用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法
【专利摘要】本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与【具体实施方式】中相同。[化学式1]
【专利说明】用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请要求于2012年12月27日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2012-0155330的优先权和权益，其全部内容引入本文以供参考。
【技术领域】
[0003]公开了用于硬掩模组合物的单体，包含所述单体的硬掩模组合物，以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。
【背景技术】
[0004]最近，半导体工业已开发出具有数纳米至几十纳米尺寸图案的超细技术。这种超细技术基本上需要高效的光刻技术。
[0005]所述典型的光刻技术包括在半导体衬底上提供材料层；在其上涂覆光致抗蚀剂层；对其曝光和显影以提供光致抗蚀剂图案；并使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述材料层。
[0006]如今，根据有待形成的图案的小尺寸，仅通过上述典型的光刻技术很难提供具有优异轮廓的精细图案。因此，可以在所述材料层和所述光致抗蚀剂层之间形成一种层，称为硬掩模层，从而提供精细图案。
[0007]最近， 已建议使用旋涂来形成硬掩模层的方法(替代化学气相沉积)。
[0008]所述硬掩模层起到通过选择性蚀刻过程，将光致抗蚀剂的精细图案转移至所述材料层的中间层的作用。因此，需要所述硬掩模层具有多种特性，例如耐化学性，和耐蚀刻性或在多个蚀刻过程中有待耐受的类似特性。此外，需要对于短波长图像辐射射线的耐受性。
【发明内容】
[0009]一种实施方式提供了用于硬掩模组合物的单体，其具有改进的光学性能、耐蚀刻性，和耐化学性。
[0010]另一种实施方式提供了包含所述单体的硬掩模组合物。
[0011]又一种实施方式提供了使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。
[0012]根据一种实施方式，提供了由下面化学式I表示的用于硬掩模组合物的单体。
[0013][化学式I]
[0014]
【权利要求】
1.一种用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式I表示: [化学式I]
2.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述Atl选自下面组1: [组I]
3.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述A1和A2各自独立地为取代的或未取代的苯基、萘基、联苯基。
4.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5，或 1-6 之一来表示: [化学式1-1]
5.根据权利要求4所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式laa、lbb、lcc、ldd、lee、lff,或 lgg 表示:
6.根据权利要求1所述的用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体具有500至5，000的分子量。
7.—种硬掩模组合物，包括: 根据权利要求1-6任一项所述的单体，以及溶剂。
8.根据权利要求7所述的硬掩模组合物，其中基于所述硬掩模组合物的总量，包含I至50wt%的量的所述单体。
9.一种形成图案的方法，包括: 在衬底上提供材料层， 在所述材料层上施加根据权利要求7或8所述的硬掩模组合物， 热处理所述硬掩模组合物以提供硬掩模层， 在所述硬掩模层上形成含硅薄层， 在所述含硅薄层上形成光致抗蚀剂层， 曝光并显影所述光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案， 使用所述光致抗蚀剂图案选择性去除所述含硅薄层和所述硬掩模层以暴露所述材料层的一部分，以及 蚀刻所述材料层的暴露部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中使用旋涂方法来施加所述硬掩模组合物。
11.根据权利要求9所述的方法，其中通过在100°C至500°C下热处理所述硬掩模组合物来形成所述硬掩模层。
【文档编号】C07C33/26GK103896736SQ201310300799
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年7月17日 优先权日:2012年12月27日
【发明者】李圣宰, 田桓承, 赵娟振, 李哲虎, 李忠宪 申请人:第一毛织株式会社