1.一种氟化物荧光体，其具有含有k、ge、mn4+以及f的组成，且具有1摩尔组成中的k的摩尔比为2，ge与mn4+的合计摩尔比为1，mn4+的摩尔比大于0且小于0.2，f的摩尔比为6表示的组成，在发光波谱中，于615nm以上且小于625nm的范围内具有半值宽度为6nm以下的第一发光峰，于625nm以上且小于635nm的范围内具有第二发光峰，由波长为450nm的光激发带来的内量子效率为85％以上。
2.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其具有下述式(i)表示的组成，
k2[ge1-amn4+af6](i)
式(i)中，a为满足0＜a＜0.2的数。
3.根据权利要求1或2所述的氟化物荧光体，其中，
将所述第二发光峰的发光强度设为100％，所述第一发光峰的发光强度为30％以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟化物荧光体，其具有六方晶系的结晶结构，空间群具有p63mc的对称性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟化物荧光体，其中，由波长为450nm的光激发带来的内量子效率为90％以上。
6.一种发光装置，其具备：
权利要求1～5中任一项所述的氟化物荧光体、以及
在380nm以上且485nm以下的范围内具有发光峰值波长的激发光源。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其进一步包含在495nm以上且573nm以下的范围内具有发光峰值波长的荧光体。
8.一种氟化物荧光体的制造方法，该制造方法包括：
准备氟化物粒子，该氟化物粒子具有含有k、ge、mn4+以及f的组成，且具有1摩尔组成中的k的摩尔比为2，ge与mn4+的合计摩尔比为1，mn4+的摩尔比大于0且小于0.2，f的摩尔比为6表示的组成；以及
使所述氟化物粒子与含氟物质接触，在400℃以上的温度下进行热处理。
9.根据权利要求8所述的氟化物荧光体的制造方法，该制造方法包括：
在包含氮气的非活性气体气氛中对所述氟化物粒子进行热处理。
10.根据权利要求8或9所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述含氟物质为选自f2、chf3、cf4、nh4hf2、nh4f、sif4、及nf3中的至少1种。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，该氟化物荧光体具有下述式(i)表示的组成，
k2[ge1-amn4+af6](i)
式(i)中，a为满足0＜a＜0.2的数。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，由波长为450nm的光激发带来的内量子效率为85％以上。