本发明属于电子材料领域，具体涉及一种铜硅复合材料及在电子领域应用。
背景技术：
电子封装材料要求具有导热性能好，热膨胀系数(cte)与半导体材料或al2o3、aln等陶瓷基片材料相匹配，机械强度高和密度低等性能.高体积分数铝基复合材料可以通过调整增强体种类、铝合金成分、两相比例或复合材料的热处理状态，对其热物理和力学性能进行设计，从而满足电子封装应用多方面的性能要求，显示出巨大的开发应用潜力。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种铜硅复合材料及在电子领域应用。
本发明通过下面技术方案实现：
一种铜硅复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注而成。
优选地，所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:7-9:22-29。
优选地，所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:25。
上述铜硅复合材料用作电子封装材料的用途。
本发明技术效果：
本发明提供的硅铝复合材料导热性能优异，健康环保，可以用作电子封装材料。
具体实施方式
下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。
实施例1
一种硅铝复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。
所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:25。
实施例2
一种硅铝复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。
所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:7:22。
实施例3
一种硅铝复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。
所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:9:29。
实施例4
一种硅铝复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。
所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:24。
实施例5
一种硅铝复合材料，由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。
所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:26。
本发明提供的硅铝复合材料导热性能优异，健康环保，可以用作电子封装材料。