技术特征：
技术总结
本发明公开了一种片式氧传感器多孔外保护层的制备方法，包括以下步骤：制备浆料；对浆料进行球磨和搅拌；在传感器芯片的多孔保护层上依次浸渍涂层催化层和保护层；然后进行低温烧结，得到片式氧传感器多孔外保护层。本发明通过在片式氧传感器的多孔保护层上设置多孔外保护层，且优化多孔外保护层的配方，解决了氢气对片式氧传感器由浓到稀跳变偏移的问题，而且还可增加片式氧传感器的耐久性。
技术研发人员：黄涛;包绍明;李婷;余苗
受保护的技术使用者：成都科锐传感技术有限公司
技术研发日：2018.06.06
技术公布日：2018.09.28