1.一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚和保温层，其特征在于：
所述石墨坩埚包括上盖和筒体；
所述保温层包括筒体保温层和上盖保温层；
所述筒体保温层包覆所述石墨坩埚的筒体,上盖保温层设于所述石墨坩埚的上盖外表面；
所述上盖保温层的中心部位设有一个测温孔；
所述上盖保温层包括保温层块体,所述保温层块体内部设有相互连通的微孔管道；
所述微孔管道在所述保温层块体外表面上至少设有相互连通的一个进气口和一个出气口；
所述上盖保温层的底部还设有粉尘清理装置。
2.根据权利要求1所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述保温层块体由至少两部分可开合式块体组成，任一部分所述可开合式块体的上半部分的内部微孔管道密度低于下半部分的内部微孔管道密度。
3.根据权利要求1所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：上盖保温层的测温孔在高度方向上的内壁与测温孔中轴线夹角为5°～15°，所述测温孔内壁的表面粗糙度不低于5μm。
4.根据权利要求2所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述保温层块体的微孔管道两侧设有子管道，所述微孔管道和子管道均分为由沿轴线可开合式的两部分，所述微孔管道和子管道均位于任意两个相邻的所述可开合式块体的侧面上。
5.根据权利要求4所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述微孔管道为中空盘旋式孔道或中空上升式孔道或中空水平式孔道，所述孔道内壁设有圆形凹坑，所述子管道中预装有可置换的多孔固体活性碳或多层多孔的嵌套细管。
6.根据权利要求1所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述粉尘清理装置由石墨铲和驱动机构组成，所述驱动机构通过可伸缩连杆与所述石墨铲固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨铲和驱动机构的外表面有耐高温的碳化钨涂层。
8.根据权利要求6所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨铲的头部具有扁凸的前端刮板和后端刮板，所述上盖保温层的保温层块体底部设有与所述石墨铲头部的前端刮板和后端刮板相互配合的粉尘接收块。
9.据权利要求8所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述粉尘接收块的下部还设有粉尘存储通道，所述粉尘存储通道与所述粉尘接收块相通，所述粉尘存储通道位于所述筒体保温层的上端部。
10.根据权利要求7所述的一种具有测温孔粉尘自清洁结构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述碳化钨涂层的表面粗糙度不超过0.1μm，石墨坩埚上盖的表面粗糙度小于0.1μm。