专利名称：催化剂处理方法、非电解镀敷方法和使用非电解镀敷方法的电路形成方法
技术领域：
本发明涉及催化剂处理方法、利用该催化剂处理方法的非电解镀敷方 法使用该非电解镀敷方法的电路形成方法，该催化剂处理方法可以用于通 过对基材进行非电解镀敷方法而形成镀膜。
背景技术：
历来，例如作为在玻璃或陶瓷等构成基材、还有树脂等构成基材上形 成镀膜的方法，公知有非电解镀敷方法。该非电解镀敷方法例如在进行了脱脂处理的非导电性的玻璃基材上 形成催化剂层后，通过使该玻璃基材在镀敷液中浸渍，在玻璃基材上形成 镀膜。在此，在玻璃基材上形成催化剂层的催化剂处理方法中，从催化剂 活性显著提高等的理由出发， 一般使用钯。但是，近年来，由于钯价格高涨的原因，为了形成催化剂层，优选使 用钯以外的便宜的物质。因此，历来，如在专利文献1或专利文献2等所示，在形成为了可以通过非电解镀敷方法形成镀膜的催化剂层的催化剂处理方法中，考虑不使 用高价的钯，而使用还原剂形成催化剂层的催化剂处理方法。根据该催化剂处理方法，例如使玻璃基材依次在含有锡化合物的锡化 合物水溶液和含有铜化合物的铜化合物水溶液中浸渍后，再通过使所述基 材在含有还原剂的还原剂水溶液中浸渍，形成使金属铜还原的催化剂层。 而且，通过使形成有催化剂层的玻璃基材在铜镀敷液中浸渍，在所述玻璃 基材上形成铜镀膜。但是，在如此的催化剂处理方法中，为了形成催化剂层必须使用还原 剂，由此，催化剂处理方法的工序变得复杂，另外，存在根据所述催化剂处理方法形成催化剂层的镀敷基板的制造成本上升的问题，还存在废弃还 原剂时的废液处理的问题。[专利文献l]特开2002-309376号公报 [专利文献2]特开平7-197266号公报发明内容鉴于这些问题，本发明的目的在于，提供一种催化剂处理方法、非电 解镀敷方法和使用非电解镀敷方法的电路形成方法，该方法可以不用钯， 而通过廉价，简易的工序，形成用于非电解镀敷方法的催化剂层。为了达到上述目的，在本发明的催化剂处理方法的特征在于，具有 使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处 理工序后，使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工 序；在所述铜处理工序后，使所述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序。另外，在本发明的其他催化剂处理方法的特征在于，所述铜化合物的 水溶液为硫酸酸性。根据本发明，在锡处理工序和铜处理工序之后，通过进行稀硫酸处理 工序，除去在由于锡和铜的反应析出金属铜时形成的氧化铜，形成以金属 铜为催化剂发挥功能的催化剂层。由此能够不使用钯，而在基材上形成催 化剂层。本发明的其他催化剂处理方法的特征在于，具有使基材与含有锡化 合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使上述 基材与含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序。根据本发明，通过在铜处理工序中使用硫酸酸性的铜化合物水溶液， 能够不迸行稀硫酸处理工序，而在基材上形成催化剂层，因此能够进一步 简化形成催化剂层的工序。本发明的其他的催化剂处理方法的特征在于，顺序地多次反复进行所 述锡处理工序和所述铜处理工序。根据本发明，通过反复进行锡处理工序和铜处理工序，能够使成为催 化剂层的铜的附着量增加。本发明的非电解镀敷方法的特征在于，具有使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使上述基材 与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在所述铜处理工序 后，使上述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序；在所述稀硫酸处理工序后，使上述基材与镀敷液接触而形成镀膜的镀敷处理工序。另外在本发明的其他非电解镀敷方法的特征在于，所述铜化合物水溶 液为硫酸酸性。根据本发明，在锡处理工序和铜处理工序之后，通过迸行稀硫酸处理 工序，除去在由于锡和铜的反应析出金属铜时形成的氧化铜，能够形成以 金属铜为催化剂发挥功能的催化剂层。由此，能够不使用钯，而在基材上 形成催化剂层。本发明的其他的非电解镀敷方法的特征在于，具有使基材与含有锡 化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使上 述基材与含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序； 在所述铜处理工序后，使上述基材与镀敷液接触而形成镀膜的镀敷处理工序。根据本发明，在铜处理工序中通过使用硫酸酸性的铜化合物水溶液， 能够不进行稀硫酸处理工序而在基材上形成催化剂层，因此能够进一步简 化形成催化剂层的工序。本发明的其他的非电解镀敷方法的特征在于，具有在所述镀敷处理工 序后，将上述基材在实质上不含有氧和氢的气氛内进行加热的热处理工 序。根据本发明，在镀敷处理工序后，通过进行热处理工序，由于在基材 和催化剂层的界面中锡和基材的构成成分结合，因此能够使催化剂层相对 于基材良好地紧贴。由此，认为能够使镀膜和基材的贴紧力提高。本发明的使用非电解镀敷方法的电路形成方法的特征在于，具有使 基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理 工序后，使上述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工 序；在所述铜处理工序后，对在上述基材上析出而形成的金属铜的任意的 部分照射紫外线，而使上述金属铜的曝光部分氧化的氧化处理工序；除去 使上述基材和稀硫酸接触而形成的氧化铜，使上述金属铜形成为任意的图案稀硫酸处理工序；使上述基材与镀敷液接触，以上述金属铜为核形成镀 膜的镀敷处理工序。根据本发明，通过锡处理工序和铜处理工序，由于锡和铜的反应，使 金属铜析出，通过在氧化处理工序中对上述金属铜照射紫外线而使任意部 分的金属铜氧化后，通过稀硫酸处理工序，能够除去氧化铜。由此，不使 用钯而能够在基材上形成催化剂层，并且不使用抗蚀剂而能够形成任意图 形的镀膜。本发明的其他的使用非电解镀敷方法的电路形成方法的特征在于，上述氧化处理工序中的紫外线的波长为254nm以下。根据本发明，由于氧化处理工序中的照射的紫外线的波长为254nm以 下，能够使金属铜充分氧化，因此能够使氧化的效率提高，能够形成细致 良好的图形电路。本发明的其他的使用非电解镀敷方法的电路形成方法的特征在于，在 上述稀硫酸处理工序后，在所述镀敷处理工序之前，具有使所述基材与含 有钯的钯溶液接触的钯处理工序。根据本发明，由于钯被赋予，因此能够加速镀膜的形成速度。由此能 够形成均匀的镀膜，因此能够提高镀膜制造的稳定性。如上所述，根据本发明的催化剂处理方法、非电解镀敷方法和使用非 电解镀敷方法的电路形成方法，不使用钯，而能够形成非电解镀敷的催化 剂层，由此，能够廉价地通过简易的工序形成催化剂层。另外，根据本发明的使用非电解镀敷方法的电路形成方法，能够不使 用抗蚀剂，通过简易的工序形成电路的图案。另外，能够省略用于形成抗 蚀剂的材料，能够实现制造成本的降低化。
图1是表示本发明的非电解镀敷方法以及非电解镀敷方法的各工序的一种实施方式的流程图。图2 (a) (f)是表示图1的非电解镀敷方法的各工序的概略图。 图3是表示本发明的使用非电解镀敷方法的电路形成方法的各工序的一种实施方式的流程图。图4 (a) (h)是表示使用图3的非电解镀敷方法的电路形成方法的各工序的概略图。 符号说明 1基材2铜镀膜 3掩膜具体实施方式
以下，参照图1到图4说明在本发明的催化剂处理方法、利用该催化 剂处理方法的非电解镀敷方法、和使用该非电解镀敷方法的电路形成方法。图1为表示本实施方式的使用催化剂处理方法的非电解镀敷方法各工 序的流程图，图2 (a) (f)是表示本实施方式的非电解镀敷方法的各 工序的概略图。在此，在本实施方式中，利用在基材上形成铜镀膜的情况 加以说明，本发明的催化剂处理方法和非电解镀敷方法并不限定于形成铜 镀膜的情况，能够用于形成各种镀膜的情况。如图1和图2的(a)所示，在本实施方式中，首先，相对于基材l， 为了除去在该基材1上附着的脏物和油脂类的杂质，进行脱脂洗净等的前 处理工序(ST1)。该前处理工序能够通过公知的方法进行。作为本实施方式中使用的基材1，没有被特别地限定，在例如玻璃基 材和陶瓷基材等之外，还能够使用作为其他基材的聚酰亚胺、环氧化合物、 聚碳酸酯等树脂的树脂基材等的各种基材1。在前处理工序后，如图2 (b)所示，进行通过使所述基材1在含有锡 化合物的锡化合物水溶液中浸渍等而接触的第一锡处理工序(ST2)。作为用于第1锡处理工序中的锡化合物，能够利用例如硫酸第1锡、 氯化第l锡等各种水溶性的锡化合物，还可以混合使用多种锡化合物。在锡处理工序后，如图2 (c)所示，进行通过使所述基材1在含有铜 化合物的铜化合物水溶液中浸渍等而接触的第一铜处理工序(ST3)，由于 锡和铜的反应，在基材l上使金属铜析出。作为用于第1铜处理工序中的铜化合物，能够利用例如硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、醋酸铜等各种水溶性的铜化合物，还可以混合使用多种铜化 合物，优选使用硫酸酸性的铜化合物。在第1铜处理工序后，如图2 (d)所示，再次进行使上述基材1与锡化合物水溶液接触的第2锡处理工序(ST4)。作为用于第2锡处理工序中的锡化合物，和用于第1锡处理工序中的 锡化合物同样，能够利用各种水溶性的锡化合物，可以与第l锡处理工序 中利用的锡化合物相同，也可以使用不同的锡化合物。在第2锡处理工序后，如图2 (e)所示，再次进行使上述基材1与铜 化合物水溶液接触的第2铜处理工序(ST5)。作为用于第2铜处理工序中的铜化合物，和用于第l铜处理工序中的 铜化合物同样，能够利用各种水溶性的铜化合物，可以与第l铜处理工序 中利用的铜化合物相同，也可以使用不同的铜化合物。还有，在本实施方式中，反复进行两次锡处理工序和铜处理工序，但 并不限于此，也可以各进行1回锡处理工序和铜处理工序，还可以顺序地 反复进行3次以上。在第2同处理工序后，进行通过使所述基材1在含有稀硫酸的水溶液 中浸渍等而接触的稀硫酸处理工序(ST6)。在该稀硫酸处理工序中，能够 通过稀硫酸除去在基材l上析出金属铜时形成的氧化铜，由此，形成以金 属铜为催化剂发挥功能的催化剂层，能够在基材1上形成催化剂层。还有，在上述第1和第2铜处理工序中的至少一个铜处理工序中，在 使用硫酸酸性的铜化合物水溶液时，通过在所述同处理工序中除去氧化 铜，能够使金属铜作为催化剂层发挥功能，因此，在这种情况下，也可以 省略上述稀硫酸处理工序。接着，通过使基材1在铜镀敷液中浸渍，进行镀敷处理工序(ST7)。 由此，如图2(f)所示，以催化剂层的金属铜为核在基材1上形成铜镀膜 2。镀敷处理工序的各种镀敷处理条件能够利用公知的非电解铜镀敷方 法，另外，作为铜镀敷液能够利用含有例如铜离子、镍离子、以及其他的 酒石酸钠钾四水和物等的络合剂和甲醛等还原剂、氢氧化钠等的PH值调 整剂、以及螯合剂等的铜镀敷液。还有，充分洗净形成有铜镀膜2的基材1，使其干燥后，例如在氮气 等惰性气体气氛中或真空中等的实质上不含有氧和氢的气氛中，根据预定 的热处理温度进行规定的热处理时间的加热的热处理工序(ST8)。由此，在基材1上，能够形成紧贴力大的铜镀膜2。其次，对本实施方式的使用催化剂处理方法的非电解镀敷方法的作用 加以说明。根据本实施方式，在锡处理工序和铜处理工序后，进行稀硫酸处理工 序，由此，除去由于锡和铜的反应而使金属铜析出时形成的氧化铜，能够 使金属铜作为催化剂发挥功能。由此，能够不使用钯，在基材l上形成催 化剂层。另外，在铜处理工序中，在使用硫酸酸性的铜化合物时，即使不进行 稀硫酸处理工序，也能够使在基材1上析出的金属铜作为催化剂发挥功能。因此，能够不使用钯，形成能够进行非电解镀敷的催化剂层，由此， 能够通过且简易的工序，在基材1上廉价地形成催化剂层。另外，在铜处理工序中，在使用硫酸酸性的铜化合物时，能够不进行 稀硫酸处理工序而形成催化剂层，因此能够进一步简化形成催化剂层工 序。还有，在镀敷处理工序后，通过进行热处理工序，由于认为在基材和 催化剂层的界面中锡和基材的构成成分结合，因此能够使催化剂层相对于基材良好地紧贴。由此，能够使铜镀膜2和基材1的贴紧力提高。另外还有，在第l锡处理工序后和第l铜处理工序后，通过反复进行第2锡处理工序和第2铜处理工序，从而能够使成为催化剂层的铜的附着 量增加。接着，参照图3和图4 (a) (h)对本发明的使用非电解镀敷方法 的电路形成方法的实施方式加以说明。在本实施方式的使用非电解镀敷方法的电路形成方法中，对通过铜镀 膜2形成电路的情况进行了说明，但是本发明的电路形成方法并不限定于 此，可以适用于通过各种镀膜形成电路的情况。另外，作为用于本实施方式中的基材1，能够利用和通过上述催化剂 处理方法和非电解镀敷方法使用的基材1同样的基材1。在本实施方式的使用非电解镀敷方法的电路形成方法中，通过与上述催化剂处理方法同样的工序，如图3和图4 (a)所示，对基材1进行脱脂 洗净等的前处理工序后(STll)，对基材1顺序地进行如图4 (b)所示的 第1锡处理工序(ST12),如图4 (c)所示的第1铜处理工序(ST13)， 如图4 (d)所示的第2锡处理工序(ST14)，如图4 (e)所示的第2铜处 理工序(ST15),在基材l上使金属铜析出。在各处理工序中的溶液等的处理条件中，可以采用与上述催化剂处理 方法中的各处理工序同样的处理条件。例如在本实施方式中，反复进行2 次锡处理工序和铜处理工序，并不限定于此，也可以各进行l次锡处理工 序和铜处理工序，还可以反复进行3次以上。接着，使上述基材1干燥后(ST16)，如图4 (f)所示，对基材1上 的金属铜隔着任意的图案的掩膜3照射紫外线，进行使曝光部分的金属铜 氧化的氧化处理工序(ST17)。在该氧化处理工序中，在照射紫外线时，例如能够使用低压水银灯。 另外，照射的紫外线的波长，在使用低压水银灯时，除去与水的结合的值 为254nm，紫外线的波长比254nm长则不能使金属铜充分氧化，因此优选 为254nm以下。氧化处理后，使基材1与含有稀硫酸的稀硫酸水溶液接触，进行除去 含有在氧化处理工序中氧化的金属铜的氧化铜的稀硫酸处理工序(ST18)。 由此如图4 (g)所示，能够使在基材l上析出的金属铜形成任意的图案。还有，稀硫酸处理工序后，通过进行使基材1在铜镀敷液中浸渍的镀 敷处理工序(ST19),如图4 (h)所示，以形成为任意的图案的金属铜为 核，形成铜镀膜2。由此，能够形成任意图案的铜镀膜2的电路。本实施方式中的镀敷处理工序的各种镀敷处理条件，和上述非电解镀 敷方法中的镀敷处理工序一样，能够利用公知的非电解铜镀敷方法。还有，充分洗净形成有铜镀膜2的基材1，使其干燥后，例如在氮气 等惰性气体气氛或真空中等的实质上不含有氧和氢的气氛中，通过预定的 热处理温度进行规定的热处理时间的加热的热处理工序(ST20)。在基材 l上，能够形成紧贴力提高的铜镀膜2。接着，对本实施方式中的使用非电解镀敷方法的电路形成方法的作用加以说明。根据本实施方式，通过锡处理工序和铜处理工序，由于锡和铜的反应， 使金属铜析出，在氧化处理工序中通过对金属铜照射紫外线，而使任意部 分的金属铜氧化后，能够通过稀硫酸除去氧化铜。由此，能够不使用钯而 在基材1上形成催化剂层，并且能够不使用抗蚀剂而形成任意图案的铜镀 膜2。因此，能够不使用钯，形成能够进行非电解镀敷的催化剂层，由此， 能够通过简易的工序廉价地形成上述催化剂层。另外，由于能够不使用抗蚀剂而形成任意图案的铜镀膜2，因此能够 通过简易的工序形成电路的图案。另外，能够省略用于形成抗蚀剂的材料， 能够实现电路的制造成本的降低。还有，由于氧化处理工序中的照射的紫外线的波长为254nm以下，能 够使金属铜充分氧化，因此能够使氧化的效率提高，并且能够形成致密且 良好的图案的电路。还有，在使用上述非电解镀敷方法的电路方法中，在稀硫酸处理工序 后，在镀敷处理工序之前，通过使形成有任意图案的催化剂层的基材1在 含有钯的钯水溶液中浸渍等而接触，在金属铜的表面进行赋予钯的钯处理 工序。由此，钯被赋予，因此能够加速镀膜的形成速度。由此能够形成均 匀的镀膜，因此能够提高电路形成的稳定性。还有，本发明并非限定于上述各实施方式，根据需要，可以进行种种 变更。实施例[实施例1]作为基材，准备硼硅酸盐玻璃构成的外径为100mm①、厚度尺寸为 0.7mmt的玻璃基材，作为前处理工序，使用液温为50°C、氢氧化钠的浓 度为15%的氢氧化钠水溶液对上述玻璃基材进行3分钟脱脂洗净。接着，在锡处理工序中，准备液温为23。C氯化第1锡的浓度为 7Ommol/L的盐酸酸性的氯化第1锡水溶液，使上述玻璃基材在上述氯化第 l锡水溶液中浸渍3分钟。随后，在铜处理工序中，准备液温为23i:、硫 酸铜的浓度为7. 2mmol/L的硫酸铜水溶液，使上述玻璃基材在上述硫酸铜水溶液中浸渍3分钟，使金属铜在玻璃基材上析出。还有，在稀硫酸处理工序中，准备液温为23°C、硫酸的浓度为 0.05mol/L的稀硫酸水溶液，使上述玻璃基材在上述稀硫酸水溶液中浸渍 l分钟，从而除去金属铜析出时形成的氧化铜。接着，对上述玻璃基材进行镀敷处理。在本实施例1的镀敷处理工序 中，准备添加2. 5g/L (0.039mol/L)的铜离子和0. 138g/L的镍离子，含 有作为络合剂的酒石酸钠钾4水合物(酒石酸钾晶体)和作为还原剂的约 0.2%的甲醛、和约O. 1%的螯合剂的铜镀敷液。还有在上述铜镀敷液中，含 有作为调整TO的约1. 5g/L的氢氧化钠(NaOH)， PH值被调整为12. 6。而 且，使上述玻璃基材在液温被设定为30。C的上述铜镀敷液中浸渍泡1小 时，在基材上形成铜镀膜。形成如此的铜镀膜时，铜镀膜的形成速度为大约2000A/h，由此，能 够形成不使用钯通过非电解镀敷方法形成铜镀膜的催化剂层。 (实施例2)作为基材，准备由硼硅酸盐玻璃构成的外径为lOOmmO)、厚度尺寸为 0.7mmt的玻璃基材，作为前处理工序，使用液温为5(TC、氢氧化钠的浓 度为15%的氢氧化钠水溶液对上述玻璃基材进行3分钟脱脂洗净。接着，在第1锡处理工序中，准备液温为23t:氯化第1锡的浓度为 70mmol/L的盐酸酸性的氯化第1锡水溶液，使上述玻璃基材在上述氯化第 1锡水溶液中浸渍3分钟。随后，在第1铜处理工序中，准备液温为23°C、 硫酸铜的浓度为7. 2ramol/L的硫酸铜水溶液，使上述玻璃基材在上述硫酸 铜水溶液中浸渍3分钟。此外，在第2锡处理工序中，通过与第1锡处理工序同样的处理条件， 使上述玻璃基材在氯化第l锡水溶液中浸渍后，在第2铜处理工序中，通 过与第1铜处理工序同样的处理条件，使上述玻璃基材在硫酸铜水溶液中 浸渍，在玻璃基材上使金属铜析出。随后，在稀硫酸处理工序中，准备液温为23°C ，硫酸的浓度为0. 5mol/L 的稀硫酸水溶液，使上述玻璃基材在上述稀硫酸水溶液中浸渍1分钟，除 去氧化铜。接着，对上述玻璃基材进行镀敷处理。在本实施例2的镀敷处理工序中，准备添加2. 5g/L (0. 039mol/L)的铜离子和0. 138g/L的镍离子，含 有作为络合剂的酒石酸钠钾4水合物(酒石酸钾晶体)和作为还原剂的约 0.2°/。的甲醛、和约O. 1%的螯合剂的铜镀敷液。还有在上述铜镀敷液中，含 有作为调整PH的约1. 5g/L的氢氧化钠(NaOH)， PH值被调整为12. 6。而 且，使上述基材在液温被设定为3CTC的上述铜镀敷液中浸渍1小时，在基 材上形成铜镀膜。如此形成铜镀膜时，铜镀膜的形成速度为大约9000A/h，与实施例1 相比能够通过更快的速度形成铜镀膜。另外，铜镀膜的比电阻约为3 3. 5 y Q ，cm，能够形成具有频率特性高的良好的铜镀膜。 (实施例3)作为基材，准备有硼硅酸盐玻璃构成的外径为100mmO、厚度尺寸为 0.7mmt的玻璃基材，作为前处理工序，使用液温为5CTC、氢氧化钠的浓 度为15%的氢氧化钠水溶液对上述玻璃基材进行3分钟脱脂洗净。接着，在第1锡处理工序中，准备液温为23'C氯化第1锡的浓度为 70minol/L的盐酸酸性的氯化第i锡水溶液，使上述玻璃基材在上述氯化第 l锡水溶液中浸渍3分钟后，在第l铜处理工序中，准备液温为23t:、硫 酸铜的浓度为7. 2mmol/L的硫酸铜水溶液，使上述玻璃基材在上述硫酸铜 水溶液中浸渍3分钟。此外，在第2锡处理工序中，通过与第1锡处理工序同样的处理条件， 使上述玻璃基材在氯化第l锡水溶液中浸渍后，在第2铜处理工序中，通 过与第1铜处理工序同样的处理条件，使上述玻璃基材在硫酸铜水溶液中 浸渍，使金属铜在基材上析出。接着，通过旋转干燥法，使上述玻璃基材以3000rpm的旋转数进行l 分钟旋转，使之干燥。随后，在氧化处理工序中，用低压水银灯在上述玻璃基材上隔着任意 图案的掩膜照射波长为254nm、光量为150mJ/cm2的紫外线，使曝光部分 的金属铜氧化。还有，在稀硫酸处理工序中，准备液温为23°C ，硫酸的浓度为0. 5mol/L 的稀硫酸水溶液，使上述玻璃基材在上述稀硫酸水溶液中浸渍l分钟，除 去氧化铜。接着，对上述玻璃基材进行镀敷处理。在本实施例2的镀敷处理工序中，准备添加2.5g/L (0.039mol/L)的铜离子和0. 138g/L的镍离子，含 有作为络合剂的酒石酸钠钾4水合物(酒石酸钾晶体)和作为还原剂的约 0.2%的甲醛、和约O. 1%的螯合剂的铜镀敷液。在上述铜镀敷液中，还含有 作为调整PH的约1. 5g/L的氢氧化钠(NaOH)， PH值被调整为12. 6。而且， 使上述玻璃基材在液温被设定为3CTC的上述铜镀敷液中浸渍1小时，而在 基材上形成铜镀膜。随后，在氮气气氛中，在40(TC的热处理温度和1小时的热处理时间 的条件下，对上述玻璃基材进行热处理，通过这样形成的铜镀膜，在上述 玻璃基材上形成电路。如此形成铜镀膜时，铜镀膜的形成速度为大约9000A/h，与实施例1 相比能够以更快的速度形成铜镀膜。另外，铜镀膜的比电阻约为3 3.5 y Q ，cm，能够形成频率特性高的良好的铜镀膜的电路。还有，铜镀膜对 于上述玻璃基材的拉伸强度为40Mpa以上，能够提高铜镀膜的紧贴力。此 外还有，能够形成10pm的L/S (Line&Space)的微细的布线电路。 (实施例4)作为基材，准备由硼硅酸盐玻璃构成的外径为100mmO、厚度尺寸为 0.7mmt的玻璃基材，作为前处理工序，使用液温为5CTC、氢氧化钠的浓 度为15%的氢氧化钠水溶液对上述玻璃基材进行3分钟脱脂洗净。接着，在第1锡处理工序中，准备液温为23t:氯化第1锡的浓度为 70mraol/L的盐酸酸性的氯化第1锡水溶液，使上述玻璃基材在上述氯化第 l锡水溶液中浸渍3分钟后，在第l铜处理工序中，准备液温为23r、硫 酸铜的浓度为7. 2mmol/L的硫酸铜水溶液，使上述玻璃基材在上述硫酸铜 水溶液中浸渍3分钟。此外，在第2锡处理工序中，通过与第1锡处理工序同样的处理条件， 使上述玻璃基材在氯化第l锡水溶液中浸渍后，在第2铜处理工序中，通 过与第1铜处理工序同样的处理条件，使上述玻璃基材在硫酸铜水溶液中 浸渍，使金属铜在基材上析出。接着，通过旋转干燥法，使上述玻璃基材以3000rpm的旋转数进行1 分钟旋转，使之干燥。随后，在氧化处理工序中，用低压水银灯在上述玻璃基材上隔着任意图案的掩膜照射波长为254nm、光量为150mJ/cm2的紫外线，使曝光部分 的金属铜氧化。此外，在稀硫酸处理工序中，准备液温为23°C ，硫酸的浓度为0. 5mol/L 的稀硫酸水溶液，使上述玻璃基材在上述稀硫酸水溶液中浸渍泡1分钟， 除去氧化铜。而且，在钯处理中，准备液温为30。C、钯的浓度为3X10—3mol/L的钯 水溶液，使形成有任意图案的催化剂层的上述玻璃基材，在上述钯水溶液 中浸渍3分钟。接着，对上述玻璃基材进行镀敷处理。在本实施例2的镀敷处理工序 中，准备添加2.5g/L (0.039mol/L)的铜离子和0. 138g/L的镍离子，含 有作为络合剂的酒石酸钠钾4水合物(酒石酸钾晶体)和作为还原剂的约 0.2%的甲醛、和约O.P/。的螯合剂的铜镀敷液。在上述铜镀敷液中，还含有 作为调整PH值的约1.5g/L的氢氧化钠(NaOH)， PH值被调整为12.6。而 且，使上述玻璃基材在液温被设定为3(TC的上述铜镀敷液中浸渍1小时， 在基材上形成铜镀膜。随后，在氮气气氛中，在40(TC的热处理温度和1小时的热处理时间 的条件下，对上述玻璃基材进行热处理，通过这样形成铜镀膜，在上述玻 璃基材上形成电路。如此形成铜镀膜时，铜镀膜的形成速度为大约12000A/h，与比实施例 1 3相比能够以更快的速度形成铜镀膜。另外，铜镀膜的比电阻约为3 3.5u Q ，cm，能够形成频率特性高良好的铜镀膜的电路。还有，铜镀膜 对于上述玻璃基材的拉伸强度为40Mpa以上，能够使铜镀膜的紧贴力提高。 此外还有，能够形成10um的L/S (Line&Space)的微细的布线电路。
权利要求
1、一种催化剂处理方法，其特征在于，具有使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在所述铜处理工序后，使所述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序。
2、 根据权利要求1所述的催化剂处理方法，其特征在于，所述铜化合 物水溶液为硫酸酸性。
3、 一种催化剂处理方法，其特征在于，具有使基材与含有锡化合物 的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使所述基材 与含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序。
4、 根据权利要求1 3中任一项所述的催化剂处理方法，其特征在于， 按顺序多次反复进行所述锡处理工序和所述铜处理工序。
5、 一种非电解镀敷方法，其特征在于，具有使基材与含有锡化合 物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使所述基 材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在所述铜处理工 序后，使所述基材与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序；在所述稀硫酸处理工 序后，使所述基材与镀敷液接触形成镀膜的镀敷处理工序。
6、根据权利要求5所述的非电解镀敷方法，其特征在于，所述铜化合 物水溶液为硫酸酸性。
7、 一种非电解镀敷方法，其特征在于，具有使基材与含有锡化合 物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在锡处理工序后，使所述基材与 含有硫酸酸性的铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在所述铜 处理工序后，使所述基材与镀敷液接触形成镀膜的镀敷处理工序。
8、 根据权利要求5 7中任一项所述的非电解镀敷方法，其特征在于， 在所述镀敷处理之后，具有将所述基材在实质上不含有氧和氢的气氛中进 行加热的热处理工序。
9、 一种使用非电解镀敷方法的电路形成方法，其特征在于，具有使 基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理 工序后，使所述基材与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；对在所述基材上析出而形成的金属铜的任意部分照射紫外线，使所述金属铜的曝光部分氧化的氧化处理工序；使所述基材与稀硫酸接触除去氧 化铜，使所述金属铜形成为任意图形的稀硫酸处理工序；使所述基材与镀 敷液接触，以所述金属铜为核，形成镀膜的镀敷处理工序。
10、 根据权利要求9所述的使用非电解镀敷方法的电路形成方法，其 特征在于，所述氧化处理工序中的紫外线的波长为254nm以下。
11、 根据权利要求9或10所述的使用非电解镀敷方法的电路形成方法， 其特征在于，在所述希硫酸处理工序之后，在所述镀敷处理工序之前，具 有使所述基材与含有钯的钯溶液接触的钯处理工序。
全文摘要
一种催化剂处理方法，能够不使用钯，通过简易的工序廉价地形成用于能够进行非电解镀敷方法的催化剂层其具有使基材与含有锡化合物的锡化合物水溶液接触的锡处理工序；在所述锡处理工序后，使基材1与含有铜化合物的铜化合物水溶液接触的铜处理工序；在铜处理工序后，使基材1与稀硫酸接触的稀硫酸处理工序；在稀硫酸处理工序后，使基材1与铜镀敷液接触而形成铜镀膜2的镀敷处理工序；在镀敷处理工序后，将基材1在实质上不含有氧和氢的气氛中加热的热处理工序。
文档编号H05K3/18GK101283116SQ20068003700
公开日2008年10月8日 申请日期2006年10月2日 优先权日2005年10月4日
发明者三森健一 申请人:阿尔卑斯电气株式会社