技术领域
本发明涉及化工设备领域,特别涉及一种具有新型底盘的氯化氢合成炉。
背景技术:
氯化氢合成炉用于将氯气、氢气燃烧制得氯化氢气体,其在反应时放出大量的热,炉内温度超过2000℃。
传统的氯化氢合成炉底盘为环形实心结构,用于支承石墨筒体并固定石英灯头座,炉内的氯化氢气体在上升过程中遇到炉内换热块冷却后,部分氯化氢气体直接冷凝形成冷凝酸,落在石墨底盘内,然后从石墨底盘上开有排酸口排出。传统的排酸结构直接是在石墨底盘上钻垂直通孔。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
底盘散热性差,当炉体内温度过高时易引起爆裂。由于石墨底盘的中心设石英灯头座安装孔,冷凝酸易从石墨底盘的石英灯头座安装孔内壁与石英灯座之间的缝隙流出地面,不经排酸口排出收集,造成环境的污染。
技术实现要素:
为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种具有新型底盘的氯化氢合成炉。所述技术方案如下:
本发明实施例提供了一种具有新型底盘的氯化氢合成炉,所述具有新型底盘的氯化氢合成炉包括石墨底盘、与所述石墨底盘连接的石墨炉体;
所述石墨底盘包括设置于所述石墨底盘上中心位置设置有灯头座安装孔、设置在所述石墨底盘内的环形空腔、与所述环形空腔连通的进水流道、与所述进水流道对应的回水流道、设置在所述石墨底盘上端面的环形导流槽、贯穿于石墨底盘上下端面设置的排酸孔。
具体地,所述排酸孔设置在所述环形导流槽的底部,并贯穿所述石墨底盘上下端面。
具体地,所述进水流道具有若干个,分别平行设置在所述石墨底盘的一侧。
具体地,所述回水流道具有若干个,分别平行设置在所述石墨底盘的另一侧。
具体地,所述石墨炉体底部设置有下集水箱、与下集水箱相邻设置的进水短节;
所述石墨炉体内设置有下弧板、内盘管、挡板;
所述石墨炉体顶部设置有上弧板、上集水箱、与上集水箱相邻设置的出水短节;
所述下弧板、所述内盘管、所述上弧板组合在一起就形成三级缓冲弧。
具体地,所述内盘管具有R=2000mm 的部分弧形,所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm 的弧形。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
使用时,循环冷却水通过进水流道进入环形空腔,由回水流道流出,迅速带走底盘上的热量,避免底盘温度过高造成爆裂;环形石墨底盘的上端面设有环形导流槽,绝大多数的冷凝酸通过该导流槽进入排酸孔,由排酸孔排出合成炉外统一收集处理,不会造成环境的污染。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的具有新型底盘的氯化氢合成炉的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的石墨底盘的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种具有新型底盘的氯化氢合成炉,参见图1,所述具有新型底盘的氯化氢合成炉包括石墨底盘1、与石墨底盘1连接的石墨炉体2。
具体地,参见图2,石墨底盘1为环形底盘,石墨底盘1包括设置于石墨底盘1上中心位置设置有灯头座安装孔11、设置在石墨底盘1内的环形空腔12、与环形空腔12 连通的进水流道13、与进水流道13 对应的回水流道14、设置在石墨底盘1上端面的环形导流槽15、贯穿石墨底盘1上下端面设置的排酸孔16。
进一步地,进水流道13具有若干个,分别设置平行设置在底盘1的一侧。回水流道14具有若干个,分别设置平行设置在底盘1的另一侧。循环冷却水通过数道平行设置的进水流道13快速进入环形空腔12内,带走底盘1的热量后从回水流道14排出,迅速降温,避免底盘1爆裂。
进一步地,排酸孔16设置在环形导流槽15的底部,并贯穿石墨底盘1上下端面。当氯化氢合成炉内的氯化氢气体部分冷凝成冷凝酸后落下,汇聚到环形导流槽15内,通过排酸孔16排出炉体外,再统一收集处理。
具体地,石墨炉体2底部设置有下集水箱21、与下集水箱21相邻设置的进水短节22,石墨炉体2内设置有下弧板23、内盘管24、挡板25,石墨炉体2顶部设置有上弧板26、上集水箱27、与上集水箱27相邻设置的出水短节28。
进一步地,内盘管24在制作过程中加工成R=2000mm 的部分弧形,下弧板23、上弧板26 在加工过程中加工成R=200mm 的弧形,这三个部件组合在一起就形成了一个三级缓冲弧,因此在设备温度巨烈变化下仍能防止设备受到损坏。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
使用时,循环冷却水通过进水流道进入环形空腔,由回水流道流出,迅速带走底盘上的热量,避免底盘温度过高造成爆裂;环形石墨底盘的上端面设有环形导流槽,绝大多数的冷凝酸通过该导流槽进入排酸孔,由排酸孔排出合成炉外统一收集处理,不会造成环境的污染。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。