[0022]烧渗过程:
s.由室温到350 °C，这一阶段因有大量气体产生，升温速度每小时不超过150 °C，以免银层气泡或开裂；
t.由500 1:到最高烧渗温度700 °C，碳酸银及氧化银分解还原为金属银。在700 V温度保温5 min ；
u.从缩短周期和获得致密的优质银层，保证降温速度每小时不超过350 °C。
[0023]实施例2 一种磁场辐射能量陶瓷，其为有厚度的矩形长条器件，其两端加固银质导电极，长条器件表面平滑，铝质导电极与陶瓷经过局部加热熔融，后经塑型，有卡槽，可连接电极卡口。
[0024]磁场辐射能量陶瓷由坯料经再加工制备而成，所述的坯料成分为:按重量比，混合料A 25份，三氧化二铝45份，熔块28份，水100份；
其中混合料A的成分比例为:混合料B:油酸冰=100:2:8 ；
其中混合料B的成分比例为:硅粉20份，辅料C77份；
其中辅料C的成分比例为:辅料D25份，三氧化二铝45份，熔块28份，水110份；
其中辅料D的成分比例为:三氧化二铝18份，二氧化硅60份，氧化铜1.0份，氧化镁1.0份，三氧化二铁0.3份，二氧化钛0.3份；
其中熔块的成分比例为:钾长石33份，方解石33份，石英20份，硼15份。
[0025]其制备方法主要包括以下步骤，a.坯料配制；b.固型出模烧制；c.涂铝烘干。
[0026]坯料配制过程如下:d.将辅料C混合后放入球磨机中进行球磨，球磨时间为55小时；
e.将得到物质甩干控制固态物质含水量在20份以下，经碾压后烘干使含水量低于1.5
份；
f.将e步骤中所得碎块用粉碎机粉碎，经40目筛筛过得到辅料C。
[0027]g.将硅粉20份，辅料C77份混合均匀混合后球磨，再经40目筛筛除瓷球和杂质得到混合料B ；
h.取瓷球:硅粉=1.5:1.0,经过球磨8~10小时后，取混合料B均匀混合后球磨，再经40目筛筛除瓷球和杂质，混合料B:油酸:水=100:2: 8的比例配置成坯料即混合料A
固型出模烧制过程步骤如下:
1.将坯料放入轮碾机器中轮碾20~30分钟；
j.将所得坯料经轮碾后放入模具中压实，得到表面表面平滑或有非平滑凸起的矩形长条器件，长条器件的两端有对称通孔；
k.烧结，将所述长条器件于150°C烧结1小时后经600°C烧结后迅速将温度提高到1100°C，最后停止加温，逐渐降低烧结温度直至器件自然冷却。
【主权项】
1.一种磁场辐射能量陶瓷，其为有厚度的矩形长条器件，其特征在于，所述磁场辐射陶瓷，其两端加固银质导电极，长条器件表面平滑或有非平滑凸起，凸起为菱形，方形，星形，圆形，方格形中的一种，银质导电极与陶瓷经过局部加热熔融，后经塑型，有通孔或者卡槽，可连接导线或电极卡口。2.根据权利要求1所述的一种磁场辐射能量陶瓷，其特征在于，磁场辐射能量陶瓷由坯料经再加工制备而成，所述的坯料成分为:按重量比，混合料A 20份~30份，三氧化二铝40份~50份，熔块25份~30份，水85份~115份； 其中混合料A的成分比例为:混合料B:油酸:水=95~105:1~3:7~8 ； 其中混合料B的成分比例为:硅粉15份~25份，辅料C75份~80份； 其中辅料C的成分比例为:辅料D20份~30份，三氧化二铝40份~50份，熔块25份~30份，水85份~115份； 其中辅料D的成分比例为:三氧化二铝12份~20份，二氧化硅55份?75份，氧化铜0.5份?2.0份，氧化镁0.7份?2.0份，三氧化二铁0.2份~0.4份，二氧化钛0.2份~0.4份； 其中熔块的成分比例为:钾长石31份~35份，方解石31份~35份，石英17份~23份，硼13份~17份。3.根据权利要求1或2所述的一种磁场辐射能量陶瓷，其特征在于，所述的磁场辐射能量陶瓷，其制备方法主要包括以下步骤，a.坯料配制；b.固型出模烧制；c.涂银烘干或涂招供干。4.根据权利要求3所述的一种磁场辐射陶能量瓷制备方法，其特征在于，所述的坯料配制过程如下: d.将辅料C混合后放入球磨机中进行球磨，球磨时间为50~60小时； e.将得到物质甩干控制固态物质含水量在20份以下，经碾压后烘干使含水量低于1.5份； f.将e步骤中所得碎块用粉碎机粉碎，经40目筛筛过得到辅料C； g.将硅粉15份~25份，辅料075份~80份混合均匀混合后球磨，再经40目筛筛除瓷球和杂质得到混合料B; h.取瓷球:硅粉=1.4~2.0:0.7~1.3，经过球磨8~10小时后，取混合料B均匀混合后球磨，再经40目筛筛除瓷球和杂质，混合料B:油酸:水=95~105:1~3:7~8的比例配置成坯料即混合料A。5.根据权利要求3所述的一种磁场辐射能量陶瓷制备方法，其特征在于，所述的固型出模烧制过程步骤如下: 1.将坯料放入轮碾机器中轮碾20~30分钟； j.将所得坯料经轮碾后放入模具中压实，得到表面表面平滑或有非平滑凸起的矩形长条器件，长条器件的两端有对称通孔； k.烧结。6.根据权利要求5中所述的烧结过程，其特征在于:将所述长条器件于100°C~200°C烧结1小时后经500°C ~800°C烧结后迅速将温度提高到1000°C ~1200°C，最后停止加温，逐渐降低烧结温度直至器件自然冷却。7.根据权利要求1所述的一种健康磁场辐射陶瓷件及其制备方法，其特征在于，所述的涂银烘干通过以下步骤: 1.配制银浆； m.涂银； η.烘干； ο.烧渗。8.根据权利要求7所述的涂银烘干步骤，其特征在于，所述银浆为按重量比，氧化银:氧化铋:松香:蓖麻油:松节油=85^95:Γ2:33^35:5^7:33^35,钢球:料=1:1.45?1.75，球磨后制得银浆。9.根据权利要求7所述的涂银烘干步骤，其特征在于，所述涂银烘干过程如下: P.将陶瓷器件在115~125°C下烘干1~2小时； q.涂浆前将银浆搅拌均匀，用玻璃棒涂覆； r.在60°C的烘箱中将银浆烘干。10.根据权利要求7所述的涂银烘干步骤，其特征在于，所述烧渗过程 s.由室温到350 °C，这一阶段因有大量气体产生，升温速度每小时不超过150 °C -200°C，以免银层气泡或开裂； t.由500 1:到最高烧渗温度700 °C，碳酸银及氧化银分解还原为金属银，在700 °〇温度保温5 min ； u.从缩短周期和获得致密的优质银层，保证降温速度每小时不超过350-400 °C。
【专利摘要】本发明涉及一种磁场辐射能量陶瓷，本发明解决了制造困难且由于不能控制工艺稳定性其制造出来的器件辐射波长不统一，不能符合有益人体辐射波长度的问题，同时通过控温措施使陶瓷结构更稳固克服了其容易起层，剥离，断裂的问题。本发明通过将三氧化二铝、二氧化硅、氧化铜、氧化镁、三氧化二铁、二氧化钛等原材料混合加工配制坯料，固型出模烧制、涂银烘干或涂铝烘干制成所要的能量陶瓷，通过材料的适当配比和加工工艺的控温过程使生产出的陶瓷器件性能稳定，具有体积小，升温速度快，不起层，不剥离脱落的效果，更重要的是，本发明所选配比合理性强，节约材质且达到更优的效果，对于保健和医疗领域有显著的益处。
【IPC分类】C04B35/10, C04B35/622
【公开号】CN105314967
【申请号】CN201410246260
【发明人】王祥林, 王晓艳
【申请人】哈尔滨市全科医疗技术发展有限责任公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年6月5日