技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有双峰泡孔结构的低介电PEN泡沫材料及其制备方法，本发明以纳米SiO2作为异相成核剂，通过间歇式超临界流体发泡方式利用PEN本体均相成核和纳米SiO2粒子异相成核共同作用，获得了具有双峰泡孔结构的PEN泡沫材料。大泡孔可以使材料实现有效的降重，极大的降低材料介电常数，小泡孔可以有效的钝化材料受力断裂过程中的裂纹扩散，吸收更多的能量，从而提供较好的力学性能。同时，本发明对特种工程塑料泡沫材料的发展也具有指导性的意义，在电子材料领域的用途进一步扩展。
技术研发人员：雷雅杰;祁青;贺江平;王宪忠;张风顺;刘涛;戴西洋;余雪江;孙素明
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院化工材料研究所
技术研发日：2019.01.28
技术公布日：2019.05.21