专利名称：活化高能射线束硬化型导电糊、导体电路基片的制造方法及装置以及非接触式id及其制 ...的制作方法
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本发明涉及活化高能射线束硬化型导电糊和使用它的导体电路基片的制造方法。本发明还涉及可以优选适用作为非接触式ID天线用的导体电路基片的制造方法及装置，以及非接触式ID及其制造方法作为用于与外部通信·发电的电路(通称天线电路)的制造方法的一种，有使用导电糊的印刷法。这是在聚碳酸酯、聚酯、聚酯合金系、氯乙烯等树脂薄膜基片上，印刷热硬化型或热塑型导电糊，用热风循环炉等加热硬化或加热干燥而形成电路的方法。
热硬化型导电糊由于使用环氧树脂、乙烯树脂等热硬化性树脂和/或玻璃料等无机物作为粘合剂，因此，在基片(基材或被涂覆物)上涂覆或印刷后，必须高温加热。但是，为了加热硬化，必需相当多的能量、加热时间、以及为设置加热装置的基座面积，这不仅是不经济的，而且受到如以下所述的很大的制约。
即，以玻璃料等无机物作为粘合剂的导电糊，由于通常需要在800℃以上烧成，因此不能适用于合成树脂系的基片。另一方面，虽然以热硬化性树脂作为粘合剂的导电糊也可以对合成树脂系基片使用，但是由印刷性、粘合性、叠片性、压花加工性及价格等观点出发，一般多使用热变形温度在120℃以下的耐热性低的材料作为树脂薄膜基片材料，因此在使糊硬化时，在120～150℃左右加热10～30分钟就使基片变形，从而对使用所得到的印刷配线电路的后步工序的零部件装载带来故障等，造成很大障碍。具体地说，干燥或硬化后，树脂薄膜基片在纵横方向还会有0.1～0.5％的变化，而且由于经历了受热过程，所以其变化·变形量在面内不是均一的，在极端情况下，在树脂薄膜基片上发生弯曲、翘曲或皱纹。特别是在将树脂薄膜基片卷成卷、或开卷(带状或卷物状)时，显著地发生这些尺寸变化。而且，树脂薄膜基片的变形和尺寸变化，不仅使树脂薄膜基片外观不佳，而且造成导体电路之类的断线、或成为天线导体电路的阻抗产生变化，在功能上也赋予不良的影响。另外，在对非接触式ID作成品加工而将IC芯片结合到导体电路电极部分时，产生对位困难，使间歇时间变长。
另外，假定加热硬化条件为120℃、30分钟的场合，以1m/分的速度输送树脂薄膜基片时，必需炉长30m的长尺寸热风循环炉，需要巨大的设置空间，同时在此长尺寸而且高温中，要以低张力稳定输送树脂薄膜基片是困难的。
此外，使用热塑型导电糊的导体电路，多用于个人电脑键盘等当中，但由于在导电糊的干燥工序中，聚对苯二甲酸乙二醇酯等的基片收缩，所以作为其对策，必须进行退火等基片的前处理。另外，干燥时必需30～60分钟时间，而且所得到的导体电路存在没有耐溶剂性的缺点。
因此，试图用电子射线硬化型导电糊形成导体电路。电子射线硬化型导电糊与热硬化型、热塑型导电糊比较，由于硬化时几乎不对基片加热，所以能够减轻前述的基片变形和对后步工序的障碍，作为大量生产导体电路的方法是优良的。但是，电子射线硬化型导电糊在初始导电性、成膜时的粘合性等方面尚存在问题。
为了克服这些问题，在特开昭59-173904号公报中，揭示了在导电性线状体的制造方法中，在照射电子射线使其硬化后进行加热的方法。按照这种方法能够改善硬化物的导电性，但电子射线照射后必须在100～150℃的温度下加热5～60分钟，要用到对热显弱势的基片上是困难的。另外，在特开平2-290280号公报中，揭示了对导电性涂料，一边保持涂覆物的温度在50℃以上，一边照射电子射线的硬化方法。采用该方法虽然能抑低加热温度以减轻对基片的影响，但是由于糊使未硬化的涂覆物的温度上升、粘度降低，所以要形成微细的图形有困难，另外要求在成膜时的粘结性方面加以改善。
本发明的另一个目的在于提供一种初始导电性、成膜时的基片粘结性、硬度·强度优良的导体电路(以下将在基片上形成电路图形构成的导体电路称为“导体电路基片”)的制造方法。
本发明的又一目的在于提供一种能够使导电糊的硬化时间大幅度缩短、在卷状等树脂薄膜基片上不产生弯曲、翘曲、皱纹，而且以紧凑的设备高生产率地制造作为非接触式ID天线等使用的导体电路基片(厚膜导体电路)的方法、及其装置。
本发明的进一步的目的在于提供一种非接触式ID、及其制造方法，它在耐热性缺乏的基片也能够使用，由于在导体电路制造的硬化工序中需要时间非常短，因而生产率高并能降低制造成本。
按照本发明的第1个方面，提供了一种活化高能射线束硬化型导电糊(以下仅记为“导电糊”)，它是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线使其硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。通过将用电子射线硬化时硬化物(硬化覆膜)的内部应力处于上述特定范围内的组合物(除导电性物质以外，什么也未配合时的活化高能射线束聚合性化合物)作为粘合剂，使本发明的导电糊，在耐热性缺乏的基片上也能够形成具有适宜体积电阻系数和良好的基片密合性的电路图形。再有，使用2种以上活化高能射线束聚合性化合物时，或使用活化高能射线束聚合性化合物以外的物质时，对于这些混合物，必须能够达到上述规定的内部应力。
另外，提供了一种导电糊，它是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压175kV、吸收射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的玻璃化温度为0～200℃。通过将用电子射线硬化时硬化物的玻璃化温度处于上述特定范围内的组合物作为粘合剂，使用该导电糊在耐热性缺乏的基片上也能够形成有适宜体积电阻系数、优良的基片粘结性、高的硬度和机械强度的电路图形。再有，使用2种以上活化高能射线束聚合性化合物时，或使用活化高能射线束聚合性化合物以外的物质时，对于这些混合物，必须能够达到上述规定的玻璃化温度。
按照本发明的第2个方面，提供了一种导体电路基片的制造方法以及所制造的导体电路基片，上述制造方法包括以下工序(a)用上述本发明的导电糊在基片上形成电路图形的电路图形形成工序，(b)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序。按照这种制造方法，能够容易地大量生产有适宜的体积电阻系数、成膜时的基片粘结性和硬度·强度优良的导体电路基片。
按照本发明的第3个方面，提供了一种导体电路基片的制造方法，它包括以下工序(I)将含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，用轮转印刷机印刷到树脂薄膜基片上，以形成电路图形的电路图形形成工序，(II)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序。导电糊是活化高能射线束硬化型，由于其硬化在非常短的时间内进行，所以能够提高树脂薄膜基片的输送速度，从而提高生产率。另外，如同将印刷图案印刷到布上一样，轮转印刷机是效率非常良好的印刷方法，因此，用轮转印刷机对以卷状等形态输送的树脂薄膜基片印刷导电糊，能够连续印刷，并且能实现高速且质量均匀的印刷。
按照本发明的第4个方面，提供了一种导体电路基片制造装置，它具有供给树脂薄膜基片的薄膜开卷机；在所供给的上述树脂薄膜基片上印刷含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊的轮转式印刷机；对经上述印刷形成的电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射装置；和卷取上述照射后的树脂薄膜基片的薄膜卷取机。
按照本发明的第5个方面，提供一种非接触ID，它是将由含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊形成的电路图形和IC芯片装置在基片上而构成。在这种非接触ID中，通过使用活化高能射线束硬化型导电糊，使得即使是耐热性缺乏的基片，也不会对基片带来危险而形成均质的导体电路，成为具备预定的通信距离性能的高质量的非接触ID。
按照本发明的第6个方面，提供了一种非接触ID的制造方法，它包括以下工序(I)将含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，用轮转印刷机印刷到树脂薄膜基片上，以形成电路图形的电路图形形成工序，(II)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序，(III)在上述树脂薄膜基片上装载置IC芯片的工序。藉此，能够用紧凑的设备，以连续、高速且高生产率、低成本地制造形成质量均匀的导体电路的非接触ID。
图2是表示在本发明的导体电路基片的一个实施方式中，作为天线的导体电路(6圈)的平面图。
图3是表示本发明的非接触式ID的一个实施方式的平面图。
图4是表示导体电路形成装置生产线的一个实施方式的模式图。
图5是表示对树脂薄膜基片丝网印刷的一个实施方式的平面图。
图6是概略表示轮转丝网印刷机的一个实施方式的平面图。
图6是概略表示轮转丝网印刷机的一个实施方式的正视图。
硬化物的内部应力用以下方法测定。在12μm的铝蒸镀聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下称为“PET”)薄膜的非蒸镀面上，用旋转涂覆器均匀涂覆要测定其应力的组合物，形成约10μm的覆膜。接着，在氮气氛中对该涂覆物照射加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线，使该覆膜硬化。由于所得到的铝蒸镀PET薄膜上的硬化覆膜硬化收缩，所以以硬化覆膜为内侧、PET薄膜为外侧卷曲成弧状。测定该弧的弯曲曲率半径。
而且，由PET薄膜单独的弹性系数和硬化覆膜与PET薄膜的复合膜的弹性系数，算出先前得到的铝蒸镀PET薄膜上的硬化覆膜的弹性系数。
铝蒸镀PET薄膜上的硬化覆膜的内部应力(P0)，由弯曲曲率半径(r单位mm)、基片的弹性系数(F单位Pa)、硬化覆膜的弹性系数(E单位Pa)、PET薄膜的厚度(d1单位mm)、硬化覆膜的厚度(d2单位mm)，用下式计算。
P0＝2＜F×(d1)3+E×(d2)3)/3r(d2)2而且，在优选的一个实施方式中，以加速电压175kV、吸收射线量40kGy的电子射线使由导电糊除去上述导电物质后的组合物硬化时，硬化物的玻璃化温度为0～200℃。硬化物的玻璃化温度超过200℃时，初始导电性、基片粘结性差，作为导电糊有不能实用的危险，而不足0℃时，虽然能发挥导电性，但是导电糊的硬化覆膜的硬度、机械强度不充分，也担心不能达到实用水平。该硬化物的玻璃化温度更佳为0～170℃，特佳为30℃～170℃。
硬化物的玻璃化温度用以下方法测定。由电子射线使由导电糊除去上述导电物质后的组合物硬化，将该硬化物切成宽5mm、长度30mm的短册状。试料的厚度用千分尺测定。用动态粘弹性测定装置，在频率为10Hz恒定、温度范围由-50℃到200℃、升温速度每分钟10℃的条件下，将储存弹性模量(E′)和损耗弹性模量(E”)作为温度的函数，对该试料进行测定。将E′对E”之比的损失正切(tanδ)相对于温度做成曲线，将出现弯曲点的温度作为硬化物的玻璃化温度。
所谓活化高能射线束聚合性化合物，是通过照射活化高能射线束能够聚合的化合物，适宜使用具有乙烯不饱和基的化合物。作为具有乙烯不饱和基的化合物，可举出例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯系化合物、乙烯醚系化合物、聚烯丙基化合物等。这些化合物可以单独或将2种以上组合使用。电子射线硬化型导电糊以穿透力强的电子射线为硬化引发物，与例如紫外线硬化型导电糊相比，即使是含导电物质多的导电糊硬化性仍高，因此可以优选使用。
在(甲基)丙烯酸酯系化合物中，作为单官能(甲基)丙烯酸酯系化合物，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸甲氧基二甘醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三甘醇酯、(甲基)丙烯酸正丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸叔环己酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、琥珀酸氢(甲基)丙烯酰氧基乙酯、邻苯二甲酸氢(甲基)丙烯酰氧基丙酯、邻苯二甲酸(甲基)丙烯酰氧基乙基-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸环氧丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-丙烯酰氧基丙酯等。
另外，作为多官能的(甲基)丙烯酸酯系化合物，可以举出1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三缩三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性双酚A二(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性双酚A二(甲基)丙烯酸酯、三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性三甲醇丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、酯丙烯酸酯等。
在上述多官能(甲基)丙烯酸酯系化合物中，使用3官能以上的尿烷丙烯酸酯时，硬化收缩率愈大，体积电阻系数愈低，但不使密合性降低，能够得到优良的活化高能射线束硬化型导电糊。
在乙烯醚系化合物中，作为单官能的乙烯醚系化合物，可举出羟乙基乙烯醚、羟丁基乙烯醚、环己烷二甲醇一乙烯醚、环己基乙烯醚等。
作为多官能的乙烯醚系化合物，可举出乙二醇二乙烯醚、二乙二醇二乙烯醚、三乙二醇二乙烯醚、丙二醇二乙烯醚、二丙二醇二乙烯醚、三丙二醇二乙烯醚、新戊二醇二乙烯醚、1，4-丁二醇二乙烯醚、1，6-戊二醇二乙烯醚、丙三醇二乙烯醚、三羟甲基丙烷二乙烯醚、1，4-二羟基环己烷二乙烯醚、1，4-二羟基甲基环己烷二乙烯醚、双酚A二乙氧基二乙烯醚、双酚S二乙氧基二乙烯醚等二乙烯醚系化合物等。
还可举出丙二醇三乙烯醚、山梨糖醇四乙烯醚、三羟甲基丙烷三乙烯醚、季戊四醇四乙烯醚、二季戊四醇六乙烯醚、二季戊四醇聚乙烯醚、二三羟甲基丙烷四乙烯醚、二三羟甲基丙烷聚乙烯醚等3官能以上的聚乙烯醚系化合物等。
作为导电糊中使用的导电性物质，可举出例如，金、银、铜、镀银铜粉、银-铜复合粉、银-铜合金、镍、铬、钯、铝、钨、钼、铂等金属粉，用这些金属被覆的无机物粉末，氧化银、氧这化铟等金属氧化物粉末，用这些金属氧化物被覆的粉末、或者碳黑、石墨等。也可将这些导电物质2种以上组合使用。在导电性物质中，优选银粉，这是由于其高导电性使氧化造成的电阻值上升少。
导电性物质的形状可以是粒状、球状、薄片状、鳞片状、板状、树枝状、立方体状等任何形状，但由导电性物质的相互接触和导电糊的流动性出发，优选为树枝状、鳞片状或球状。
另外，导电性物质可使用其平均粒径为0.1μm～100μm者，但由导电性和导电糊的流动性出发，适宜使用平均粒径1μm～50μm者，可进一步优选使用1～25μm者。另外，本发明的平均粒径是用激光衍射法测定的体积平均粒径。
导电性物质的含量，以导电糊作为基准，由导电性的观点出发优选为55重量％以上，由所形成的涂膜强度和导电性的观点出发，优选为95重量％以下，60～90重量％更佳。
为了调整导电糊的粘度、成膜性、硬化覆膜的物性，可以在导电糊中含有粘合剂聚合物。作为粘合剂聚合物，优选聚合度为10～10000、或数均分子量为103～106的聚合物。粘合剂聚合物也可以在分子中有能够自由基聚合的乙烯不饱和基。具体可举出丙烯酸树脂、聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、聚乙烯树脂、氟树脂、硅树脂、酚醛树脂、氨基树脂、聚丁二烯树脂、聚尿烷树脂等。也可以是与(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸环氧丙酯、马来酸酐等反应导入不饱和基的树脂。这些树脂可以单独或将2种以上混合使用。
用紫外线硬化导电糊的场合，可以在导电糊中添加光聚合引发剂和光聚合引发助剂。此外，调整粘度的目的可在导电糊中添加溶剂。作为溶剂，例如可以使用酮类、芳香族类、醇类、溶纤剂类、醚醇类、酯类。这些溶剂可以将2种以上混合使用。
作为酮类，可举出甲乙酮、甲基异丁基酮、3-戊酮、2-戊酮等。作为芳香族，可举出甲苯、二甲苯、乙苯、氯苯等。作为醇类，可举出甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、丙二醇、苄醇等。作为溶纤剂类，可举出甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、己基溶纤剂等。作为醚醇类，可举出丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、丙二醇丁醚等。作为酯类，可举出乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸丁基卡必醇酯等。
其次，本发明的导体电路基片的制造方法包括(a)用本发明的导电糊在基片上形成电路图形的电路图形形成工序，和(b)对所得到的电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序。使用本方法，可以得到在基片上形成由上述本发明的导电糊构成电路图形的导体电路基片、即由本发明的导体电路基片的制造方法制造的导体电路基片。
图1和图2是表示作为导体电路基片一个实施方式的天线的导体电路的平面图，图1、图2分别表示4圈的导体电路10和6圈的导体电路20。
作为基片，可以使用环氧树脂层压板、纸-酚醛基片、纸、合成纸、聚酯薄膜、聚酯合金系薄膜、聚亚苯基亚硫酸酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚砜薄膜、聚醚砜薄膜、聚丙烯薄膜、氯乙烯薄膜等。
工序(a)的电路图形的形成，可以采用丝网印刷、轮转丝网印刷、胶版印刷、金属掩膜印刷等进行。若考虑厚膜形成和生产率，特别优选轮转丝网印刷。
工序(b)的活化高能射线束，是作为导电糊的硬化引发物使用的高能射线束，例如可举出紫外线、电子射线、v射线、红外线、可见光线。由达到导体电路内部的硬化性、对形成导体电路的基片影响小出发，优选电子射线。
活化高能射线束，以由导电糊除去导电性物质后的组合物的硬化物的内部应力为5～50MPa的条件进行照射为佳。另外，活化高能射线束以由导电糊除去导电性物质后的组合物的硬化物的玻璃化温度为0～200℃的条件进行照射为佳。
使用电子射线作为活化高能射线束时，由达至导体电路内部充分硬化和不使基片损坏的观点出发，优选能够用在100～1000kV、更佳150～250kV的范围具有加速电压的电子射线照射装置得到所希望的电子射线。另外，电子射线的照射射线量(dose)，由达至导体电路内部充分硬化和不使基片损坏的观点出发，优选在1～1000kGy、更佳5～200kGy的范围。
电子射线的吸收射线量如下决定。用标准射线源(CO60伽码射线)照射射线量测定薄膜(FARWEST社，RADIACHROMICFILMFWT-60-00，厚度44.5μm)，求出薄膜的吸光度与被照射射线量的相关关系。接着，用与照射电子射线着色的薄膜的吸光度表示相同吸光度的标准射线源照射的薄膜，将该薄膜的被照射射线量作为电子射线的吸收射线量。
经活化高能射线束照射硬化后，作为(c)加热加压工序，优选对导电糊进行120℃以上约2分钟的加热。藉此，能够实现导体电路电阻值的降低。但是，在120℃以上的温度加热，由于会在缺乏耐热性的基片中产生变形，所以难以使用。因此，在使用本发明的导电糊的导体电路基片的制造方法中，优选一边在80～100℃左右的温度下加热，一边进行加压处理。通过并用加热处理和加压处理，能够在基片中不产生变形等的80～100℃左右的温度下，促进导电性物质的取向，从而可降低电阻值。在加热不足80℃时，不能促进导电性物质的充分取向以降低电阻值；当加热超过100℃时，在使用耐热性显著缺乏的基片的场合，担心发生基片的变形，因而不佳。加压处理可以用辊子进行，优选采取5～20kgf/cm、更佳8～12kgf/cm的压力。压力不足5kgf/cm时，不能促进导电性物质的充分取向以降低电阻值，当超过20kgf/cm的场合，由于生产性变差，因而不佳。
本发明的非接触式ID，是用含导电性物质及活化高能射线束聚合性化合物的导电糊形成的电路图形和IC芯片装置在基片上而构成。例如，可以在用上述方法制造的导体电路基片上装置IC芯片，或者通过后述的本发明的非接触式ID的制造方法，得到该非接触式ID。在基片上装置的IC芯片可以是多块。优选的是能够用本发明的导电糊形成电路图形。图3是部分地表示非接触式ID的一个优选实施方式的平面图，在导体电路20上装置有IC芯片30。
基片是保持导体电路和IC芯片用的，可以用与导体电路基片同样的纸、薄膜等。另外，IC芯片是进行数据记忆、存储、演算用的。
形成的电路图形的干燥膜厚，由电路电阻值、硬化性的观点出发，优选为10～200μm。膜厚不足10μm时，膜厚方向导电物质彼此接触的几率小，体积电阻系数出现波动倾向，结果恐怕不能使电路电阻稳定。此外，膜厚比200μm厚时，活化高能射线束不能到达导体电路内部，容易导致未硬化。
非接触式ID，作为RFID(射频识别)、非接触式IC卡、非接触式IC标签、数据载体(记录介质)、无线电卡，在读出器或与读出记录器之间，使用电波进行个体的识别或数据的信息传送接收。作为其使用用途，有费用征收系统和金融管理系统等支付处理；出入人员管理系统和医疗用管理系统等ID管理和履历管理；道路利用状况管理系统和货物、载物跟踪·管理系统等位置管理。
以下参照附图，对本发明的导体电路基片的制造方法，以及使用该方法的装置、即导体电路基片制造装置进行说明，上述方法包括以下工序(I)将含导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，用轮转式印刷机印刷在树脂薄膜基片上，以形成电路图形的电路图形形成工序，(II)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序；上述装置具有供给树脂薄膜基片的薄膜开卷机；将含导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊印刷在所供给的树脂薄膜基片上的轮转式印刷机；对上述印刷形成的电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射装置；和卷取上述照射后的树脂薄膜基片的薄膜卷取机。图4是表示导体电路形成装置生产线的一个实施方式的模式图。
例如，使用卷状树脂薄膜基片2作为基片材料，首先，由薄膜开卷机3连续地送出树脂薄膜基片。在供给的基片2上，由轮转式印刷机4进行导电糊(例如电子射线硬化银糊)5的印刷。轮转式印刷机4具备网眼辊101和对置的压力辊401。轮转式印刷机有以下特征能够连续进行高效率的印刷。作为其种类，可举出平板印刷、凹板印刷、丝网印刷等，但由于导电糊的脱版性良好、而且由于膜厚可以较大、能够形成低电阻的导体电路，所以在该工序中最适宜的是具备圆筒状网眼辊101的丝网型印刷机(轮转式丝网印刷机)。
接着，对已印刷的电路图形，由活化高能射线束照射装置照射活化高能射线束。作为活化高能射线束，优选使用电子射线。电子射线照射装置6有以下构成加热真空气氛中的灯丝606发生热电子，由电位差使其加速，将电子射线7照射到透过Ti金属照射窗602的容器604内。在照射部中，为了抑制臭氧发生，施加氮气密封605，而且为了防止X射线泄漏到容器外，设置X射线遮蔽隔板603。过去使用长尺寸的热风循环炉通过长时间加热使导电糊硬化，与此相对照，本发明具有的特征在于采用以下方法，即，使用电子射线硬化银糊5并用电子射线照射使其硬化。在用通常的热加热硬化时，对树脂薄膜基片因热产生弯曲、翘曲或皱纹，由于电极位置偏差大，所以在结合时，为分别对位要花费过多校准时间，而且还发生天线导体电路断线等生产率和质量问题。还有UV照射方法，但UV光能量小，必须另外添加光聚合引发剂和光聚合引发助剂成分，另外由于是光，所以具有照射不到的阴影部分产生硬化不均的缺点。与上述相比，电子射线照射方法的优点是，可以用非常短的时间、在不对树脂薄膜基片进行加热的情况下使导电糊5硬化。在电子射线照射装置中，区域电子束型在宽幅、均匀照射方面效果优良，是最适宜的。
进行过活化高能射线束照射的基片2，由驱动辊601输送、由薄膜卷取机8卷取。
为了使卷状薄膜开卷机、轮转丝网印刷机、区域电子束型电子射线照射装置、卷状薄膜卷取机在各工序间稳定运转，在实际的装置中，设置缓冲装置301，以便吸收对各个装置输送卷料的微小速度差，从而减小各装置的薄膜输送张力并且保持在适宜值，优选使其吸收各装置基片间的松弛。
另外，轮转丝网印刷机4和区域电子束电子射线照射装置6以互相同步运转为佳，具体说就是，卷料开卷机和轮转丝网印刷机4的网眼辊101和电子射线照射装置6的驱动辊601，由控制装置9，11控制为佳。藉此，即使在薄膜输送速度上升、下降时，和印刷条件变更时，也能使电子射线照射量保持一定，从而使卷料长度方向的硬化水平做到均匀，使质量稳定。
图5是表示按此方法实施的、对树脂薄膜基片进行丝网印刷的一个实施方式的平面图。在树脂薄膜基片2上，印刷构成天线的导体电路10、20共4×4个，在4角同时印刷十字定位标记40。
如上所述，按照这种导体电路基片的制造方法，通过采用短时间的活化高能射线束照射使导电糊硬化的方法，可以不加热树脂薄膜基片，因此能够在用加热硬化型导电糊时难以使用的、耐热温度150℃以下的树脂薄膜基片上使用，因此在这方面是非常有用的。
作为树脂薄膜基片，例如有聚酯合金系薄膜软化温度80℃～120℃聚酯薄膜玻璃化温度70℃～85℃聚氯乙烯系薄膜软化点70℃～80℃
聚亚苯基硫醚薄膜玻璃化温度90℃聚碳酸酯薄膜玻璃化温度150℃聚砜薄膜玻璃化温度190℃聚醚砜薄膜玻璃化温度225℃等，但表示出特别低温的软化点和玻璃化温度的聚酯合金系薄膜、聚酯薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚亚苯基硫醚薄膜、聚碳酸酯薄膜等，是非常有效的。
在一个优选的实施方式中，使用上述的热变形温度150℃以下的树脂薄膜基片，照射75kV～300kV的电子射线0.02秒～1秒。电子射线的照射时间超过数秒时，恐怕电子射线会造成树脂薄膜基片的劣化。
此外，在另一个优选实施方式中，导电糊是硬化物内部应力在一定范围内的本发明的导电糊，或者硬化物的玻璃化温度在一定范围内的本发明的导电糊。
接着，对所研究出的、使用轮转丝网印刷机在连续输送的卷状树脂薄膜基片的一定位置正确进行印刷的方法和装置进行说明。图6是概略表示轮转丝网印刷机的一个实施例的平面图，图7是其正视图。
在图6的轮转丝网印刷机4中，设置X载物台402和Y载物台403，并能够控制它们向网眼辊101和压力辊401的X轴、Y轴(行进方向)移动。由摄像头读取预先设在薄膜基片上的识别标记和印刷在其上的图形的位置偏差，使网眼辊101和压力辊401沿X轴、Y轴方向滑行移动，进行补正。用此方法，就能将后续图形保持正确的相对位置印刷在预先形成的薄膜基片的图形上。
此外，作为别的实施例，也可以相对X轴方向在薄膜基片输送装置侧设置薄膜基片端面控制装置，进行X轴方向的印刷位置调整。作为再一个实施例，也可以通过增加或减少网眼辊的回转数以调整印刷位置，使得对Y轴方向实际的薄膜输送量与由多个识别标记检测得到的移动量相一致。
在任何实施例中，都可以通过将X轴、Y轴方向的位置补正装置和印刷机前后的缓冲装置301组合设置，能够容易地对一定位置进行印刷。这里所述的位置补正装置，不限于轮转式的丝网印刷机，也可以适用于平板印刷、凹板印刷方式的轮转式印刷机。
此外，作为装置的另一实施方式，也可以在印刷机和活化高能射线束照射装置之间，设置热风或红外线预热炉，将薄膜基片加热到玻璃化温度或软化温度以下的温度。由于设置预热炉能够减低印刷电路的电阻值。
包括上述工序(I)、(II)的本发明的导体电路基片的制造方法，可以再包括以下工序，作为优选使用的非接触式ID的制造方法(III)在上述薄膜基片上装置IC芯片的工序。
IC芯片在树脂薄膜基片上的装置，通过印刷在基片上的定位标记进行对位，使用粘合装置将IC芯片粘合在一定位置。例如，树脂薄膜基片的宽度如果是300mm，则可以对2个印刷的定位标记进行图像处理，进行对位，但树脂薄膜基片的宽度为500mm以上时，最好对4角的定位标记全部作图像识别，进行对位。另外，树脂薄膜基片的宽度为300mm以下时，与用轮转丝网印刷机印刷构成天线的导体电路对应，在树脂薄膜基片的两侧面设基准孔，使用定位导销对位的方法也是简便的。
如上所述，本发明的导电糊即使对耐热性缺乏的基片也可以使用，能够提供具有适宜的体积电阻系数且基片粘结性、硬度·强度优良的导体电路基片，而且由于导体电路制造的硬化工序需要的时间非常短，所以能够提高导体电路基片的生产率，实现制造成本的降到低。
本发明的非接触式ID，可以使用耐热性缺乏的基片，在导体电路制造的硬化工序中需要的时间非常短，因此生产率高、制造成本降低、而且质量高。
包括本发明的制造工序(I)、(II)的导体电路基片的制造方法及其装置，是以作为非接触式ID的天线等适用的导体电路基片为对象的，能够大幅度缩短导电糊的硬化时间，在条卷状等树脂薄膜基片上不产生弯曲、翘曲、皱纹，而且能够用紧凑的设备高生产率进行制造。具体地说，与现有技术使用加热硬化型糊进行加热干燥或加热硬化的方法相比，采用短时间的活化高能射线束照射，使活化高能射线束硬化型导电糊硬化的方法，能够避免热对树脂薄膜基片的不良影响，同时能够获得极大的效果(1)改善加快硬化输送速度达20倍，(2)节省空间，导体电路糊硬化装置的长度缩短为1/15，(3)不发生皱纹或弯曲等变形，缩短粘合时的对位时间，(4)在加工成非接触式ID卡或非接触式ID标签等场合提高质量等。
实施例以下通过实施例更详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的限定。另外，在实施例中的“份”是“重量份”。
以下，说明关于导电糊的实施例。
实施例1～4，比较例1～2(1)导电糊的调制方法将表1所示的各成分用傀儡机预混合后，用3辊混炼，调制导电糊。
(2)导体电路的制造方法在预先经电晕处理的PET基片上，用导电糊由200目的不锈钢制的丝网版形成电路图形。其次，用区域电子束型电子射线照射装置[Curetron EBC-200-20-30](日新ハイボル テ-ジ社制)，在加速电压175kV、照射射线量40KGy的条件下照射电子射线，得到导体电路。
比较例3与实施例1同样地调制导电糊，在PET基片上形成电路图形。接着，用2只120W金属卤化物灯，离20cm的距离照射紫外线，得到导体电路。
比较例4将双酚F二缩水甘油醚(日本化药社制[RE-404S]91.3份、间羟苯基缩水甘油醚(ナガセ化成工业社制[デナコ-ルEX-201])39.1份、双氰胺(味素社制[AH-154])21.9份、银粉[SF-65]794.8份和正丁基溶纤剂乙酸酯(试药特级，东京化成社制)53.0份用傀儡机预混后，用3辊混炼，得到导电糊。用该导电糊与实施例1同样地在基片上形成电路图形，使用箱式炉在180℃加热30分钟使其硬化，得到导体电路。
实施例5与实施例1同样地调制导电糊、在基片上形成电路图形后，在与实施例1同样的条件下照射电子射线。再在温度100℃、压力10kgf/cm的条件下进行加热加压辊处理，得到导体电路。
实施例6除加热加压处理温度替换为25℃以外，其余与实施例5相同，得到导体电路。
实施例7～12、比较例5～9(1)导电糊的调制方法将表2、表3所示的各成分用傀儡机预混合后，用3辊混炼，调制导电糊。
(2)导体电路的制造方法在4个铜电极以20mm的间隔并列的透明环氧基片上，用丝网印刷版(丝网网目#230、线径23μm)印刷上述导电糊，使得以宽度3mm的电路将电极间连接。与上述实施例同样地照射电子射线，得到导体电路。
对于得到的导体电路进行以下评价。
内部应力根据上述本发明的内部应力的测定方法，测定硬化覆膜的内部应力。用激光变位测定器测定弯曲的曲率半径。
玻璃化温度根据上述本发明的玻璃化温度的测定方法，测定硬化物的玻璃化温度。作为动态粘弹性测定装置，使用アテイ-计测制御(株)制[DVA-200]。
体积电阻系数
在4个铜电极以20mm的间隔并列的透明环氧基片上，用丝网印刷版(丝网网目#230、线径23μm)印刷，使得以宽度3mm的电路将电极间连接。对其用电子射线照射硬化后，用四探针电阻测定器测定电极间的电阻值。用膜厚测定器测定电路厚度，由得到的电阻值、电极间距离、电路宽度、电路厚度算出体积电阻系数。
密合性在聚酯合金系薄膜上，在实施例1～6和比较例1～4中用边缘涂料器、在实施例7～12和比较例5～9中涂覆导电糊，使得用丝网印刷，得到厚度约30μm，接着用电子射线硬化。在硬化覆膜上用切割刀横切，实施玻璃纸带剥离试验。
抗擦伤性在聚酯合金系薄膜上涂覆导电糊，使得用丝网印刷达到目厚度约30μm，接着用电子射线硬化。用指甲刮所得到的硬化覆膜，目视评价其损伤程度。
对基片的影响目视观察所得导体电路的基片的变形、着色、裂纹。
将在实施例和比较例中调制的导电糊的组成及评价结果列于表1～表3。表中的化合物名称如下。
活化高能射线束聚合性化合物BS5756官能尿烷丙烯酸酯(荒川化学社制ビ-ムセツト575)UA-306H6官能尿烷丙烯酸酯(共荣社化学社制)DPHA二季戊四醇六丙烯酸酯BADGDA双酚A二缩水甘油醚二丙烯酸酯HX-6202官能酯丙烯酸酯(日本化药社制)4-HBA4-丙烯酸羟基丁酯
TPGDA三丙二醇二丙烯酸酯2-EtHx丙烯酸2-乙基己酯2-MeOEt丙烯酸(2-甲氧乙基)酯BA丙烯酸正丁酯HEA丙烯酸2-羟基乙酯IBA丙烯酸异冰片酯MA甲基丙烯酸4-EGA四乙二醇二丙烯酸酯HDDA1，6-己二醇二丙烯酸酯NPGDA新戊二醇二丙烯酸酯TMPTA三羟甲基丙烷三丙烯酸酯粘合剂聚合物RV550饱和聚酯树脂(东洋纺社制バイロンRV550，玻璃化温度-16℃，数均分子量25000～30000)BR117热塑性丙烯酸树脂(三菱レ-ヨン社制ダイヤナ-ル BR117，玻璃化温度95℃，数均分子量150000)RV600饱和聚酯树脂(东洋纺社制バイロンRV600，玻璃化温度45℃，数均分子量17000～20000)RV300饱和聚酯树脂(东洋纺社制バイロンRV300，玻璃化温度10℃，数均分子量22000～25000)导电性物质SF-65鳞片状银粉(デゲサジヤパン制，平均粒径2.5μm)AA-0014鳞片状银粉(ケメツト社制，平均粒径2.5 μm)光聚合引发剂Irg9072-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮(チバ·スペシヤリテイ-·ケミカルズ社制)
表1
*因基材变形不能侧定表2
表3
以下，说明关于导体电路基片的制造方法的实施例。
实施例13由卷状薄膜开卷机连续供给卷状的聚酯合金系薄膜基片，将使用含丙烯酸系树脂粘合剂的电子射线硬化银糊，用轮转丝网印刷机进行印刷，如图5所示，得到平均厚度30μm的导体电路10。其后，送入电子射线照射装置，照射加速电压200KV、射线量40kGY的电子射线。
从电子射线照射装置取出的作为天线的导体电路10的电阻是40Ω。以照射部分的各个树脂薄膜基片的输送速度为20m/分、照射区域的长度为40mm照射了0.12秒钟。如比较例10所述，与加热硬化型时的输送速度为1m/分、热风循环炉炉长度为30m相比，尽管输送速度是20倍达20m/分，但也还能使电子照射装置的长度为2m，它只是热风循环炉炉长的1/15，能够大幅度节约装置的空间。
另外，由于电子射线对树脂薄膜基片的照射时间非常短，达0.12秒，所以完全看不出温度上升。结果，在电子射线照射后取出的树脂薄膜基片上，完全看不出弯曲、翘曲和皱纹。对由轮转丝网印刷机印刷的树脂薄膜基片上的定位标记40和作为天线的导体电路10的电极位置的距离间的误差进行测定，误差在0.05mm以下。
然后，将树脂薄膜基片配置在结合装置上，对所印刷的4角定位标记40内的2个进行图像处理，求出各天线导体电路10的电极位置，结合IC芯片。结果判明，各树脂薄膜基片制成非接触式ID卡，都具有通信距离为预定的60mm～80mm的性能。对上述定位标记进行图像处理并对位所需要的时间，只是2个定位标记的识别时间和演算时间，与比较例10中的28秒相比，能够大幅度地缩短为合计4秒。在这里的IC芯片的凸缘上，将金连接凸缘用ACF(各向异性导电薄膜)与其连接，加热5秒使之硬化。
实施例14由卷状薄膜开卷机供给卷状300mm宽的聚酯薄膜基片材料，将使用含丙烯酸系树脂粘合剂的电子射线硬化银糊，用轮转丝网印刷机进行印刷，如图2所示，得到平均厚度20μm的天线导体电路20。其后，在电子射线照射装置中，照射加速电压150KV、射线量20kGY的电子射线。从电子射线照射装置取出的天线导体电路20的电阻是60Ω。电子射线照射装置的各个树脂薄膜基片的输送速度为10m/分、电子射线照射区域长度为40mm、电子射线的照射时间为0.24秒钟。与比较例10中的输送速度为1m/分、热风循环炉炉长为30m相比，尽管将输送速度取为10倍达10m/分，但能够使电子照射装置的长度为2m，只是热风循环炉炉长的1/15，能够大幅度节约装置的空间。
在电子射线照射装置中，树脂薄膜基片的滞留时间与实施例13的0.12秒相比，为其2倍即0.24秒，但即使这样，也完全看不出温度上升。其结果，在电子射线照射后的树脂薄膜基片上，完全看不出弯曲、翘曲和皱纹。
对用轮转丝网印刷机印刷的树脂薄膜基片上的定位标记40和天线导体电路20的电极位置的距离间的误差进行测定，与实施例13同样，误差在0.05mm以下。
然后，与实施例13同样，将电子射线照射后的树脂薄膜基片配置在结合装置上，对所印刷的4角定位标记40内的2个进行图像处理，求出各天线导体电路20的电极位置，结合IC芯片。结果判明，各树脂薄膜基片制成非接触式ID卡，都具有通信距离为预定的100mm～120mm的性能。对上述定位标记进行图像处理并对位所需要的时间，只是2个定位标记的识别时间和演算时间，与比较例10中的28秒相比，能够大幅度地缩短为合计4秒。在这里的IC芯片的凸缘上，将金结合凸缘用含平均4μm导电粒子的环氧树脂系各向异性导电糊与其连接，加热10秒使之硬化。
与以上实施例13和14同样，分别制造的印刷厚度为10μm的导体电路作为实施例15，印刷厚度为50μm的导体电路作为实施例16。
将实施例13～16的电子射线照射条件汇总如下。
印刷厚度加速电压 射线量 照射时间(μm)(KV) (KGY) (秒)实施例13 30200 40 0.12实施例14 20150 20 0.24实施例15 1075 20-800.02-1实施例16 50300 20-800.02-1下面，对在实施例13～16中进行的、在卷状树脂薄膜基片2上印刷电子射线硬化银糊5、用电子射线照射使糊硬化的方法及其装置同时进行详细说明。
如图4所示，作为导体电路形成装置生产线，设置使卷状树脂薄膜基片2保持·开卷的开卷机3，使卷状树脂薄膜基片2开卷，送出到轮转丝网印刷机4。由轮转丝网印刷机4，在卷状树脂薄膜基片上使用电子射线硬化银糊印刷天线导体电路10、20和对位用的4角定位标记40，送到下步工序的电子射线照射装置6。在电子射线照射装置6中，对印刷于卷状树脂薄膜基片上的导体电路10、20和定位标记40的电子射线硬化银糊5照射电子射线7，使电子射线硬化银糊5硬化。接着，将经电子射线硬化银糊5的印刷·硬化处理的基片2送到卷料卷取机8，由卷料卷取机8卷取该基片2，结束一连串的工序。在此期间，为了不对卷状树脂薄膜基片2赋予不适宜的拉伸和压缩力，由后部控制装置9使卷料开卷机3、轮转丝网印刷机4的网眼辊101和电子射线照射装置的驱动辊601同步运转。另外，为了使卷状树脂薄膜基片2平稳通过各工序，尤其在卷料开卷机3、轮转丝网印刷机4、电子射线照射装置6和卷料卷取机8各装置间，设置能吸收松弛的缓冲装置30。
在上述实施例13～16中，分别使用215网目的丝网眼作为网眼辊101，使用丙烯酸酯系聚合化合物和平均粒径2.5μm的银粉构成的糊作为电子射线硬化银糊5。
比较例10在宽300mm的卷状聚酯合金系薄膜基片上，如图5所示，用芯片70mm×95mm作成4×4个导体电路(非接触式ID卡用的天线电路)，用丝网印刷机印刷加热硬化型环氧树脂银糊。同时在4角印刷十字定位标记40。将印刷后的该卷状薄膜基片在热风循环炉中于120℃加热30分钟，冷却后由炉内取出。
所得到的基片在整个面上产生向上弯曲，端部产生翘曲。天线导体电路10，如图1所示，是4圈的，线宽在宽处为0.8mm，在窄处为0.3mm。
在该电路上装置配置了2个凸缘的IC芯片，该凸缘的外形为1.6mm×2.4mm、凸缘径为100μm、凸缘在对角线上的间距为2.8mm。结合必要的精度为±0.2mm。但是，树脂薄膜基片宽度收缩约1mm，各天线导体电路10的图形间的间距Pa、Pb(参照图5)收缩-0.1mm～-0.3mm，此外，定位标记40间的间距Mp最大收缩-1.2mm，而且图示的La收缩约-0.6mm。因此，使用4个在4角印刷的定位标记40与同时用加热硬化型环氧树脂银糊印刷的导体电路进行结合，结果不能在预定位置正确结合。
为避免再度收缩，用未图示的同样装置，在同样材料的卷状树脂薄膜基片的两侧面设基准孔，用定位导销进行试验，但仍然不能在预定位置进行结合。
因而，为了补正因这种收缩造成的位置偏差，必须在各天线导体电路电极的近旁设置一个或一个以上的电极位置定位标记，在每个树脂薄膜基片上进行图像识别定位。结果，在每次对各树脂薄膜基片实施结合时，都格外需要1.5秒～2秒左右的电极位置图像识别定位时间。为了实施16个IC芯片对树脂薄膜基片的结合，就需要28秒的时间。另外，在这16个中还被认为是由于天线导体电路断线、变形产生的5个不合格品，除了已经叙述的内容以外，应该注意的是，在不脱离本发明的新颖且有利的特征的情况下，也可以对上述实施方式加以各种修正或变更。因而，全部这样的修正或变更，被认为是包含在所附的权利要求的范围内。
权利要求
1.一种活化高能射线束硬化型导电糊，它是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，其特征在于，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。
2.按照权利要求1所述的活化高能射线束硬化型导电糊，其特征在于，将上述组合物用加速电压175kV、吸收射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的玻璃化温度为0～200℃。
3.一种导体电路基片的制造方法，其特征在于，包括以下工序(a)用权利要求1或2所述的活化高能射线束硬化型导电糊在基片上形成电路图形的电路图形形成工序，(b)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序。
4.按照权利要求3所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，在上述(b)活化高能射线束照射工序中，照射上述活化高能射线束，使得由活化高能射线束硬化型导电糊除去导电性物质后的组合物的硬化物的内部应力为5～500MPa。
5.按照权利要求3或4所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，在上述(b)活化高能射线束照射工序中，照射上述活化高能射线束，使得由活化高能射线束硬化型导电糊除去导电性物质后的组合物的硬化物的玻璃化温度为0～200℃。
6.按照权利要求3～5中任一项所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，上述活化高能射线束是电子射线。
7.按照权利要求3～6中任一项所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，还包括以下工序(c)对上述照射过活化高能射线束的电路图形进行加热加压处理的加热加压工序。
8.利用按照权利要求3～7中任一项所述的导体电路基片的制造方法制造的导体电路基片。
9.一种导体电路基片的制造方法，其特征在于，包括以下工序(I)将含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，用轮转印刷机印刷到树脂薄膜基片上，以形成电路图形的电路图形形成工序，(II)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序。
10.按照权利要求9所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，上述活化高能射线束是电子射线。
11.按照权利要求9或10所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，上述树脂薄膜基片的热变形温度是150℃以下，在上述(II)活化高能射线束照射工序中，照射75KV～300KV的电子射线0.02秒～1秒钟。
12.按照权利要求9～11中任一项所述的导体电路基片的制造方法，其特征在于，上述导电糊是权利要求1或2所述的活化高能射线束硬化型导电糊。
13.一种导体电路基片制造装置，它具有供给树脂薄膜基片的薄膜开卷机；在所供给的上述树脂薄膜基片上印刷含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊的轮转式印刷机；对经上述印刷形成的电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射装置；和卷取上述照射后的树脂薄膜基片的薄膜卷取机。
14.按照权利要求13所述的导体电路基片制造装置，其特征在于，上述轮转式印刷机是丝网印刷机。
15.按照权利要求13或14所述的导体电路基片制造装置，其特征在于，上述活化高能射线束照射装置是电子射线照射装置。
16.按照权利要求15所述的导体电路基片制造装置，其特征在于，上述电子射线照射装置是区域电子束型电子射线照射装置。
17.一种非接触ID，其特征在于，是将由含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊形成的电路图形和IC芯片装置在基片上而构成。
18.按照权利要求17所述的非接触ID，其特征在于，上述电路图形的干燥膜厚是10～200μm。
19.一种非接触ID的制造方法，其特征在于，包括以下工序(I)将含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，用轮转印刷机印刷到树脂薄膜基片上，以形成电路图形的电路图形形成工序，(II)对上述电路图形照射活化高能射线束的活化高能射线束照射工序，(III)在上述树脂薄膜基片上装置IC芯片的工序。
全文摘要
本发明公开了一种活化高能射线束硬化型导电糊、使用活化高能射线束硬化型导电糊的导体电路的制造方法及其装置，以及使用活化高能射线束硬化型导电糊的非接触式ID及其制造方法。本发明的活化高能射线束硬化型导电糊，是含有导电性物质和活化高能射线束聚合性化合物的导电糊，将由上述导电糊除去上述导电性物质后的组合物，用加速电压150kV、照射射线量40kGy的电子射线硬化时，硬化物的内部应力为5～50MPa。
文档编号C08F2/46GK1404612SQ01805313
公开日2003年3月19日 申请日期2001年2月20日 优先权日2000年2月21日
发明者鹤田洋明, 中村稔, 秋田雅典, 伊藤釭司, 森俊裕 申请人:东洋油墨制造株式会社, 东丽工程株式会社