1.一种成膜方法，其作为氧化膜的成膜方法，具有：
将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及
在使所述氧化膜外延生长之后，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体的工序。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
在使所述氧化膜暴露于所述流体的所述工序中，将所述基板加热。
3.根据权利要求2所述的成膜方法，其中，
在使所述氧化膜外延生长的所述工序中，将所述基板加热到第一温度，
在使所述氧化膜暴露于所述流体的所述工序中，将所述基板加热到比所述第一温度更高的第二温度。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的成膜方法，其中，
所述氧化膜是半导体。
5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，
所述溶液含有掺杂物材料，该掺杂物材料包括在所述氧化膜中作为掺杂物发挥功能的原子，
在使所述氧化膜外延生长的所述工序中，使含有所述掺杂物的所述氧化膜外延生长。
6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，
所述掺杂物能够置换所述氧化膜中的氧位。
7.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其中，
所述掺杂物为第17族(卤族)或第15族(氮族)。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的成膜方法，其中，
所述掺杂物为受体。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的成膜方法，其中，
所述流体包括氧气、水蒸气以及水雾中的至少一者。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的成膜方法，其中，
所述流体包括由氧气或水蒸气组成的处理气体，
所述流体中的所述处理气体的分压比大气中的所述处理气体的分压高。
11.一种制造方法，制造具有氧化膜的半导体装置，所述制造方法具有：
将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及
在使所述氧化膜外延生长之后，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体的工序。
12.一种成膜装置，其作为氧化膜的成膜装置，具有：
喷雾供给装置，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给；
流体供给装置，供给含有氧原子的流体；以及
控制装置，控制所述喷雾供给装置和所述流体供给装置，
所述控制装置实施：
从所述喷雾供给装置向所述基板的表面供给所述喷雾和所述载气，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及
在使所述氧化膜外延生长之后，从所述流体供给装置向所述氧化膜供给所述流体，从而使所述氧化膜暴露于所述流体的工序。