一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法

文档序号:3759074阅读:172来源:国知局
专利名称:一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法
技术领域
本发明涉及一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法,属于发光材料制备技术领域。
背景技术
固态照明是通过半导体发光二极管(LED)制造照明光源的技术,具有绿色环保、耐候性好、理论光效率高、节能、寿命长、色彩丰富、响应速度快、易于微型化和免维护等显著优点,因而被誉为继白炽灯、荧光灯和节能灯之后的新一代光源,有望取代传统照明光源, 具有十分广阔的应用前景。基于目前LED技术发展和生产成本,白光LED获得的途径主要采用近紫外或蓝光LED单芯片配合三基色荧光粉进行光转换的方法来实现,是目前半导体固态照明工程的发展主体。荧光粉材料是影响白光LED发光效率、发光强度、使用寿命、显色指数、灯光色温等光源主要指标的关键材料之一。
针对已商业化的三基色荧光粉存在的普遍问题,人们开发出了单基质全色荧光粉,但随着研究的深入和广泛的应用,人们发现单基质全色荧光粉存在以下问题(1).全色荧光粉主要集中在紫外或近紫外LED激发型,而蓝光LED激发型相对比较匮乏,与当前蓝光LED芯片为主流的趋势不符;(2).荧光粉激发光谱与LED发射光谱不能很好的匹配,从而导致光转化效率低、光损耗大、直接影响白光LED的光强;(3).三基色的峰强度比不合适,存在红色成分缺乏或不足等现象,影响白光LED的显色指数,达不到照明的要求;(4). 量子效率和发光强度提升空间偏低,为了弥补这些不足之处,国内外采用的方法是下述三种
(I).提高活性中心离子浓度;
(2).共掺杂在近紫外区或蓝光区具有比较强的吸收的敏化剂离子,比如Tb3+、 Sm3+、Dy3+、Ce3+、Bi3+ 等;
(3).根据晶体场理论,通过阳离子或者阴离子多元掺杂形成固溶体改变活性中心离子周围的晶场环境来达到宽化其吸收带、加强荧光粉在近紫外或蓝光区吸收。
这些方法可以提高荧光粉量子效率和发光强度,但其提升空间仍然有限,究其根本原因是因为目前全色荧光粉的基质多为微米级颗粒,本身不发光,对改善发光性能的作用小,同时受猝灭浓度低的影响,导致荧光粉的量子效率和发光强度可改善的空间较小。于是人们开始大力研究纳米尺寸的全色荧光粉及其制备方法,大量研究表明,相对于体相材料,纳米尺寸的材料具有优异的光学性能,其发光性能可以通过控制纳米材料的尺度和缺陷浓度来调节。作为发光材料基质,发现其发光效率、荧光强度、猝灭浓度、荧光寿命和辐射跃迁速率等都有显著的提高。纳米材料大量缺陷的形成能与活性中心离子之间能够形成能量传递,从而使纳米基质与活性中心离子之间形成能量传递,使其为荧光粉的发光做出贡献,但同时也发现这些缺陷在成为辐射中心的`同时,也充当了无辐射跃迁的通道,提高了纳米颗粒的无辐射跃迁速率,降低了零维纳米颗粒中稀土离子的电子跃迁速率和量子效率。 目前,纳米基质荧光粉的研究主要集中在纳米颗粒方面,研究观察到了发光效率提高、荧光增强,以及在纳米晶中稀土离子的猝灭浓度比体相材料提高等现象,但同时也发现无辐射跃迁提高得比较显著,导致量子效率降低。其主要原因是纳米颗粒是三个维度上的受限体系,对其表面存在大量的表面缺陷难以有效控制。适当的制备方法为控制纳米材料表面缺陷提供了可能。
传统全色荧光粉普遍采用高温固相法,此方法存在掺杂浓度低、掺杂均匀性和颗粒尺寸均匀性差、烧结温度高、能耗大、成本较高、难以形成纳米级基质等缺陷。微/纳米颗粒三基色荧光粉的制备一般采用溶胶-凝胶法,虽然溶胶-凝胶法具有(a)操作温度低; (b)易于准确控制掺杂量;(C)能避免实验中杂质的引入,保持样品的纯度;(d)前驱液在低温下混合,能在分子水平上达到高度的均匀性等优点,但是也存在下述不足(a)整个溶胶一凝胶过程所需时间较长,常需要几天或几周;(b)最终产品的获得还需要煅烧过程才能获得,增加了生产周期和成本;(C)凝胶中存在大量微孔,在煅烧过程中又将会逸出许多气体及有机物等有害气体,并产生收缩和团聚,煅烧后颗粒长大,烧结性能差。(d)所制得的荧光粉为颗粒状,表面缺陷难以控制。而水热法是近年来发展起来的用于制备一维纳米材料的新方法,具有(a)操作简便;(b)原料转化充分;(C)能够形成特殊的高温高压环境, 使通常难溶或不溶的物质溶解并进行重结晶等特点,通过控制原材料摩尔比,反应温度,反应时间和填充度等条件能够很方便的大规模合成直径分布均匀的一维纳米材料,但目前采用水热法制备荧光粉的研究比较少,主要是因为水热法一般是在高温高压下进行的,对设备要求也就相对较高,技术难度大,安全性能差。
目前采用溶胶-水热法制备一维纳米荧光粉未见报道。发明内容
针对现有全色荧光粉的制备方法存在的不足,本发明提供了一种制备工艺简单、 安全可控、制备温度低、能耗低、各组分可在分子水平上混合均匀且各组分含量可以精确控制的一维全色纳米荧光粉的制备方法。本发明所制备的一维全色纳米荧光粉具有可被近紫外和蓝光有效激发、发射强度高,物相均匀、化学及热稳定性好、抗老化性能高、无毒、无辐射等优点。
本发明一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法,包括下述步骤
第一步配料
一维全色纳米荧光粉化学通式(一)为R(1_a_b)GewOu :aEu3+,bTb3+,其中, O. 001 ^ a ^ O. 5,0. 001≤ b ≤ O. 5,0. 001 ≤ a+b ≤O. 5,0. 33 v w ≤ 4,1. 6 ≤ u ≤ 9 ;R 选自Ca、Sr、Ba中的一种;
按所述化学通式(一)确定的一维全色纳米荧光粉各组份摩尔配比,分别取各组分,或
一维全色纳米荧光粉化学通式(二)为MzR(1_x_y_z)GewOu: xEu3+,yTb3+,其中,0.001 ≤ X ≤ O. 5,0. 001 ≤ O. 5,0. 001 ≤ O. 5,0. 001≤ x+y+z ≤ O. 5,O. 33 v w ≤ 4,1.6≤ u ≤ 9 ;所述R选自Ca、Sr、Ba中的一种;所述M选自L1、Na、K中至少一种;
’按所述化学通式(二)确定的一维全色纳米荧光粉各组份摩尔配比,分别取各组分;
所述M由L1、Na、K的碳酸盐、醋酸盐、氧化物、碱中的至少一种提供;R由Ca、Sr、 Ba的醋酸盐、氢氧化物、氧化物中的一种提供;锗由氧化锗或锗酸钠提供;铕由氧化铕、硝酸铕、醋酸铕中的一种提供;铽由氧化铽、硝酸铽、醋酸铽中的一种提供;
第二步溶胶-水热法制备一维全色纳米荧光粉
将第一步所取配料加入去离子水中并进行超声波处理30_60min后,移入反应釜中,加入去离子水使反应釜填充度达60-85%,在100-200°C温度条件下保温1_48小时后, 自然冷却,过滤,取滤渣在60-90°C空气条件下进行干燥,即得到一维全色纳米荧光粉。
本发明一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法,所述一维全色纳米荧光粉的直径分布范围为10-80nm,长度为30-1000微米。
本发明一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法,所制备的一维全色纳米荧光粉,可以被波长为350-415nm的近紫外光或波长为450_490nm的蓝光有效激发,在近紫外线激发下可同时发射出强度比例可调的红、橙、绿、蓝-绿、蓝五种颜色的光, 在蓝光激发下可同时发射出强度比例可调的红、橙、绿三种颜色的光。
本发明的有益效果简述于下
本发明采用溶胶-水热法来制备一维全色纳米荧光粉,此方法综合了溶胶-凝胶和水热法两者的优点。由于不需陈化和烧结,大大缩短了制备周期和提高了产品的质量,同时由于水热反应的温度为100-200°C,这在提高产品质量的同时,既能保证安全生产,又能降低能耗和对设备的要求,从而达到最大限度的降低生产成本的目的。
在制备工艺方面,本发明采用的溶胶-水热法实现了一维纳米材料的制备和稀土离子在分子水平上对此一维纳米材料进行高度均匀掺杂,保障了掺杂离子摩尔比的准确控制,物相的均匀性和高的掺杂浓度,整合了一维纳米材料发光基质和活性中心离子对荧光粉发光的贡献,从而提高发光效率、增强发光强度。
在组份方面1.所有选择的原材料都是无毒、无辐射的材料,保障了制备的一维全色纳米荧光粉也是无毒、无辐射的绿色环保荧光材料;2.选择钙、锶、钡等锗酸盐作为基质,具有物理和化学性能和热稳定等特点,另外一维锗酸盐是在酸碱环境中合成的,具有抗酸碱能力,且钙、锶、钡等离子半径较稀土离子半径大,易于形成置换掺杂,从而提高掺杂浓度;3.由于Eu3+和Tb3+是一对电子组态具有共轭性的稀土离子,且都是在近紫外区或蓝光区具有比较强的吸收的稀土离子,共掺于基质中时,两者之间会发生电子转移,产生下列平衡Eu3+ (4f6) +Tb3+ (4f8) =Eu2+ (4f7) +Tb4+ (4f7)。Tb3+不仅能够进行特征发射,提高绿光发光比例而且吸收后能有效地以无辐射传递方式将吸收的部分能量传递给了 Eu3+,对Eu3+起到敏化剂的作用,同时纳米基质也能将缺陷形成能传递给Eu3+JtEu3+也起到敏化作用,从而使 Eu3+的5Dtl — 7F1跃迁发射大大增强,有利于改善荧光粉的激发宽度和发光强度,提高显色性能,实现被近紫外和蓝光有效激发;4.选择L1、Na、K等进行多元掺杂,一方面起到电荷补充作用,另一方面提高固溶度,进一步改变晶体场,从而提高量子效率和发光强度。
由于一维纳米材料是在两个维度上的受限体系,对其表面存在的大量缺陷相对于三维受限体系的纳米颗粒更易控制,所以以本发明制备的一维纳米材料作为荧光粉的基质,更有利于量子效率、发光效率和发光强度等提高。
综上所述本发明具有合成工艺简单、安全可控、制备温度低、能耗低、各组分可在分子水平上混合均匀且各组分含量可以精确控制等优点,这些优点使该方法具有大规模工业化生产的能力。本发明采用溶胶-水热法制备的一维全色纳米荧光粉,可被近紫外和 蓝光有效激发、发射强度高,物相均匀、化学及热稳定性好、抗老化性能高、无毒、无辐射等 优点,本发明制备的一维全色纳米荧光粉解决现有全色荧光粉普遍存在的问题,具有广泛 的应用前景。


附图1为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉的XRD图;附图2 (a)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉的低倍SEM图;附图2 (b)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉的高倍SEM图;附图3 (a)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉的TEM图;附图3 (b)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉的HRTEM图;附图4 (a)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在检测波长为613nm条件下 的激发光谱;附图4 (b)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在检测波长为543nm条件下 的激发光谱;附图4 (c)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为370nm条件下 的发射光谱;附图4 (d)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为485nm条件下 的发射光谱;附图4 (e)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为370nm条件下 发射光谱的CIE1931色坐标图;附图4 (f)为实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为485nm条件下 发射光谱的CIE1931色坐标图。从图1可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉的结晶性能良好。从图2 (a)可以看出制备的全色纳米荧光粉为一维线状荧光粉,直径为10-80nm, 长度为30-1000微米;从图2 (b)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉表面光滑,直径均匀。从图3 (a)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉直径分布均匀,表面光滑;从图3 (b)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉晶格完美,说明形成了均匀 掺杂。从图4 (a)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉在检测波长为613nm时,激 发光谱存在320-420nm、450-500nm和520_550nm三个激发带,表明制备的荧光粉能够被近 紫外和蓝光有效激发;从图4 (b)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉在检测波长为543nm时,激 发光谱存在300-400nm、450-500nm两个激发带,也表明制备的荧光粉能够被近紫外和蓝光 有效激发;从图4 (c)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为370nm时,发 射光谱中出现390-470nm蓝-紫光发射带和488nm蓝-绿、543nm绿、590nm橙、613nm红四 种强发射光,以及649和695nm两种弱红色发射光,表明制备的一维线状荧光粉在近紫外激发下能够发出全色光;
从图4 Cd)可以看出制备的一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为486nm时,发射光谱中出现543nm绿、590nm橙、613nm红三种强光,以及649和695nm两种弱红色光,表明制备的一维线状荧光粉在蓝光激发下也能够发出全色光;
从附图4(e)可以看出实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为370nm 条件下发射光谱的CIE1931色坐标为(O. 356,O. 305)与白光标准色坐标(O. 33,O. 33)非常接近,表明在近紫外激发下可以实现白光发射;
从附图4(f)可以看出实施例1所制一维线状全色纳米荧光粉在激发波长为485nm 条件下发射光谱的CIE1931色坐标为(O. 334,O. 489)与白光标准色坐标(O. 33,O. 33)也非常接近,表明在蓝光激发下也可能实现白光发射。
具体实施方式
实施例1.将1. 046g Ge02、0. 3976g Ca0、0. 8018g 四水合醋酸铕、0. 453g 六水合硝酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理60min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例2.将1. 046g Ge02、0. 3976g Ca0、0. 8018g 四水合醋酸铕、0. 453g 六水合硝酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理45min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在100°C温度条件下保温48小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在45°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例3.将1. 046g Ge02、0. 3976g Ca0、0. 8018 四水合 g 醋酸铕、0. 453g 六水合硝酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理30min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在160°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在60°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例4.将1.046g Ge02、1. 6103gl/2水合醋酸锶、O. 8018g四水合醋酸铕、O.2265g六水合硝酸铺与140ml去离子水混合,进行超声波处理60min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在80°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例5.将1. 046g GeO 2U. 3213g 二水合醋酸钙、O. 4009g四水合醋酸铕、O. 679g 六水合硝酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理30min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温48小时。反应完成后,自然冷却至室温。 取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例6.将L 046g Ge02、L 0735gl/2水合醋酸锶、L 6036g四水合醋酸铕、O.4530g六水合硝酸铺与150ml去离子水混合,进行超声波处理40min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温48小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在70°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达300-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例7.将1. 046g Ge02、0. 5186g Ca(0H)2、0. 7036g 氧化铕、0. 747g 七氧化四铽与170ml去离子水混合,进行超声波处理50min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温48小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在70°C 干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例8.将1. 046g Ge02、0. 5186g Ca(0H)2、0. 1020g 二水合醋酸锂、0. 446g 六水合硝酸铕、O. 747g七氧化四铽与170ml去离子水混合,进行超声波处理30min后,移入 200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在60°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达 30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例9.将1. 046g Ge02、0. 9965g 氧化钡、O. 0510g 二水合醋酸锂、O. 8018g 四水合醋酸铕、O. 453g六水合硝酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理50min后,移 Λ 200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在60°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达 30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例10.将1. 046g Ge02、0. 3645g Ca0、0. 02g 氢氧化钠、0. 7038g 三氧化二铕、O.453g六水合硝酸铺与120ml去离子水混合,进行超声波处理40min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温I小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例11.将1. 046g Ge02、0. 9965g氧化钡、O. 02g氢氧化钠、O. 8018g四水合醋酸铕、O. 453g六水合硝酸铺与120ml去离子水混合,进行超声波处理30min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在70°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例12.将1. 046g GeO2U. 4652g醋酸钡、O. 074g碳酸钾O. 8018g四水合醋酸铕、O. 453g六水合硝酸铺与120ml去离子水混合,进行超声波处理50min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例13.将1. 666g Na2Ge03、0. 2804g CaO,1. 6036g 四水合醋酸铕、0. 3899g三水合醋酸铽与120ml去离子水混合,进行超声波处理60min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在200°C温度条件下保温24小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为10-80nm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
实施例14.将1. 666g Na2GeO3U. 0735gl/2水合醋酸锶、 1. 6036g四水合醋酸铕、O.4530g六水合硝酸铺与120ml去离子水混合,进行超声波处理30min后,移入200ml的聚四氟乙烯反应釜中,置于加热炉中,在100°C温度条件下保温48小时。反应完成后,自然冷却至室温。取出在90°C干燥箱中干燥即得到直径为IO-SOnm左右,长度达30-1000微米的一维线状全色纳米荧光粉。
上述实施例仅为本发明的部分实施方式,不是全部或唯一的实施方式。上述实施例制备的一维全色纳米荧光粉的发光性能均采用F-4500荧光光度计,白光LED荧光粉测试系统SPR-960、量子效率产率测量仪QE-1000、CIE1913色坐标计算软件等对其激发光谱、发 射光谱、荧光光度、色度参数、量子效率、色坐标进行表征。
权利要求
1.一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法,其特征在于包括下述步骤第一步配料一维全色纳米荧光粉化学通式(一)为R(1_a_b)GewOu:aEu3+,bTb3+,其中,O. 001≤a≤O. 5, O. 001 ≤ b ≤ O. 5,0. 001 ( a+b ( O. 5,0. 33 ≤ w ≤ 4,1. 6 ≤u≤ 9;R 选自 Ca、Sr、Ba 中的一种;按所述化学通式(一)确定的一维全色纳米荧光粉各组份摩尔配比,分别取各组分,或一维全色纳米荧光粉化学通式(二)为MzR(1_x_y_z)GewOu:xEu3+,yTb3+,其中,0.001 ^ X ^ O. 5,0. 001 ^ O. 5,0. 001 ^ O. 5,0. 001 ^ x+y+z≤ O. 5,O. 33 ≤ w ≤ 4,1.6 ^ u ^ 9 ;所述R选自Ca、Sr、Ba中的一种;所述M选自L1、Na、K中至少一种;,按所述化学通式(二)确定的一维全色纳米荧光粉各组份摩尔配比,分别取各组分; 所述M由L1、Na、K的碳酸盐、醋酸盐、氧化物、碱中的至少一种提供;R由Ca、Sr、Ba的醋酸盐、氢氧化物、氧化物中的一种提供;锗由氧化锗或锗酸钠提供;铕由氧化铕、硝酸铕、 醋酸铕中的一种提供;铽由氧化铽、硝酸铽、醋酸铽中的一种提供;第二步溶胶-水热法制备一维全色纳米荧光粉将第一步所取配料加入去离子水中并进行超声波处理30-60min后,移入反应釜中,加入去离子水使反应釜填充度达60-85%,在100-200°C温度条件下保温1_48小时后,自然冷却,过滤,取滤渣在60-90°C空气条件下进行干燥,即得到一维全色纳米荧光粉。
2.根据权利要求1所述的一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法, 其特征在于所制备的一维全色纳米荧光粉的直径分布范围为10-80nm,长度为30-1000微米。
3.根据权利要求2所述的一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法, 其特征在于所制备的一维全色纳米荧光粉,可以被波长为350-415nm的近紫外光或波长为450-490nm的蓝光有效激发。
全文摘要
本发明提供了一种蓝光和近紫外激发型一维全色纳米荧光粉的制备方法;属于发光材料制备技术领域。本发明通过按全色纳米荧光粉的化学通式R(1-a-b)GewOu:aEu3+,bTb3+或MzR(1-x-y-z)GewOu:xEu3+,yTb3+确定的化学摩尔组份配比,配取各种原料,其中R为Ca、Sr、Ba中的一种;M选自Li、Na、K中至少一种,再将所取原料加入水中并超声波处理30-60min后,移入反应釜中,控制反应釜的填充度为60-85%,在100-200℃下保温1-48小时后冷却,过滤,滤渣在60-90℃下干燥,即得到一维全色纳米荧光粉。本发明制备工艺简单、安全可控、制备温度低、能耗低、各组分分布均匀,适于工业化生产。
文档编号C09K11/66GK103059847SQ201310017389
公开日2013年4月24日 申请日期2013年1月17日 优先权日2013年1月17日
发明者林良武, 江垚, 贺跃辉 申请人:中南大学
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