专利名称：用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于形成硅基绝缘层的组合物、该组合物的制造方法，以及使用该组合物而形成的硅基绝缘层。
背景技术：
随着半导体技术的日益发展，对于形成高度集成、更加快速且具改善性能和更小集成半导体芯片的半导体存储单元正在进行不断的研究。在这些半导体存储单元中，例如，可使用DRAM (动态随机存取存储器)。DRAM能够自由输入和输出信息，并可实现大容量。DRAM例如可包括多个含有一个MOS晶体管(金属氧化物半导体晶体管)和一个电容器的单元(unit cells)。电容器可包括两个电极和设置在两个电极之前的介电层。电容器可以具有不同的电容，这取决于例如介电常数、介电层的厚度、电极面积等。随着半导体芯片的尺寸缩小，其中的电容器的尺寸也应缩小。然而，较小电容器仍然需要足够的存储容量。电容器可通过例如增大垂直面积(而不是减少水平面积)来增大总有效面积 (overall active area),从而实现更大的容量。当以这种方式形成电容器时，可使用一种用于形成硅基绝缘层的组合物来填充模具和其上的间隙(gap)，并有效地形成相比于小的水平面积相对较高的电极。
发明内容
本发明的一种实施方式提供一种用于形成硅基绝缘层的组合物，该组合物包括具有残余氯含量的氢化聚娃氧娃氮烧(氢化聚娃氧氮烧，hydrogenated polysiloxazane)。本发明的另一种实施方式提供一种用于形成硅基绝缘层的组合物的制造方法，该组合物包括具有残余氯含量的氢化聚硅氧硅氮烷。本发明的又一种实施方式提供一种具有少量缺陷的硅基绝缘层。本发明的再一种实施方式提供一种具有少量缺陷的硅基绝缘层的制造方法。根据本发明的另一种实施方式，提供用于形成硅基绝缘层的组合物，其包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括以下化学式I表示的部分和以下化学式2表示的部分，并且氯浓度为Ippm或更低。[化学式I]
权利要求
1.一种用于形成硅基绝缘层的组合物，包括氢化聚硅氧硅氮烷，其包括以下化学式I表示的部分和以下化学式2表示的部分，并且具有Ippm或更低的氯浓度<化学式1> <化学式2>
2.根据权利要求I所述的用于形成硅基绝缘层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧硅氮烷在其末端包括以下化学式3表示的部分，并且具有O. 2 3wt%的氧含量，并且基于Si-H 键的总量以下化学式3表示的部分的量为15 35wt% <化学式3>*-SiH3。
3.根据权利要求I所述的用于形成硅基绝缘层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧硅氮烷的重均分子量为约1000 5000。
4.根据权利要求I所述的用于形成硅基绝缘层的组合物，其中，所述氢化聚硅氧硅氮烷的含量为O. I 50wt%。
5.一种用于形成硅基绝缘层且包括氢化聚硅氧硅氮烷的组合物的制造方法，包括 混合齒代硅烷化合物和溶剂以进行共氨解，从而合成氢化聚硅氧硅氮烷并制备氢化聚硅氧硅氮烷溶液；将所述氢化聚硅氧硅氮烷溶液的溶剂换为非极性溶剂；使溶剂换为所述非极性溶剂的所述氢化聚硅氧硅氮烷溶液在-20 5°C陈化；以及对经陈化的氢化聚硅氧硅氮烷溶液进行过滤，以除去氯化铵。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在通过过滤而除去氯化铵后，所述氢化聚硅氧硅氮烷溶液具有Ippm或更低的氯浓度。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述非极性溶剂为二甲苯。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述陈化进行I 48小时。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，在通过过滤除去氯化铵期间，使用孔径为约O. 01 20 μ m的过滤器。
10.一种硅基绝缘层，其应用根据权利要求I所述的用于形成硅基绝缘层且包括所述氢化聚硅氧硅氮烷的组合物制成，并且具有缺陷数量为1000或更少/8英寸晶片，其中，所述缺陷尺寸为5μπι或更小。
11.一种制造具有低缺陷的硅基绝缘层的方法，包括将根据权利要求I所述的用于形成硅基绝缘层的组合物施加于基板上；干燥其上施加有用于形成硅基绝缘层的所述组合物的所述基板；以及在包括200°C以上的蒸气气氛中对其进行固化。
全文摘要
本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。、如下所示。
文档编号C08G77/54GK102585516SQ20111042539
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月16日 优先权日2011年1月7日
发明者吴正堈, 尹熙灿, 李真旭, 林相学, 裵镇希, 郭泽秀, 金奉焕, 金相均, 韩东一 申请人:第一毛织株式会社