1.一种sn3p4诱导二维黑磷晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在惰性气氛下，将红磷原料和金属单质锡加入石英管中，抽真空后密封备用；
（2）将步骤（1）中密封好的石英管置于管式炉内，并设定升温、降温程序对石英管进行加热处理，待反应结束后得到块体sn3p4，研磨成粉末备用；
（3）在惰性气氛下，将红磷原料、步骤（2）sn3p4粉末和输运剂加入石英管，抽真空后密封备用；
（4）将步骤（3）中密封好的石英管置于管式炉内，并设定升温、降温程序对石英管进行加热处理，待反应结束后，制得二维黑磷晶体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（3）中所述的惰性气氛包括氩气、氮气、氦气中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的金属单质锡包括锡粉、锡箔、锡粒、锡条或锡块中的任意一种或至少两种的组合，且纯度为98％以上。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的红磷原料和金属单质锡的元素摩尔比为p：sn=3.5~4.5：3。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（3）石英管内真空条件的压力为1pa以下。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的程序升温和降温具体为：室温条件下，温度经1~6h升到420～550℃后，保温120～240h；然后开始降温，在保温温度的基础上，经1min～360min降至室温；且程序升温速率为100~550℃/h；程序降温速率为1~550℃/min。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的输运剂为i2、sni4、sni2、pbi2、nh4i、bii3、pi3、sncl2、snbr2中的任意一种或至少两种的组合，且纯度为95％以上。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的红磷原料、sn3p4粉末和输运剂的质量投料比为5～100：5～10：1。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述的程序升温和降温具体为：室温条件下，温度经1~6h升到440～550℃后，保温6～12h；然后开始降温，在保温温度的基础上，经6～12h降至室温；且程序升温速率为50~500℃/h；程序降温速率为20~60℃/h。