技术特征：
技术总结
一种用于半导体晶体的物理气相传输法生长的设备，其包含：定义对称轴的圆柱形真空壳体；用于支承真空壳体内的反应室的反应室支承件；由对RF能量透明的材料制成且具有沿对称轴定义的高度H室的圆柱形反应室；在真空壳体的外部周围提供且绕着对称轴轴向居中的RF线圈，其中，RF线圈配置成沿着至少高度H室产生均匀的RF场；和配置用于在反应室内沿着对称轴产生热梯度的隔热件。RF感应线圈的高度对高度H室之比可在2.5～4.0或2.8～4.0的范围内，所述RF感应线圈的高度沿对称轴测得。
技术研发人员：M·罗伯达
受保护的技术使用者：道康宁公司
技术研发日：2016.01.29
技术公布日：2017.09.29