一种氧化钼花球的制备方法与流程

文档序号:17181868发布日期:2019-03-22 20:58阅读:447来源:国知局
一种氧化钼花球的制备方法与流程

本发明属于微纳米材料合成技术领域,具体涉及一种水热法合成氧化钼花球及其制备方法。得到形貌和尺寸均一的氧化钼花球,该材料有望进一步应用于光催化反应。



背景技术:

随着人类社会的快速发展,水资源污染日益严重,因此如何有效解决水污染问题成了世界各国关注的焦点。其中染料废水是水污染的一个重要污染源。近年来,利用半导体纳米材料作为光催化剂,催化降解染料废水中的有害有机物分子,作为治理环境污染的一种有效的方法被国内外的环境学者广泛研究。半导体光催化降解技术因具有效率高、能耗低、操作简便、反应条件温和、使用范围广、可重复利用及可减少二次污染等突出特点,在环境污染治理方面备受人们的青睐。

氧化钼是一种新型半导体材料,其禁带宽度为3.15~3.3ev,具有高的导电性、良好的紫外吸收性能和强的化学稳定性,广泛应用于气敏、光电、太阳能电池、传感器等领域。目前,可用作光催化剂的大都是具有半导体性质的化合物,因此,氧化铜在光催化方面的应用越来越引起人们的重视。



技术实现要素:

本发明提供了一种工艺简单、成本低的氧化钼纳米材料的合成方法,按如下步骤进行:

(1)称取适量的钼酸盐、d,l-苹果酸,加入20ml蒸馏水中,电磁搅拌30min得a液;

(2)称取2mmol氯化铵,加入20ml混合溶剂得b液;

(3)将b液逐滴加入到a液中,搅拌30min,再加入2ml3mol/l的盐酸酸化30min,得c液;

(4)量取20ml液放入到20ml反应釜中,保持温度在160℃静置6h;

(5)将反应釜中得到的固体产物用蒸馏水洗涤3次,再用乙醇洗涤2次,得到产物保持60℃,干燥8h,得到氧化钼纳米花球。

本发明利用醋酸钠和氯化铵为原料,使用盐酸和表面活性剂调节产品的形貌,具有设备简单,操作方便等特点,有利于实现大规模的工业生产。更重要的是本发明得到的纳米花球氧化钼具有很大比表面积,在光催化方面具有优异的性能。

附图说明

图1是实例1所制备的扫描电镜(sem)照片。

图2是实例1所制备的x射线衍射图谱。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

实施例1:

一种氧化钼纳米花球的制备方法,包括如下步骤:

(1)称取适量的钼酸盐、d,l-苹果酸,加入20ml蒸馏水中,电磁搅拌30min得a液;

(2)称取2mmol氯化铵,加入20ml混合溶剂得b液;

(3)将b液逐滴加入到a液中,搅拌30min,再加入2ml3mol/l的盐酸酸化30min,得c液;

(4)量取20ml液放入到20ml反应釜中,保持温度在160℃静置6h;

(5)将反应釜中得到的固体产物用蒸馏水洗涤3次,再用乙醇洗涤2次,得到产物保持60℃,干燥8h,得到氧化钼纳米花球。

实施例2:

(1)称取适量的钼酸盐、d,l-苹果酸,加入20ml蒸馏水中,电磁搅拌30min得a液;

(2)称取2mmol氯化铵,加入20ml混合溶剂得b液;

(3)将b液逐滴加入到a液中,搅拌30min,再加入2ml3mol/l的盐酸酸化30min,得c液;

(4)量取20ml液放入到20ml反应釜中,保持温度在160℃静置8h;

(5)将反应釜中得到的固体产物用蒸馏水洗涤3次,再用乙醇洗涤2次,得到产物保持60℃,干燥8h,得到氧化钼纳米花球。

实施例3:

(1)称取适量的钼酸盐、d,l-苹果酸,加入20ml蒸馏水中,电磁搅拌30min得a液;

(2)称取2mmol氯化铵,加入20ml混合溶剂得b液;

(3)将b液逐滴加入到a液中,搅拌30min,再加入2ml3mol/l的盐酸酸化30min,得c液;

(4)量取20ml液放入到20ml反应釜中,保持温度在160℃静置10h;

(5)将反应釜中得到的固体产物用蒸馏水洗涤3次,再用乙醇洗涤2次,得到产物保持60℃,干燥8h,得到氧化钼纳米花球。

实施例4:

(1)称取适量的钼酸盐、d,l-苹果酸,加入20ml蒸馏水中,电磁搅拌30min得a液;

(2)称取2mmol氯化铵,加入20ml混合溶剂得b液;

(3)将b液逐滴加入到a液中,搅拌30min,再加入2ml3mol/l的盐酸酸化30min,得c液;

(4)量取20ml液放入到20ml反应釜中,保持温度在160℃静置4h;

(5)将反应釜中得到的固体产物用蒸馏水洗涤3次,再用乙醇洗涤2次,得到产物保持60℃,干燥8h,得到氧化钼纳米花球。



技术特征:

技术总结
一种氧化钼花球的制备方法,利用水热法方法得到获得尺寸分布均一的氧化钼花球。该方法操作简便、快速、操作安全、成本低、重复性好。本方法中得到的氧化钼花球在气敏、光电、太阳能电池、传感器等方面有巨大的应用前景。

技术研发人员:储德清;朱少鹏;王国伟
受保护的技术使用者:天津工业大学
技术研发日:2017.09.14
技术公布日:2019.03.22
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