技术特征：
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚体，所述坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，所述坩埚底壁与所述坩埚侧壁围合形成有腔室；坩埚盖，所述坩埚盖盖设于所述坩埚侧壁与所述坩埚底壁相对的一侧；若干第一导流件，所述第一导流件从所述坩埚侧壁向所述腔室的中部延伸；若干第二导流件，所述第二导流件从所述腔室的中部向所述坩埚侧壁延伸；所述第一导流件和所述第二导流件位于不同的平面，所述第一导流件和所述第二导流件之间被配置为气氛传输通道。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：沿所述坩埚底壁向所述坩埚盖的方向，相邻两个所述第一导流件之间设置有至少一个所述第二导流件，或者，相邻两个所述第二导流件之间设置有至少一个所述第一导流件。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述第一导流件朝所述坩埚盖所在方向倾斜设置，且所述第一导流件远离所述坩埚侧壁的一端围合形成有与所述气氛传输通道连通的气氛传输口，所述第二导流件在径向方向所在平面上的正投影面覆盖或者覆盖且超出所述气氛传输口。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述生长装置，还包括：支撑件，所述支撑件的一端与所述第二导流件的中部连接，所述支撑件另一端与所述坩埚底壁连接，且贯穿于所述气氛传输通道。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述支撑件垂直于所述坩埚底壁设置，所述第二导流件垂直于所述支撑件设置；或者，所述支撑件垂直于所述坩埚底壁设置，所述第二导流件远离所述支撑件的一端朝所述坩埚底壁所在的方向倾斜设置。6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述坩埚侧壁上设置有用于支撑所述第一导流件的支撑体。7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述坩埚侧壁在远离所述坩埚底壁的一端的内缘相对轴向方向倾斜，且在朝向所述坩埚盖的方向上逐渐收紧并围合成导流室。8.根据权利要求1至7中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述腔室包括相互连通的生长腔室和原料腔室；所述生长腔室靠近所述坩埚盖所在一侧，所述原料腔室靠近所述坩埚底壁所在一侧；所述第一导流件和所述第二导流件设置在所述生长腔室内；所述原料腔室包括用于装填不同原料的第一容置区域和第二容置区域，其中，所述第二容置区域绕设于所述第一容置区域外。9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述第一导流件在径向方向所在平面上的正投影面覆盖或者覆盖且超出所述第二容置区域在径向方向所在平面上的正投影面。10.一种碳化硅晶体生长装置的装填方法，其特征在于，所述碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚体、坩埚盖、若干第一导流件和若干第二导流件；所述坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，所述坩埚底壁与所述坩埚侧壁围合形成有腔室，所述坩埚盖盖设于所述坩埚侧壁与
所述坩埚底壁相对的一侧，所述腔室包括相互连通的生长腔室和原料腔室，所述生长腔室靠近所述坩埚盖所在一侧，所述原料腔室靠近所述坩埚底壁所在一侧，所述原料腔室包括第一容置区域和第二容置区域，且所述第二容置区域绕设于所述第一容置区域外；所述第一导流件从所述坩埚侧壁向所述腔室的中部延伸；所述第二导流件从所述腔室的中部向所述坩埚侧壁延伸；所述第一导流件和所述第二导流件位于不同的平面，所述第一导流件和所述第二导流件之间被配置为气氛传输通道；所述装填方法，包括：在所述第一容置区域内装填第一原料；在所述第二容置区域内装填第二原料；其中，所述第一原料和所述第二原料为不同的原料，所述第一原料的挥发速率大于所述第二原料的挥发速率。11.根据权利要求10所述的碳化硅晶体生长装置的装填方法，其特征在于：所述第一原料与所述第二原料为不同形态的同一种原料；其中，所述第一原料为碳化硅粉料，所述第二原料为碳化硅晶块料。12.根据权利要求10所述的碳化硅晶体生长装置的装填方法，其特征在于，在所述第一容置区域内装填第一原料之前，所述装填方法还包括：在所述第一容置区域内装填含铈化合物粉料。
技术总结
本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置和装填方法，涉及碳化硅晶体制备技术领域；该装置包括坩埚体、坩埚盖、若干第一导流件和若干第二导流件；坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔室；坩埚盖盖设于坩埚侧壁与坩埚底壁相对的一侧；第一导流件从坩埚侧壁向腔室的中部延伸；第二导流件从腔室的中部向坩埚侧壁延伸；第一导流件和第二导流件位于不同的平面，第一导流件和第二导流件之间被配置为气氛传输通道。该装置通过第一导流件和第二导流件的配合，可延长碳化硅气相组分上升的行程，并阻挡碳颗粒向籽晶运动，能保证碳化硅晶体的生长质量。保证碳化硅晶体的生长质量。保证碳化硅晶体的生长质量。
技术研发人员：袁文博 张洁 洪棋典
受保护的技术使用者：福建北电新材料科技有限公司
技术研发日：2022.06.08
技术公布日：2022/8/26