1.一种无铅无镉组合物，所述无铅无镉组合物包含：
(a)80-99.6wt％的煅烧的主体材料，所述主体材料包含：
ⅰ)40-65wt％的tio2，
ⅱ)30-60wt％的zno，
ⅲ)0.1-15wt％的li2o，
ⅳ)0-5wt％的mno2，
ⅴ)0-5wt％的nio，
ⅵ)不含铅，且
ⅶ)不含镉，
以及
(b)0.3-8wt％的硼酸锌，
(c)0.1-4wt％的b2o3，
(d)0-4wt％的sio2，
(e)0-4wt％的baco3，
(f)0-4wt％的caco3，
(g)0-4wt％的li2co3，
(h)0-4wt％的lif和
(i)0-3wt％的cuo；
或前述任何物质的氧化物等价物，不含铅和镉。
2.根据权利要求1所述的无铅无镉组合物，其中，lif的含量为0.1-4wt％，cuo的含量为0.1-3wt％。
3.根据权利要求1所述的无铅无镉组合物，其中，lif的含量为0.2-3.5wt％，cuo的含量为0.2-2.5wt％。
4.一种无铅无镉组合物，所述无铅无镉组合物包含：
(a)80-99.9wt％的煅烧的主体材料，所述主体材料包含：
ⅰ)45-75wt％的sio2，
ⅱ)15-35wt％的sro，
ⅲ)10-30wt％的cuo，
ⅳ)不含铅，且
ⅴ)不含镉，
以及
(b)0-8wt％的硼酸锌，
(c)0.1-4wt％的b2o3，
(d)0-4wt％的sio2，
(e)0-4wt％的caco3，
(f)0-4wt％的li2co3，
(g)0-4wt％的lif和
(h)0-3wt％的cuo；
或前述任何物质的氧化物等价物，不含铅和镉。
5.根据权利要求4所述的无铅无镉组合物，其中，cuo的含量为0.1-3wt％。
6.根据权利要求4所述的无铅无镉组合物，其中，b2o3的含量为0.2-3.5wt％，以及cuo的含量为0.2-2.5wt％。
7.根据权利要求4所述的无铅无镉组合物，其中，所述主体材料的含量为80-99.8wt％，以及硼酸锌的含量为0.1-8wt％。
8.一种无铅无镉组合物，所述无铅无镉组合物包含混合物，所述混合物在烧制时形成无铅无镉介电材料，所述介电材料包含：
(a)35-65wt％的tio2，
(b)25-55wt％的zno，
(c)0.1-15wt％的li2o，
(d)0.1-5wt％的b2o3，
(e)0-7wt％的sio2，
(f)0-6wt％的bao，
(g)0-6wt％的cao，
(h)0-5wt％的lif，
(i)0-5wt％的cuo，以及
不含铅和镉。
9.根据权利要求8所述的无铅无镉介电材料，其中：
tio2的含量为47-54wt％，
zno的含量为33-51wt％，
li2o的含量为0.5-10wt％，
b2o3的含量为0.1-3wt％，
sio2的含量为0-0.3wt％，
bao的含量为0-0.6wt％，
cao的含量为0-0.4wt％，
lif的含量为0.1-4wt％，以及
cuo的含量为0.1-3wt％。
10.一种无铅无镉组合物，所述无铅无镉组合物包含混合物，所述混合物在烧制时形成无铅无镉介电材料，所述介电材料包含：
(a)45-75wt％的sio2，
(b)15-35wt％的sro，
(c)10-30wt％的cuo，
(d)0.1-5wt％的b2o3，
(e)0-6wt％的cao，
(f)0-8wt％的zno，
(g)0-3wt％的li2o，
(h)0-5wt％的lif，以及
不含铅和镉。
11.根据权利要求10所述的无铅无镉组合物，其中：
sio2的含量为50-56wt％，
sro的含量为22-24wt％，
cuo的含量为17-19wt％，
b2o3的含量为0.4-2.2wt％，
cao的含量为0-0.4wt％，
zno含量为0-6.5wt％，
li2o的含量为0.2-3wt％，以及
lif的含量为0-5wt％。
12.一种无铅无镉组合物，所述无铅无镉组合物包含混合物，所述混合物在烧制时形成无铅无镉介电材料，所述介电材料包含：
(a)20-31wt％的tio2，
(b)16-25wt％的zno，
(c)9-15wt％的sro，
(d)22-34wt％的sio2，
(e)6-12wt％的cuo，
(f)2-4wt％的li2o，
(g)0.7-2wt％的b2o3，
(h)0.1-0.5wt％的cao，以及
(i)0.2-1wt％的lif，
不含铅和镉。
13.根据权利要求12所述的无铅无镉组合物，其中，在烧制后，当在大于5ghz下测量时，所述介电材料表现出至少800的q值。
14.根据权利要求12所述的无铅无镉组合物，其中，在烧制后，所述介电材料表现出5至50的介电常数k。
15.根据权利要求1所述的无铅无镉组合物，其中，所述煅烧过的主体材料的粒径d50在0.2至0.5微米范围内。
16.一种电气或电子元件，所述电气或电子元件在烧制之前包含权利要求1所述的无铅无镉组合物以及导电糊剂，所述导电糊剂包含：
a.60-90wt％的ag+pd+pt+au，
b.1-10wt％的选自由过渡金属的硅化物、碳化物、氮化物和硼化物组成的组的添加剂，
c.0.5-10wt％的至少一种玻璃料，和
d.10-40wt％的有机部分。
17.根据权利要求16所述的电气或电子元件，其中，所述电气或电子元件选自由高q谐振器、电磁干扰滤波器、带通滤波器、无线封装系统及其组合组成的组。
18.一种形成电子元件的方法，包括：
(a1)将权利要求1所述的组合物施加到基底上，或
(a2)将包含权利要求1所述的组合物的带材施加到基底，或
(a3)压实权利要求1所述的组合物的多个颗粒以形成整体式复合基底；以及
(b)在足以烧结所述组合物的温度下烧制所述基底。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述烧制在约800℃至约910℃的温度下进行。