含有： (a) 在分子末端具有铵基，且重均分子量为500~5000000的超支化聚合物， (b) 金属微粒，以及 (c) 具有可被脂肪族基团取代的氨基、或环氧基的烷氧基硅烷或其低聚物。
2. 根据权利要求1所述的基底剂，所述（a)超支化聚合物的铵基附着在所述（b)金属 微粒上而形成复合物。
3. 根据权利要求1或2所述的基底剂，所述（a)超支化聚合物为式[1]所示的超支化 聚合物，
式[1]中，R1分别独立地表示氢原子或甲基，R2~R4分别独立地表示氢原子、碳原子数 1~20的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数7~20的芳烷基、或-(CH2CH2O) mR5,该烷 基和芳烷基可被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代，在-(CH2CH 2O) mR5中，R 5表示氢原子或 甲基，m表示2~100的整数， 或者R2~R 4中的两个基团结合在一起而表示直链状、支链状或环状的亚烷基，或者 R2~R4以及它们所键合的氮原子结合在一起而形成环，X_表示阴离子，η为重复单元结构 的数量，η表示5~100000的整数，A 1表示式[2]所示的结构，
式[2]中，A2表示可含有醚键或酯键的碳原子数1~30的直链状、支链状或环状的亚 烷基，Y1~Y4分别独立地表示氢原子、碳原子数1~20的烷基、碳原子数1~20的烷氧基、 硝基、羟基、氨基、羧基或氰基。
4. 根据权利要求3所述的基底剂，所述（a)超支化聚合物为式[3]所示的超支化聚合 物，
式[3]中，R1、R2和η与前述的R \ R2和η表示相同的含义。
5. 根据权利要求1~4中任一项所述的基底剂，所述（b)金属微粒为选自铁（Fe)、钴 (Co)、镍（Ni)、铜（Cu)、钯（Pd)、银（Ag)、锡（Sn)、钼（Pt)和金（Au)中的至少一种金属的微 粒。
6. 根据权利要求5所述的基底剂，所述（b)金属微粒为钯微粒。
7. 根据权利要求5或6所述的基底剂，所述（b)金属微粒为平均粒径1~IOOnm的微 粒。
8. 根据权利要求1~7中任一项所述的基底剂，所述（c)烷氧基硅烷为式[4]所示的 化合物， z-L-Si (R6)a (OR7) 3-a [4] 式[4]中，R6表示碳原子数1~6的烷基、或苯基，R 7分别独立地表示甲基或乙基，L表 示可含有醚键的碳原子数1~6的亚烷基，Z表示可被脂肪族基团取代的氨基、或环氧基，a 表示0或1。
9. 一种无电解镀基底层，其是将权利要求1~8中任一项所述的基底剂形成层而得到 的。
10. -种金属镀膜，其是通过对权利要求9所述的无电解镀基底层进行无电解镀而形 成在该基底层上的。
11. 一种金属被膜基材，其具备基材、形成在该基材上的权利要求9所述的无电解镀基 底层、形成在该无电解镀基底层上的权利要求10所述的金属镀膜。
12. -种金属被膜基材的制造方法，包括下述A工序和B工序， A工序：在基材上涂布权利要求1~8中任一项所述的基底剂从而形成基底层的工序， B工序：将形成有基底层的基材浸渍在无电解镀浴液中从而形成金属镀膜的工序。
【专利摘要】本发明的课题是提供一种考虑环境，能够以少的工序数简便地处理，另外可实现低成本化的可用作无电解镀的前处理工序的新的基底剂。解决手段是在通过无电解镀处理在基材上形成金属镀膜时使用的基底剂，含有分子末端具有铵基且重均分子量为500～5000000的超支化聚合物、金属微粒及烷氧基硅烷。
【IPC分类】C23C18-30
【公开号】CN104641017
【申请号】CN201380047242
【发明人】齐藤大吾, 小岛圭介
【申请人】日产化学工业株式会社
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年9月12日
【公告号】EP2896720A1, WO2014042215A1