1.一种晶体制备装置，其特征在于，所述装置包括：
生长腔体；
至少一个加热单元位于所述生长腔体内部，其中，
所述至少一个加热单元包括至少一个流通通道，所述至少一个流通通道贯穿所述至少一个加热单元，
在晶体生长过程中，所述至少一个加热单元上表面放置源材料。
2.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，一个所述加热单元至少包括两个以上流通通道，所述至少一个加热单元上中心区域的所述至少一个流通通道开口的密度小于所述至少一个加热单元边沿区域的所述至少一个流通通道开口的密度。
3.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，一个所述流通通道的截面积不大于所述源材料粒径的1.5倍。
4.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，一个所述加热单元上的所述至少一个流通通道的开口面积总和为所述一个加热单元面积的20％-60％。
5.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，
所述至少一个加热单元通过至少一个导电电极连接到至少一个导电环，所述至少一个导电环位于所述至少一个加热单元的上表面或/和下表面。
6.根据权利要求1所述的晶体制备装置，其特征在于，所述装置还包括控制组件和温度传感组件，所述控制组件基于所述温度传感组件获得的晶体生长时所述生长腔体内的温度，控制所述至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时所述生长腔体内的径向温差不超过晶体生长温度的第一预设范围。
7.根据权利要求6所述的晶体制备装置，其特征在于，所述控制组件还基于所述温度传感组件获得的晶体生长时所述生长腔体内的温度，控制所述至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时所述生长腔体内的轴向温度梯度维持稳定。
8.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：
将籽晶和源材料置于生长腔体中生长晶体，其中，
所述源材料分布在位于所述生长腔体内的至少一个加热单元上表面，其中，
所述至少一个加热单元包括至少一个流通通道，所述至少一个流通通道贯穿所述至少一个加热单元；
在晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的晶体生长时所述生长腔体内的温度控制所述至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时所述生长腔体内的径向温差不超过晶体生长温度的第一预设范围。
9.根据权利要求8所述的晶体生长方法，其特征在于，所述方法还包括：
在晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的晶体生长时所述生长腔体内的温度控制所述至少一个加热单元的至少一个参数，使晶体生长时所述生长腔体内的轴向温度梯度维持稳定。
10.根据权利要求8或9所述的晶体生长方法，其特征在于，所述至少一个参数包括电流或加热功率中的至少一个。