发光材料和量子点薄膜及其制备方法与流程

[0001]
本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光材料和量子点薄膜及其制备方法。


背景技术：

[0002]
量子点又称为半导体纳米晶，是指粒径小于多接近激子波尔半径的半导体纳米材料，其元素组成一般为ii-vi族或iii-v族元素。具有制备简单、尺寸可控、半峰宽窄、发光效率高和良好的低温溶液制膜等优点，从而表现为优异的光学性能，在光电器件、生物成像、荧光标记等领域具有广阔的应用前景。尤其表现在光电器件领域，例如：以ii-vi族为代表的合金化红绿qled器件的效率和寿命指标已趋于商业化应用，这为推动量子点在显示领域中的广泛应用迈出了最为坚实的一步。
[0003]
经过三十年多年的研究和发展，量子点的合成方法已趋于成熟。高质量的量子点合成方法通常是在有机相中完成的，这些有机相多为长链配体，如：油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷等。这些长链配体的存在不仅可以控制量子点的成核与生长过程；同时，还可以防止相邻量子点间发生团聚，提高其在不同溶剂中的溶解性和分散性。然而，长链配体间由于具有较大空间位阻，量子点表面容易产生大量未配位的悬挂键。而且，量子点溶液制备成薄膜后，由于薄膜中相邻量子点之间的长链有机配体的导电性能较差，量子点被光或电致激发后产生的载流子无法在量子点之间进行有效地传输，极大抑制了器件的光电流密度，导致器件的发光效率和使用寿命不高。因此，现有技术有待改进。


技术实现要素：

[0004]
本发明的目的在于提供一种发光材料和量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点表面容易产生悬挂键，且量子点成膜后的导电性能不高的技术问题。
[0005]
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
[0006]
本发明一方面提供一种发光材料，所述发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢。
[0007]
本发明提供的发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺，一方面卤代芳香胺中存在的卤负离子可以有效地与量子点表面的阳离子缺陷态结合，同时铵正离子可以与量子点表面的阴离子态缺陷结合，从而减少量子点表面的悬挂键，实现量子点表面的完美包覆，如此提高其荧光效率。另一方面，量子点表面卤代芳香胺配体具有π-共轭的配体，可以显著提高其导电性能。
[0008]
相应地，一种发光材料的制备方法，包括如下步骤：
[0009]
提供油溶性量子点溶液和卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢；
[0010]
将所述卤代芳香胺与油溶性量子点溶液混合，进行配体交换反应，得到所述发光
材料。
[0011]
本发明提供的发光材料的制备方法，将卤代芳香胺与油溶性量子点溶液中的量子点进行配体交换反应得到，该方法具有操作简单、有效、同时对量子点原有光学性能无损害的特点，最终得到的发光材料用于量子点发光二极管时，在提高其导电性能的前提下，可以有效地有效避免量子点受外界的影响，提高自身的稳定性，从而进一步提高器件的发光效率和使用寿命。
[0012]
本发明另一方面提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜含有相互交联的发光材料，所述发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢。
[0013]
本发明的量子点薄膜含有相互交联的发光材料，所述发光材料中，含有不饱和链烃基的卤代芳香胺配体可以进行原位聚合反应而相互交联，这样形成的量子点薄膜具有稳定性好、发光效率高和导电性高的特点，用于量子点发光二极管时，由于其具有大的π键，在提高其导电性能的前提下，可以有效地有效避免量子点受外界的影响，提高自身的稳定性，从而进一步提高器件的效率和使用寿命。
[0014]
相应地，一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0015]
提供基板；
[0016]
将量子点溶液沉积在所述基板上，得到初始量子点薄膜；其中，所述量子点溶液中的量子点表面结合有卤代芳香胺，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢；
[0017]
将含有不饱和链烃基的光聚合单体和引发剂沉积在所述初始量子点薄膜上，进行原位聚合反应，得到量子点薄膜。
[0018]
本发明提供的量子点薄膜的制备方法操作简单、有效、同时对量子点原有光学性能无损害的特点，这样的量子点薄膜具有稳定性好、发光效率高和导电性高的特点，用于量子点发光二极管时可以提高器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
[0019]
图1为本发明实施例的发光材料的制备方法的流程示意图；
[0020]
图2为本发明实施例的量子点薄膜的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0021]
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0022]
一方面，本发明实施例提供了一种发光材料，所述发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢。
[0023]
本发明实施例提供的发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺，一方面卤代芳香胺中存在的卤负离子可以有效地与量子点表面的阳离子缺陷态结合，同时铵正离子可以与量子点表面的阴离子态缺陷结合，从而减少量子点表面的悬挂键，实
现量子点表面的完美包覆，如此提高其荧光效率。另一方面，量子点表面卤代芳香胺配体具有π-共轭的配体，可以显著提高其导电性能。
[0024]
本发明实施例提供的发光材料中，卤代芳香胺中含有不饱和链烃基即可以理解为碳-碳不饱和键，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢，即形成铵，因此该卤代芳香胺可以理解为含碳-碳不饱和键的芳香卤化铵。该卤代芳香胺中，所述卤代芳香胺选自卤代2-乙烯基苯胺、卤代3-乙烯基苯胺、卤代4-乙烯基苯胺、卤代2-异丙烯苯基苯胺、卤代4-[n-(甲基氨基乙基)氨甲基]苯乙烯、卤代2-烯丙氧基-苯基胺和卤代3，5-二甲氧基-4-(烯丙氧基)苯乙胺中的至少一种；所述卤代芳香胺中的卤元素选自f、cl、br和i中的至少一种。
[0025]
相应地，一种发光材料的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
[0026]
s01:提供油溶性量子点溶液和卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢；
[0027]
s02:将所述卤代芳香胺与油溶性量子点溶液混合，进行配体交换反应，得到所述发光材料。
[0028]
本发明实施例提供的发光材料的制备方法，将卤代芳香胺与油溶性量子点溶液中的量子点进行配体交换反应得到，该方法具有操作简单、有效、同时对量子点原有光学性能无损害的特点，最终得到的发光材料用于量子点发光二极管时，在提高其导电性能的前提下，可以有效地有效避免量子点受外界的影响，提高自身的稳定性，从而进一步提高器件的发光效率和使用寿命。
[0029]
在一实施例中，在惰性气氛条件下进行所述配体交换反应；所述配体交换反应的温度为80～250℃；所述配体交换反应的时间为1～24h。在一实施例中，按所述卤代芳香胺与量子点的质量比为0.1～5:1，进行所述配体交换反应。在一实施例中，将所述卤代芳香胺与油溶性量子点溶液混合，在非配位溶剂条件下进行配体交换反应。其中，所述非配位溶剂选自烯烃、烷烃、醚烃和芳香族化合物中的至少一种；所述油溶性量子点溶液中的溶剂选自氯仿、四氢呋喃、氯苯、乙腈、环己烷和甲苯中的至少一种；和在一实施例中，所述非配位溶剂与所述油溶性量子点溶液中的溶剂的体积比为1～20:1。油溶性量子点溶液中量子点的质量浓度为1～100mg/ml。
[0030]
待完成配体交换后，将产物进行沉淀、离心分离和干燥，即可得到发光材料：接枝目标配体(即卤代芳香胺)的量子点。量子点包括ii-vi族的cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte；cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes；cdznses、cdznsete、cdznste；或iii-v族的inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp；inasp；innp、innsb、gaalnp、inalnp、或i-iii-vi2族的cuins2、cuinse2、agins2中以上任意一种或多种的组合。
[0031]
在一实施例中，所述卤代芳香胺的制备方法包括：将芳香胺和卤化物溶于醇类溶剂中，在0-4℃条件下进行取代反应；其中，所述芳香胺中含有不饱和链烃基。其中，所述芳香胺选自2-乙烯基苯胺、3-乙烯基苯胺、4-乙烯基苯胺、2-异丙烯苯基苯胺、4-[n-(甲基氨基乙基)氨甲基]苯乙烯、2-烯丙氧基-苯基胺和3，5-二甲氧基-4-(烯丙氧基)苯乙胺中的至少一种；所述卤化物选自hf、nh4f、hcl、nh4cl、hbr、nh4br、lif、kf、naf、bef2、mgf2、caf2、alf3、inf3、licl、nacl、mgcl2、cacl2、zncl2、alcl3、gacl3、incl3、libr、nabr、mgbr2、cabr2、znbr2、albr3、gabr3、inbr3、lii、nai、mgi2、cai2、zni2、albr3、gai3和ini3中的至少一种；所述醇类溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇和异丙醇中的至少一种。
[0032]
在一实施例中，卤代芳香胺配体前驱物的制备如下：
[0033]
(1)将芳香胺和醇类置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的卤化物，并于该温度下反应1～4h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0034]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0035]
本发明实施例另一方面提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜含有相互交联的发光材料，所述发光材料包括量子点和结合在所述量子点表面的卤代芳香胺；其中，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢。
[0036]
本发明实施例的量子点薄膜含有相互交联的发光材料，所述发光材料中，含有不饱和链烃基的卤代芳香胺配体可以进行原位聚合反应而相互交联，由含有本发明特有的发光材料的原料经原位聚合交联形成的量子点薄膜具有稳定性好、发光效率高和导电性高的特点，用于量子点发光二极管时，由于其具有大的π键，在提高其导电性能的前提下，可以有效地有效避免量子点受外界的影响，提高自身的稳定性，从而进一步提高器件的效率和使用寿命。
[0037]
相应地，一种量子点薄膜的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：
[0038]
e01:提供基板；
[0039]
e02:将量子点溶液沉积在所述基板上，得到初始量子点薄膜；其中，所述量子点溶液中的量子点表面结合有卤代芳香胺，所述卤代芳香胺中含有不饱和链烃基，所述卤代芳香胺中的卤元素取代胺基上的氢；
[0040]
e03:将含有不饱和链烃基的光聚合单体和引发剂沉积在所述初始量子点薄膜上，进行原位聚合反应，得到量子点薄膜。
[0041]
本发明实施例提供的量子点薄膜的制备方法操作简单、有效、同时对量子点原有光学性能无损害的特点，这样的量子点薄膜具有稳定性好、发光效率高和导电性高的特点，用于量子点发光二极管时可以提高器件的发光效率和使用寿命。
[0042]
具体地，所述光聚合单体选自苯乙烯、2-乙烯基苯胺、3-乙烯基苯胺、4-乙烯基苯胺、2-异丙烯苯基苯胺、4-[n-(甲基氨基乙基)氨甲基]苯乙烯、2-烯丙氧基-苯基胺和3，5-二甲氧基-4-(烯丙氧基)苯乙胺中的至少一种；所述引发剂选自二苯甲酮、羟基二苯甲酮、苄基二甲基缩酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚和安息香异丁基醚中的至少一种。所述光聚合单体与所述量子点的质量比为0.1～10:1；所述引发剂与量子点的质量比为0.01～1:1。
[0043]
本发明实施例还提供一种qled器件，含有本发明实施例的上述量子点薄膜。在一实施例中，所述qled器件为正型qled器件，从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极。
[0044]
qled器件具体制备过程包括：
[0045]
采用非极性溶剂对配体交换后的量子点进行溶解，形成量子点溶液。然后再空穴传输层上沉淀量子点发光层。接着加入一定量的碳-碳不饱和键的能光聚合的单体和引发剂，然后采用乙酸甲酯或乙酸乙酯清洗。接着继续进行电子传输层和顶电极制备。
[0046]
衬底包括钢性、柔性衬底。
[0047]
底电极包括al、cu、mo、au、ag、或它们的合金
[0048]
空穴注入层包括peodt：pss、woo3、moo3、hatcn、nio、hatcn、cus cuo、v2o5等。
[0049]
空穴传输层可以是小分子有机物，也可以是高分子导电聚合物，包括tfb、pvk、poly-tbp、poly-tpd、、npb、tcta、tapc、cbp、peodt：pss、moo3、woo3、nio、cuo、v2o5、cus等。
[0050]
电子传输层包括zno、zro、tio2、alq3、taz、tpbi、pbd、bcp、bphen的一种或多种。
[0051]
顶电极包括ito、fto或zto。
[0052]
所述底电极的厚度为30～110nm；所述空穴注入层的厚度为30～100nm；空穴传输层的厚度为30～100nm；所述量子点发光层的厚度为30～100nm；所述电子传输层的厚度为10～100nm；所述顶电极的厚度为90～110nm；
[0053]
碳-碳不饱和键的光聚合单体包括苯乙烯、2-乙烯基苯胺、3-乙烯基苯胺、4-乙烯基苯胺、2-异丙烯苯基苯胺、4-[n-(甲基氨基乙基)氨甲基]苯乙烯、2-烯丙氧基-苯基胺、3，5-二甲氧基-4-(烯丙氧基)苯乙胺、及其组合
[0054]
光引发剂包括二苯甲酮、羟基二苯甲酮、苄基二甲基缩酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、安息香异丁基醚。
[0055]
碳-碳不饱和键的光聚合单体与量子点的质量比为0.1～10:1，光引发剂与量子点的质量比为0.01～1:1。
[0056]
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
[0057]
实施例1
[0058]
1.卤代芳香胺配体前驱物的制备：
[0059]
(1)将1g 4-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化氢水溶液(48％)，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0060]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0061]
2.量子点配体交换：
[0062]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdzns/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述卤代芳香胺配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0063]
3.qled器件制备：
[0064]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为tfb，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0065]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0066]
实施例2
[0067]
1.卤代芳香胺前驱物的制备：
[0068]
(1)将1g 4-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化氢水溶液(48％)，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进
行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0069]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0070]
2.量子点配体交换：
[0071]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdznse/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述卤代芳香胺配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0072]
3.qled器件制备：
[0073]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为tfb，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0074]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0075]
实施例3
[0076]
1.卤代芳香胺配体前驱物的制备：
[0077]
(1)将1g 3-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化氢水溶液(48％)，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0078]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0079]
2.量子点配体交换：
[0080]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdzns/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述不饱和芳香卤化铵配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0081]
3.qled器件制备：
[0082]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为tfb，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0083]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0084]
实施例4
[0085]
1.卤代芳香胺配体前驱物的制备：
[0086]
(1)将1g 3-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化氢水溶液(48％)，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0087]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0088]
2.量子点配体交换：
[0089]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdznse/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述卤代芳香胺配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0090]
3.qled器件制备：
[0091]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为tfb，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0092]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0093]
实施例5
[0094]
1.卤代芳香胺配体前驱物的制备：
[0095]
(1)将1g 4-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化钾溶液，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0096]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0097]
2.量子点配体交换：
[0098]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdzns/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述卤代芳香胺配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0099]
3.qled器件制备：
[0100]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为pvk，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0101]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0102]
实施例6
[0103]
1.卤代芳香胺配体前驱物的制备：
[0104]
(1)将1g 4-乙烯基苯胺和20ml乙醇置于三口烧瓶中。在0℃下搅拌，然后加入等摩尔量的溴化钾溶液，并于该温度下反应1h。待反应结束后，产物通过乙醇和乙醚进行溶解和沉淀，最终得到卤代芳香胺配体。
[0105]
(2)将卤代芳香胺配体溶解在乙酸甲酯中，得到卤代芳香胺配体前驱物。
[0106]
2.量子点配体交换：
[0107]
(1)提供10ml浓度为20mg/ml的cdznse/zns量子点溶液(溶剂为正辛烷)。然后将上述卤代芳香胺配体前驱物和50ml十八烯混合，并于100℃，氩气气氛下反应30min。最终产物通过离心分离得到配体交换后的量子点。
[0108]
3.qled器件制备：
[0109]
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，所述衬底为玻璃基底；底电极为ito，厚度为100nm；空穴注入层为pedot:pss，厚度为40nm；空穴传输层为pvk，厚度为80nm；量子点发光层为上述配体交换后的量子点原位聚合得到，厚度为100nm；所述电子传输层为zno，厚度为60nm；顶电极为al，厚度为50nm。
[0110]
待完成量子点发光层的沉积后，将200mg苯乙烯、2mg羟基二苯甲酮，然后在365nm紫外光下照射30秒，然后采用乙酸甲酯清洗表面。
[0111]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。