[0142]使用图28所示的等离子体CVD装置，在长基材3的表面形成薄膜。阳极5在气体供给方向上的长度hi及阴极6在气体供给方向上的长度h2均为100mm，将阳极5和阴极6以大致平行的方式配置。阳极5和阴极6之间的间隔wl及w2均为20mm。阳极5与基材保持机构2之间的最短距离dl及阴极6与基材保持机构2之间的最短距离d2均为100mm。长基材3使用厚度为100 μ m的PET膜(东丽株式会社制LUMILER)。从第一气体供给喷嘴9供给100sccm的氧，从第二气体供给喷嘴10供给1sccm的HMDSO (六甲基二硅氧烷)。利用未图示的压力调整机构将真空槽内的压力调整为5Pa。利用电源7向阴极6施加10kHz的高频电力，将电力设定为lkW。以使得长基材3的速度为lm/min的方式使圆筒形滚筒16旋转，一边使长基材3与圆筒形滚筒14的表面密合，一边进行搬送，在长基材3的表面形成薄膜。
[0143]动态速率为IlOnm.m/min,高速成膜性能为“优”。
[0144]即使在开始连续成膜后经过90分钟之后，在目视下也未观察到被视为异常放电征兆的放电波动，放电稳定性良好。在90分钟的连续成膜之后，在目视下确认电极的结果是薄膜未附着于阴极6、第一气体供给喷嘴9。
[0145]在形成薄膜的长基材3上未观察到由成膜影响所造成的热损害。
[0146]产业上的可利用性
[0147]本发明不限于等离子体CVD装置，也能够应用于等离子体表面处理装置、等离子体蚀刻装置等，但其应用范围并不受此等限制。
[0148]符号说明
[0149]I真空容器
[0150]2基材保持机构
[0151]3 基材
[0152]4等离子体CVD电极单元
[0153]5 阳极
[0154]6 阴极
[0155]7 电源
[0156]8、8A、8B等离子体生成空间
[0157]9、9A、9B第一气体供给喷嘴
[0158]10底面板
[0159]11等离子体产生面
[0160]12、12A、12B、12C 磁铁
[0161]13金属圆筒电极
[0162]14圆筒形滚筒
[0163]15、15A、15B、15C第二气体供给喷嘴
[0164]16气体供给口
[0165]17、17A、17B 聚合性气体
[0166]18非聚合性气体
[0167]19AU9B阴极和基材保持机构之间的空间
【主权项】
1.一种等离子体CVD装置，包括: 真空容器，和 在所述真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构， 所述等离子体CVD电极单元包括:阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体， 所述基材保持机构配置于通过所述等离子体生成空间后的气体所触碰的位置， 所述阳极在气体供给方向上的长度及所述阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。2.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，在所述阴极与所述阳极相对的面上具备等离子体产生面，在阴极内部具备用于在所述等离子体产生面的表面上形成磁控管磁场的磁铁。3.如权利要求1所述的等离子体CVD装置，其中，所述阴极以2个以上的金属圆筒电极在所述气体供给方向上并列的方式构成，在各金属圆筒电极的内部插入有多个磁铁。4.如权利要求1?3中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极所夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置。5.如权利要求1?4中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阴极在气体供给方向上的长度为50mm以上且300mm以下。6.如权利要求1?5中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阳极和所述阴极之间的间隔为13mm以上且30mm以下。7.如权利要求1?6中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述阳极与所述基材保持机构之间的最短距离、及所述阴极与所述基材保持机构之间的最短距离均为50mm以上且200mm以下。8.如权利要求1?7中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，所述等离子体CVD电极单元在隔着所述阴极及所述阳极与所述基材保持机构相反一侧的位置处具备底面板，所述底面板与所述阴极电绝缘，在所述底面板上设置有所述第一气体供给喷嘴。9.如权利要求1?8中任一项所述的等离子体CVD装置，其中，具备第二气体供给喷嘴，其以不使气体通过所述等离子体生成空间的方式供给气体。10.如权利要求9所述的等离子体CVD装置，其中，所述第二气体供给喷嘴配置于夹在所述阴极和所述基材保持机构之间的空间内。11.如权利要求9或10所述的等离子体CVD装置，其中， 所述第二气体供给喷嘴具有多个气体供给口， 所述气体供给口的气体供给方向的至少一个，与通过所述第二气体供给喷嘴并与所述基材保持机构相垂直的平面相比，更向所述平面的所述等离子体生成空间所在的一侧倾斜。12.如权利要求9所述的等离子体CVD装置，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极所夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 在被通过所述阴极且与所述基材保持机构相垂直的平面分隔、并夹在所述2个阳极和所述基材保持机构之间的各个空间内，配置有所述第二气体供给喷嘴。13.一种等离子体CVD方法，其中， 使用权利要求1?8中任一项所述的等离子体CVD装置， 在所述基材保持机构中保持基材， 在所述等离子体生成空间中生成等离子体， 从所述第一气体供给喷嘴通过等离子体生成空间向基材供给气体，在基材的表面形成薄膜。14.如权利要求13所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第一气体供给喷嘴供给包含聚合性气体的气体。15.如权利要求13所述的等离子体CVD方法，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给聚合性气体， 供给至所述一方的等离子体生成空间的聚合性气体与供给至所述另一方的等离子体生成空间的聚合性气体为不同的种类。16.如权利要求13所述的等离子体CVD方法，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给气体， 供给至所述一方的等离子体生成空间的气体为非聚合性气体，供给至所述另一方的等离子体生成空间的气体为聚合性气体。17.一种等离子体CVD方法，其中， 使用权利要求9?12中任一项所述的等离子体CVD装置， 在所述基材保持机构中保持基材， 在所述等离子体生成空间中生成等离子体， 从所述第一气体供给喷嘴通过等离子体生成空间向基材供给气体， 从所述第二气体供给喷嘴以不通过等离子体生成空间的方式向基材供给气体，在基材的表面形成薄膜。18.如权利要求17所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第一气体供给喷嘴供给非聚合性气体，从所述第二气体供给喷嘴供给聚合性气体。19.如权利要求17所述的等离子体CVD方法，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给聚合性气体， 供给至所述一方的等离子体生成空间的聚合性气体与供给至所述另一方的等离子体生成空间的聚合性气体为不同的种类。20.如权利要求17所述的等离子体CVD方法，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给气体， 供给至所述一方的等离子体生成空间的气体为非聚合性气体，供给至所述另一方的等离子体生成空间的气体为聚合性气体。21.如权利要求17所述的等离子体CVD方法，其中， 所述阳极为2个相对的阳极，所述阴极以在由所述2个相对的阳极夹持的空间内与各个阳极隔开间隔的方式配置， 从所述第一气体供给喷嘴，向夹在所述阴极和所述2个阳极之间的各个等离子体生成空间供给非聚合性气体。22.如权利要求19?21中任一项所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第二气体供给喷嘴，向被通过所述阴极且与所述基材保持机构相垂直的平面分隔、并夹在所述2个阳极和所述基材保持机构之间的各个空间，供给聚合性气体。23.如权利要求19?21中任一项所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第二气体供给喷嘴，向被通过所述阴极且与所述基材保持机构相垂直的平面分隔、并夹在所述2个阳极和所述基材保持机构之间的各个空间，供给聚合性气体， 供给至所述一方空间的聚合性气体与供给至所述另一方空间的聚合性气体为不同的种类。24.如权利要求19?21中任一项所述的等离子体CVD方法，其中，从所述第二气体供给喷嘴，向被通过所述阴极且与所述基材保持机构相垂直的平面分隔、并夹在所述2个阳极和所述基材保持机构之间的各个空间，供给气体， 供给至所述一方空间的气体为非聚合性气体，供给至所述另一方空间的气体为聚合性气体。25.如权利要求14?16、18?20、22?24中任一项所述的等离子体CVD方法，其中，所述聚合性气体为分子中包含Si原子及/或C原子的气体。
【专利摘要】本发明是一种等离子体CVD装置，其包括：真空容器、和在真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括：阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，基材保持机构配置于通过等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，阳极在气体供给方向上的长度及阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。根据本发明，提供一种能提高气体的分解效率、实现高成膜速度的等离子体CVD装置。
【IPC分类】H05H1/46, H01L21/31, C23C16/509
【公开号】CN105051252
【申请号】CN201480015410
【发明人】坂本桂太郎, 藤内俊平, 江尻广惠, 野村文保
【申请人】东丽株式会社
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年3月7日
【公告号】WO2014142023A1