多种主体材料以及包含其的有机电致发光装置的制作方法

[0001]
本公开涉及多种主体材料以及一种包含其的有机电致发光装置。


背景技术：

[0002]
小分子绿色有机电致发光装置(oled)是由伊士曼柯达公司(eastman kodak)的tang等人于1987年通过使用由发光层和电荷传输层组成的tpd/alq3双层首先开发的。此后，oled的发展迅速受到影响并且oled已经被商业化。目前，oled主要使用在面板实现中具有优异发光效率的磷光材料。然而，在许多应用如tv和照明设备中，oled寿命是不足的，并且仍需要更高效率的oled。典型地，oled的亮度越高，oled的寿命越短。因此，对于长时间使用和高分辨率的显示器而言，需要具有高发光效率和/或长寿命特征的oled。
[0003]
为了增强发光效率、驱动电压和/或寿命，已经提出了用于有机电致发光装置的有机层的各种材料或观念。然而，它们在实际使用中不令人满意。
[0004]
韩国专利申请公开号2019-0013353公开了一种有机光电装置，其使用具有基于苯并萘并的杂芳基部分的化合物和具有吲哚并咔唑部分的化合物作为发光层的主体。然而，需要改善装置的性能。


技术实现要素：

[0005]
技术问题
[0006]
本公开的目的是提供一种通过包含多种主体材料而具有改善的寿命特性的有机电致发光装置，所述多种主体材料包含化合物的特定组合。
[0007]
问题的解决方案
[0008]
作为深入研究的结果，本发明的诸位发明人发现，以上目的可以通过多种主体材料实现，所述多种主体材料包含第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料包含由下式1表示的化合物，所述第二主体材料包含由下式2表示的化合物：
[0009][0010]
其中
[0011]
l
1
表示单键、取代或未取代的(c1-c30)亚烷基、取代或未取代的(c6-c30)亚芳基、取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基、或取代或未取代的(c3-c30)亚环烷基；
[0012]
ar表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烯基、取代或未取代的(3元至7元)杂环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、-nr
1
r
2
、或-sir
3
r
4
r
5
；
[0013]
r
1
至r
5
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；
[0014]
由下式1-1至1-7中的任一个表示：
[0015][0016][0017]
x
1
至x
25
各自独立地表示n或cr
6
；
[0018]
r
6
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基；或者相邻的r
6
可以彼此连接以形成一个或多个环，并且如果存在两个或更多个r
6
，则每个r
6
可以相同或不同；
[0019]
v表示cx
26
x
27
、nx
28
、o、或s；
[0020]
x
26
至x
28
和x
31
至x
41
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基；或者x
31
至x
41
中的每一个可以与x
31
至x
41
的相邻取代基连接以形成一个或多个环；
[0021]
a、b、c、f和g各自独立地表示1至6的整数，并且d、e、h、i、j和k各自独立地表示1至4的整数，其中如果a至k是等于2或更大的整数，则每个x
31
至每个x
41
可以相同或不同；并且
[0022]
*表示与l
1
的键合位点；
[0023][0024]
其中
[0025]
y
1
表示o、s、cr
11
r
12
、或nr
13
；
[0026]
r
11
至r
13
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烯基、取代或未取代的(3元至7元)杂环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；或者r
11
和r
12
可以彼此连接以形成环；
[0027]
r
7
至r
9
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基；或者可以与相邻取代基连接以形成一个或多个环；
[0028]
前提是r
13
、r
8
和r
9
中的至少一个表示-l
2-(ar
1
)
p
；
[0029]
l
2
表示单键、取代或未取代的(c6-c30)亚芳基、或取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基；
[0030]
ar
1
各自独立地表示含有至少一个氮的取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；并且
[0031]
l和n各自独立地表示1至4的整数，并且m和p各自独立地表示1或2的整数，其中如果l至n和p是等于2或更大的整数，则每个r
7
、每个r
8
、每个r
9
、和每个ar
1
可以相同或不同。
[0032]
本发明的有益效果
[0033]
通过包含根据本公开的多种主体材料，可以提供一种有机电致发光装置，其与常规有机电致发光装置相比具有改善的寿命特性，并且可以使用多种主体材料生产显示装置
或照明装置。
具体实施方式
[0034]
在下文中，将详细描述本公开。然而，以下描述旨在解释本发明，并不意味着以任何方式限制本公开的范围。
[0035]
本公开中的术语“有机电致发光材料”意指可以用于有机电致发光装置中并且可以包含至少一种化合物的材料。如有需要，有机电致发光材料可以包含在构成有机电致发光装置的任何层中。例如，有机电致发光材料可以是空穴注入材料、空穴传输材料、空穴辅助材料、发光辅助材料、电子阻挡材料、发光材料(包含主体材料和掺杂剂材料)、电子缓冲材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料等。
[0036]
本公开中的术语“多种有机电致发光材料”意指包含至少两种化合物的组合的有机电致发光材料，所述材料可以包含在构成有机电致发光装置的任何层中。它可以意指包含在有机电致发光装置中之前(例如，在气相沉积之前)的材料和包含在有机电致发光装置中之后(例如，在气相沉积之后)的材料两者。例如，多种有机电致发光材料可以是至少两种化合物的组合，所述材料可以包含在以下中的至少一个层中：空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层、电子缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。此至少两种化合物可以通过本领域中使用的方法包含在同一层或不同层中，并且例如可以被混合蒸发或共蒸发，或可以被单个地蒸发。
[0037]
本公开中的术语“多种主体材料”意指包含至少两种化合物的组合的主体材料，所述材料可以包含在构成有机电致发光装置的任何发光层中。它可以意指包含在有机电致发光装置中之前(例如，在气相沉积之前)的材料和包含在有机电致发光装置中之后(例如，在气相沉积之后)的材料两者。例如，本公开的多种主体材料可以是至少两种主体材料的组合，并且选择性地可以进一步包括包含在有机电致发光材料中的常规材料。本公开的多种主体材料可以包含在构成有机电致发光装置的任何发光层中，并且通过本领域中使用的方法，包含在本公开的多种主体材料中的至少两种化合物可以一起包含在一个发光层中或者可以分别包含在不同的发光层中。例如，可以混合蒸发或共蒸发、或者可以单个地蒸发所述至少两种化合物。
[0038]
在本文中，术语“(c1-c30)(亚)烷基”意指具有1至30个构成链的碳原子的直链或支链烷基，其中碳原子的数目优选地是1至20，并且更优选地是1至10。上述烷基可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。术语“(c2-c30)烯基”意指具有2至30个构成链的碳原子的直链或支链烯基，其中碳原子的数目优选地是2至20，并且更优选地是2至10。上述烯基可以包括乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基丁-2-烯基等。术语“(c2-c30)炔基”意指具有2至30个构成链的碳原子的直链或支链炔基，其中碳原子的数目优选地是2至20，并且更优选地是2至10。上述炔基可以包括乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-甲基戊-2-炔基等。术语“(c3-c30)(亚)环烷基”意指具有3至30个环骨架碳原子的单环烃或多环烃，其中碳原子的数目优选地是3至20，并且更优选地是3至7。上述环烷基可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。术语“(3元至7元)杂环烷基”意指具有3至7个、优选5至7个环骨架原子并且包含至少一个杂原子的环烷基，所述杂原子选自由b、n、o、s、si和p组成的组，并且优选地由o、s和n组成的组。
苯并呋喃基、5-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、6-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、7-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、8-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、9-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、10-萘并-[2,3-b]-苯并呋喃基、1-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、2-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、3-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、4-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、5-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、6-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、7-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、8-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、9-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、10-萘并-[2,1-b]-苯并呋喃基、1-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、2-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、3-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、4-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、5-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、6-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、7-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、8-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、9-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、10-萘并-[1,2-b]-苯并噻吩基、1-萘并-[2,3-b]-苯并噻吩基、2-萘并-[2,3-b]-苯并噻吩基、3-萘并-[2,3-b]-苯并噻吩基、4-萘并-[2,3-b]-苯并噻吩基、5-萘并-[2,3-b]-苯并噻吩基、1-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、2-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、3-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、4-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、5-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、6-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、7-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、8-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、9-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、10-萘并-[2,1-b]-苯并噻吩基、1-硅芴基(silafluorenyl)、2-硅芴基、3-硅芴基、4-硅芴基、1-锗芴基(silafluorenyl)、2-锗芴基、3-锗芴基、4-锗芴基等。此外，“卤素”包括f、cl、br和i。
[0040]
此外，“邻位(o-)”、“间位(m-)”、和“对位(p-)”是前缀，分别表示取代基的相对位置。邻位表示两个取代基彼此相邻，并且例如当苯衍生物中的两个取代基占据位置1和2时，被称为邻位。间位表示两个取代基在位置1和3处，并且例如当苯衍生物中的两个取代基占据位置1和3时，被称为间位。对位表示两个取代基在位置1和4处，并且例如当苯衍生物中的两个取代基占据位置1和4时，被称为对位。
[0041]
在本文中，表述“取代或未取代的”中的“取代的”意指某个官能团中的氢原子被另一个原子或另一个官能团(即，取代基)替代。在本公开的式中的取代的(亚)烷基、取代的(亚)芳基、取代的(亚)杂芳基、取代的(亚)环烷基、取代的环烯基、取代的杂环烷基、取代的烷氧基、取代的三烷基甲硅烷基、取代的二烷基芳基甲硅烷基、取代的烷基二芳基甲硅烷基、取代的三芳基甲硅烷基、取代的单-或二-烷基氨基、取代的单-或二-芳基氨基、以及取代的烷基芳基氨基的取代基各自独立地是选自由以下组成的组的至少一个：氘；卤素；氰基；羧基；硝基；羟基；(c1-c30)烷基；卤代(c1-c30)烷基；(c2-c30)烯基；(c2-c30)炔基；(c1-c30)烷氧基；(c1-c30)烷硫基；(c3-c30)环烷基；(c3-c30)环烯基；(3元至7元)杂环烷基；(c6-c30)芳氧基；(c6-c30)芳硫基；未取代的或被一个或多个(c6-c30)芳基取代的(3元至30元)杂芳基；未取代的或被一个或多个(c1-c30)烷基和一个或多个(3元至30元)杂芳基中的至少一个取代的(c6-c30)芳基；三(c1-c30)烷基甲硅烷基；三(c6-c30)芳基甲硅烷基；二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基；(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基；氨基；单-或二-(c1-c30)烷基氨基；未取代的或被一个或多个(c1-c30)烷基取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基；(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基；(c1-c30)烷基羰基；(c1-c30)烷氧基羰基；(c6-c30)芳基羰基；二(c6-c30)芳基硼羰基；二(c1-c30)烷基硼羰基；(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基硼羰基；(c6-c30)芳基(c1-c30)烷基；以及(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基。例如，取代基可以是取代或未取代的甲基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的邻联苯基、取代或未取代的间联苯基、取代或未取代的对联苯基、取代或未取代
的邻三联苯基、取代或未取代的间三联苯基、取代或未取代的对三联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的螺[苯并芴-芴]基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并萘并噻吩基、取代或未取代的苯并萘并呋喃基、取代或未取代的二苯基氨基、取代或未取代的苯基联苯基氨基、取代或未取代的苯基三联苯基氨基、取代或未取代的萘基苯基氨基、取代或未取代的萘基联苯基氨基、取代或未取代的萘基三联苯基氨基、取代或未取代的萘基菲基氨基、取代或未取代的二联苯基氨基、取代或未取代的二芴基氨基、取代或未取代的联苯基芴基氨基、取代或未取代的二苯基二苯并呋喃基氨基等。
[0042]
在本公开的式中，如果取代基与相邻取代基连接以形成环或两个相邻取代基彼此连接以形成环，则所述环可以是取代或未取代的、单环或多环的(3元至30元)脂环族环或芳族环、或其组合，其两个或更多个相邻取代基连接以形成。此外，所形成的环可以含有至少一个选自b、n、o、s、si、以及p的杂原子，优选地至少一个选自n、o、以及s的杂原子。根据本公开的一个实施例，环骨架原子的数目是5至20。根据本公开的另一个实施例，环骨架原子的数目是5至15。例如，稠环可以是取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的芴环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的茚环、取代或未取代的苯环、或取代或未取代的咔唑环。
[0043]
在本公开的式中，杂芳基或亚杂芳基可以各自独立地含有至少一个选自b、n、o、s、si、以及p的杂原子。此外，杂原子可以与选自由以下组成的组的至少一个键合：氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(5元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、以及取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基。
[0044]
根据本公开的一个实施例的多种主体材料包括包含由式1表示的化合物的第一主体材料和包含由式2表示的化合物的第二主体材料，并且可以包含在根据本公开的一个实施例的有机电致发光装置的发光层中。
[0045]
在下文中，将更详细地描述由式1表示的化合物。
[0046]
在式1中，l
1
表示单键、取代或未取代的(c1-c30)亚烷基、取代或未取代的(c6-c30)亚芳基、取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基、或取代或未取代的(c3-c30)亚环烷基。根据本公开的一个实施例，l
1
表示单键、或取代或未取代的(c6-c15)亚芳基。根据本公开的另一个实施例，l
1
表示单键、或未取代的(c6-c15)亚芳基。具体地，l
1
可以表示单键、亚苯基、亚萘基、亚联苯基等。
[0047]
在式1中，ar表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烯基、取代或未取代的(3元至7元)杂环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、-nr
1
r
2
、或-sir
3
r
4
r
5
。根据本公开的一个实施例，ar表示取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取
代的(5元至20元)杂芳基。根据本公开的另一个实施例，ar表示未取代的或被一个或多个(c1-c6)烷基取代的(c6-c30)芳基、或未取代的(5元至20元)杂芳基。具体地，ar可以表示苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、螺二芴基、二甲基芴基、二甲基苯并芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基等。
[0048]
在本文中，r
1
至r
5
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基。
[0049]
在式1中，x
1
至x
25
各自独立地表示n或cr
6
。根据本公开的一个实施例，x
1
至x
25
各自独立地可以表示cr
6
。
[0050]
在本文中，r
6
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基；或者相邻的r
6
可以彼此连接以形成一个或多个环，并且如果存在两个或更多个r
6
，则每个r
6
可以相同或不同。根据本公开的一个实施例，r
6
各自独立地表示氢、或取代或未取代的(c6-c12)芳基；或者相邻的r
6
可以彼此连接以形成一个或多个环。根据本公开的另一个实施例，r
6
各自独立地表示氢、或未取代的(c6-c12)芳基；或者相邻的r
6
可以彼此连接以形成一个或多个环。具体地，r
6
各自独立地可以表示氢、苯基等；或者相邻的r
6
可以彼此连接以形成苯环等。
[0051]
在式1中，v表示cx
26
x
27
、nx
28
、o、或s。根据本公开的一个实施例，v可以表示nx
28
。
[0052]
在本文中，x
26
至x
28
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基。根据本公开的一个实施例，x
26
至x
28
各自独立地表示取代或未取代的(c6-c20)芳基。根据本公开的另一个实施例，x
26
至x
28
各自独立地表示未取代的或被一个或多个(c1-c6)烷基或一个或多个(c6-c12)芳基取代的(c6-c20)芳基。具体地，x
26
至x
28
各自独立地可以表示苯基、萘基、联苯基、菲基、萘基苯基、二甲基芴基等。
[0053]
在式1中，x
31
至x
41
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷氧基、取代或未取代的三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基；或者x
31
至x
41
中的每一个可以与x
31
至x
41
的相邻取
代基连接以形成一个或多个环。根据本公开的一个实施例，x
31
至x
41
各自独立地表示氢、或取代或未取代的(c6-c12)芳基；或者x
31
至x
41
中的每一个可以与x
31
至x
41
的相邻取代基连接以形成一个或多个环。根据本公开的另一个实施例，x
31
至x
41
各自独立地表示氢、或未取代的(c6-c12)芳基；或者x
31
至x
41
中的每一个可以与x
31
至x
41
的相邻取代基连接以形成一个或多个环。具体地，x
31
至x
41
各自独立地可以表示氢、苯基等；或者x
31
至x
41
中的每一个可以与x
31
至x
41
的相邻取代基连接以形成一个或多个环。
[0054]
在式1中，a、b、c、f和g各自独立地表示1至6的整数，并且d、e、h、i、j和k各自独立地表示1至4的整数，其中如果a至k是等于2或更大的整数，则每个x
31
至每个x
41
可以相同或不同。
[0055]
在式1中，*表示与l
1
的键合位点。
[0056]
由式1表示的化合物可以是选自以下化合物的至少一种，但不限于此。
[0057]
[0058]
[0059]
[0060]
[0061]
[0062]
[0063]
[0064][0065]
在下文中，将更详细地描述由式2表示的化合物。
[0066]
在式2中，y
1
表示o、s、cr
11
r
12
、或nr
13
。
[0067]
在本文中，r
11
至r
13
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烯基、取代或未取代的(3元至7元)杂环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；或者r
11
和r
12
可以彼此连接以形成环。根据本公开的一个实施例，r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基、或取代或未取代的(c6-c30)芳基；或者可以彼此连接以形成取代或未取代的、单环或多环的(3元至30元)脂环族环或芳族环；并且r
13
表示取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基。根据本公开的另一个实施例，r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c10)烷基、或取代或未取代的(c6-c18)芳基；或者可以彼此连接以形成取代或未取代的、多环的(5元至30元)芳族环；并且r
13
表示取代或未取代的(c6-c25)芳基、或取代或未取代的(5元至30元)杂芳基。根据本公开的另外的实施例，r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c4)烷基、或取代或未取代的(c6-c12)芳基；或者可以彼此连接以形成取代或未取代的、多环的(5元至25元)芳族环；并且r
13
表示取代或未取代的(c6-c18)芳基、或取代或未取代的(5元至25元)杂芳基。例如，r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的甲基、或取代或未取代的苯基；或者可以彼此连接以形成芴环；并且r
13
可以表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的间联苯基、取代或未取代的对联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、或取代或未取代的二苯并噻吩基。
[0068]
在式2中，r
7
至r
9
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的
三(c1-c30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(c1-c30)烷基二(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(c6-c30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(c1-c30)烷基氨基、取代或未取代的(c1-c30)烷基(c6-c30)芳基氨基、或取代或未取代的单-或二-(c6-c30)芳基氨基；或者可以与相邻取代基连接以形成一个或多个环。根据本公开的一个实施例，r
7
和r
8
各自独立地表示氢、氘、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；并且r
9
各自独立地表示氢、氘、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基。根据本公开的另一个实施例，r
7
和r
8
各自独立地表示氢、取代或未取代的(c6-c25)芳基、或取代或未取代的(5元至25元)杂芳基；并且r
9
各自独立地表示氢、取代或未取代的(c6-c25)芳基、或含有至少一个氮的取代或未取代的(5元至25元)杂芳基。根据本公开的另外的实施例，r
7
和r
8
各自独立地表示氢、取代或未取代的(c6-c18)芳基、或取代或未取代的(5元至18元)杂芳基；并且r
9
各自独立地表示氢、取代或未取代的(c6-c18)芳基、或含有至少两个氮的取代或未取代的(5元至18元)杂芳基。具体地，r
7
和r
8
各自独立地可以表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的邻联苯基、取代或未取代的间联苯基、取代或未取代的对联苯基、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的菲基等；并且r
9
各自独立地可以表示氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的间联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的苯并喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、或取代或未取代的苯并喹唑啉基等。
[0069]
在式2中，r
13
、r
8
、以及r
9
中的至少一个表示-l
2-(ar
1
)
p
。根据本公开的一个实施例，r
13
和r
9
中的至少一个表示-l
2-(ar
1
)
p
。根据本公开的另一个实施例，r
9
表示-l
2-(ar
1
)
p
。
[0070]
在式2中，l
2
表示单键、取代或未取代的(c6-c30)亚芳基、或取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基。根据本公开的一个实施例，l
2
表示单键、或取代或未取代的(c6-c30)亚芳基，优选单键、或取代或未取代的(c6-c25)亚芳基。根据本公开的另一个实施例，l
2
表示单键、或取代或未取代的(c6-c18)亚芳基。具体地，l
2
可以表示单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的间亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘基-亚苯基、取代或未取代的亚菲基等。
[0071]
在式2中，ar
1
各自独立地表示含有至少一个氮的取代或未取代的(3元至30元)杂芳基。根据本公开的一个实施例，ar
1
各自独立地表示含有至少一个氮的取代或未取代的(5元至25元)杂芳基。根据本公开的另一个实施例，ar
1
各自独立地表示含有至少两个氮的取代或未取代的(5元至18元)杂芳基。具体地，ar
1
各自独立地可以表示取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的苯并喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的苯并喹喔啉基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的苯并喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的苯并异喹啉基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的萘啶基、或取代或未取代的苯并噻吩并嘧啶基；优选取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的苯并喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的苯并喹唑啉基等。例如，ar
1
各自独立地可以表示未取代的或被以下中的至少一个取代的三嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并喹唑啉基、或苯并喹
喔啉基：一个或多个取代或未取代的(c6-c30)芳基和一个或多个取代或未取代的(5元至30元)杂芳基。
[0072]
在式2中，l和n各自独立地表示1至4的整数，并且m和p各自独立地表示1或2的整数，其中如果l至n和p是等于2或更大的整数，则每个r
7
、每个r
8
、每个r
9
、和每个ar
1
可以相同或不同。
[0073]
由式2表示的化合物可以由下式2-1至2-9中的至少一个表示；
[0074]
[0075]
其中
[0076]
y
1
、l
2
、ar
1
、r
7
至r
9
、l至n、以及p如式2中所定义；
[0077]
r
10
各自独立地具有与r
9
相同的定义；并且
[0078]
o表示1至3的整数，其中如果o是等于2或更大的整数，则每个r
10
可以相同或不同。
[0079]
根据本公开的一个实施例，在式2-1中，y
1
表示o、s、cr
11
r
12
、或nr
13
；r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基、或取代或未取代的(c6-c30)芳基；或者可以彼此连接以形成取代或未取代的、单环或多环的(3元至30元)脂环族环或芳族环；r
13
表示取代或未取代的(c6-c30)芳基；r
7
和r
8
各自独立地表示氢、取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；l
2
表示单键、或取代或未取代的(c6-c30)亚芳基；ar
1
表示含有至少两个氮的取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；并且p表示1。
[0080]
根据本公开的一个实施例，在式2-2和2-3中，y
1
表示o、s、cr
11
r
12
、或nr
13
；r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基、或取代或未取代的(c6-c30)芳基；或者可以彼此连接以形成取代或未取代的、单环或多环的(3元至30元)脂环族环或芳族环；r
13
表示取代或未取代的(c6-c30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；r
7
和r
8
两者都表示氢；l
2
表示单键、或取代或未取代的(c6-c30)亚芳基；ar
1
表示含有至少两个氮的取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；并且p表示1。
[0081]
根据本公开的一个实施例，在式2-4至2-6中，y
1
表示o、s、cr
11
r
12
、或nr
13
；r
11
和r
12
各自独立地表示取代或未取代的(c1-c30)烷基；r
13
表示取代或未取代的(c6-c30)芳基；r
7
和r
8
两者都表示氢；l
2
表示单键、或取代或未取代的(c6-c30)亚芳基；ar
1
表示含有至少两个氮的取代或未取代的(3元至30元)杂芳基；并且p表示1。
[0082]
由式2表示的化合物可以是选自以下化合物的至少一种，但不限于此。
[0083]
[0084]
[0085]
[0086]
[0087]
[0088]
[0089]
[0090]
[0091]
[0092]
[0093]
[0094]
[0095]
[0096]
[0097]
[0098]
[0099][0100]
化合物h-1-1至h-1-185中的至少一种与化合物c-1至c-599中的至少一种可以组合并且用于有机电致发光装置中。
[0101]
本公开的由式1表示的化合物可以通过本领域技术人员已知的合成方法，以及例如根据在韩国专利申请公开号2014-0097044(2014年8月6日)、2013-0106255(2013年9月27日)、2018-0099510(2018年9月5日)、和2018-0012709(2018年2月6日)，韩国专利申请号10-2012-0099963(2012年9月10日)中公开的方法来生产。
[0102]
本公开的由式2表示的化合物可以通过本领域技术人员已知的合成方法，以及例如根据以下反应方案1至4来生产，但不限于此：
[0103]
[反应方案1]
[0104][0105]
[反应方案2]
[0106][0107]
[反应方案3]
[0108][0109]
[反应方案4]
[0110][0111]
在反应方案1至4中，相应取代基如式2-1至2-9中所定义；并且hal表示卤素。
[0112]
尽管以上描述了由式2表示的化合物、具体地由式2-1至2-9表示的化合物的说明性合成实例，但是本领域技术人员将能够容易地理解它们全部基于铃木(suzuki)交叉偶联反应、维蒂希(wittig)反应、宫浦(miyaura)硼基化反应、乌尔曼(ullmann)反应、布赫瓦尔德-哈特维希(buchwald-hartwig)交叉偶联反应、n-芳基化反应、酸化蒙脱土介导的(h-mont-mediated)醚化反应、分子内酸诱导的环化反应、pd(ii)催化的氧化环化反应、格氏(grignard)反应、赫克(heck)反应、脱水环合反应、sn
1
取代反应、sn
2
取代反应、膦介导的还原环化反应等，并且即使键合了上式2-1至2-9中所定义但在具体合成实例中未指定的取代基，上述反应也继续进行。
[0113]
本公开的有机电致发光装置可以包含第一电极、第二电极和在第一电极与第二电极之间的至少一个有机层。
[0114]
第一电极和第二电极中的一个可以是阳极，并且另一个可以是阴极。有机层可以包含发光层，并且可以进一步包含选自空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子传输层、电子缓冲层、电子注入层、中间层、空穴阻挡层、以及电子阻挡层的至少一个层。第二电极可以是透射反射电极或反射电极，并且根据材料的种类，可以是顶部发光型、底部发光型、或两侧发光型。此外，空穴注入层可以进一步掺杂有p型掺杂剂，并且电子注入层也可以进一步掺杂有n型掺杂剂。
[0115]
根据本公开的有机电致发光装置可以包括阳极、阴极、以及在所述阳极与阴极之间的至少一个有机层，其中所述有机层可以包含多种有机电致发光材料，其包含由式1表示的化合物作为第一有机电致发光材料，以及由式2表示的化合物作为第二有机电致发光材料。根据本公开的一个实施例，根据本公开的有机电致发光装置可以包括阳极、阴极、以及在所述阳极与阴极之间的至少一个发光层，其中所述发光层可以包含由式1表示的化合物和由式2表示的化合物。
[0116]
所述发光层包括主体和掺杂剂，其中所述主体包含多种主体材料，并且由式1表示的化合物可以作为所述多种主体材料的第一主体化合物被包含，并且由式2表示的化合物可以作为所述多种主体材料的第二主体化合物被包含。第一主体化合物与第二主体化合物的重量比是约1:99至约99:1、优选约10:90至约90:10、更优选约30:70至约70:30、甚至更优选约40:60至约60:40、并且最优选约50:50。
[0117]
在本文中，发光层是光从中发射出的层，并且可以是单层或其中堆叠了两个或更多个层的多层。所有的第一主体材料和第二主体材料可以包含在一个层中，或者所述第一主体材料和所述第二主体材料可以包含在各自的不同发光层中。根据本公开的一个实施例，在发光层中相对于主体化合物掺杂剂化合物的掺杂浓度可以是小于20wt％。
[0118]
本公开的有机电致发光装置可以进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子传输层、电子注入层、中间层、电子缓冲层、空穴阻挡层、以及电子阻挡层的至少一个层。根据本公开的一个实施例，本公开的有机电致发光装置可以进一步包含除本公开的多种主体材料之外的基于胺的化合物作为空穴注入材料、空穴传输材料、空穴辅助材料、发光材料、发光辅助材料、以及电子阻挡材料中的至少一种。此外，根据本公开的一个实施例，本公开的有机电致发光装置可以进一步包含除本公开的多种主体材料之外的基于吖嗪的化合物作为电子传输材料、电子注入材料、电子缓冲材料、以及空穴阻挡材料中的至少一种。
[0119]
根据本公开的多种主体材料可以用作用于白色有机发光装置的发光材料。根据r(红色)、g(绿色)或yg(黄绿色)、以及b(蓝色)发光单元的布置，已经提出了白色有机发光装置具有各种结构，如平行布置(并排)方法、堆叠方法、或颜色转换材料(ccm)方法等。此外，根据本公开的实施例的多种主体材料还可以用于包含量子点(qd)的有机电致发光装置。
[0120]
在阳极与发光层之间可以使用空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、或其组合。空穴注入层可以是多层以便降低从阳极到空穴传输层或电子阻挡层的空穴注入势垒(或空穴注入电压)，其中多层中的每个可以同时使用两种化合物。此外，可以将电子阻挡层放置在空穴传输层(或空穴注入层)与发光层之间，并且可以阻挡来自发光层的电子溢出并将激子限制在发光层中以防止漏光。空穴传输层或电子阻挡层也可以是多层，其中所述多层中的每个可以使用多种化合物。
[0121]
在发光层与阴极之间可以使用电子缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或其组合。电子缓冲层可以是多层以控制电子的注入并改善发光层与电子注入层之间的界面特性，其中所述多层中的每个可以同时使用两种化合物。空穴阻挡层或电子传输层也可以是多层，其中多层中的每个可以使用多种化合物。
[0122]
包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂可以是至少一种磷光掺杂剂或荧光掺杂剂，并且优选地是至少一种磷光掺杂剂。应用于本公开的有机电致发光装置中的磷
光掺杂剂材料不受特别限制，但可以优选地选自金属化的铱(ir)、锇(os)、铜(cu)和铂(pt)的络合化合物，更优选地选自邻位金属化的铱(ir)、锇(os)、铜(cu)和铂(pt)的络合化合物，并且甚至更优选邻位金属化的铱络合化合物。
[0123]
包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂可以包含由下式101表示的化合物，但不限于此。
[0124][0125]
在式101中，l选自以下结构1和2：
[0126][0127]
r
100
至r
103
各自独立地表示氢、氘、卤素、未取代的或被一个或多个卤素取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、氰基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、或取代或未取代的(c1-c30)烷氧基；或者可以与相邻取代基连接以与吡啶一起形成一个或多个环，例如，取代或未取代的喹啉、苯并呋喃并吡啶、苯并噻吩并吡啶、茚并吡啶、苯并呋喃并喹啉、苯并噻吩并喹啉、或茚并喹啉环；
[0128]
r
104
至r
107
各自独立地表示氢、氘、卤素、未取代的或被一个或多个卤素取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、取代或未取代的(c6-c30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、氰基、或取代或未取代的(c1-c30)烷氧基；或者可以与相邻取代基连接以与苯一起形成一个或多个环，例如，取代或未取代的萘基、芴、二苯并噻吩、二苯并呋喃、茚并吡啶、苯并呋喃并吡啶、或苯并噻吩并吡啶环；
[0129]
r
201
至r
211
各自独立地表示氢、氘、卤素、未取代的或被一个或多个卤素取代的(c1-c30)烷基、取代或未取代的(c3-c30)环烷基、或取代或未取代的(c6-c30)芳基；或者可以与相邻取代基连接以形成一个或多个环；并且
[0130]
s表示1至3的整数。
[0131]
掺杂剂化合物的具体实例如下，但不限于此。
[0132]
[0133]
[0134]
[0135]
[0136]
[0137][0138]
为了形成本公开的有机电致发光装置的每个层，可以使用干法成膜方法，如真空蒸发、溅射、等离子体、离子镀方法等，或湿法成膜方法，如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝式涂布、旋涂、浸涂、流涂方法等。
[0139]
当使用湿法成膜方法时，可以通过将形成每个层的材料溶解或扩散到任何适合的溶剂(如乙醇、氯仿、四氢呋喃、二噁烷等)中来形成薄膜。溶剂可以是形成每个层的材料可以溶解或扩散在其中并且在成膜能力方面没有问题的任何溶剂。
[0140]
本公开的第一和第二主体化合物可以通过以上列出的方法，通常通过共蒸发法或混合蒸发法成膜。共蒸发是其中将两种或更多种材料放置在相应的单个坩埚源中并且同时向两个小室施加电流以蒸发材料的混合沉积方法。混合蒸发是其中将两种或更多种材料在蒸发之前在一个坩埚源中混合并且向小室施加电流以蒸发材料的混合沉积方法。此外，如果第一和第二主体化合物存在于有机电致发光装置中的同一层或不同层中，则两种主体化合物可以单个地形成膜。例如，可以在沉积第一主体化合物之后沉积第二主体化合物。
[0141]
本公开可以通过使用包含由式1表示的化合物和由式2表示的化合物的多种主体材料提供显示装置。也就是说，通过使用本公开的多种主体材料，可以制造显示系统或照明系统。具体地，通过使用本公开的多种主体材料，可以生产例如用于白色有机发光装置、智能手机、平板电脑、笔记本、pc、tv、或汽车的显示系统；或照明系统，例如室外或室内照明系
统。
[0142]
在下文中，将参考本公开的代表性化合物来详细解释本公开的由式1表示的化合物和由式2表示的化合物的制备方法及其特性，以及包含本公开的多种主体材料的有机电致发光装置的特性。然而，本公开不受限于以下实例。
[0143]
合成实例1：化合物h-1-52的制备
[0144][0145]
将化合物1-1(7g，13mmol)、化合物1-2(3g，14.3mmol)、k
2
co
3
(5.4g，39mmol)和pd(pph
3
)
4
(0.75g，0.65mmol)溶解在30ml的h
2
o、60ml的甲苯和30ml的etoh中，并且然后将混合物在120℃下回流3小时。在反应完成后，用乙酸乙酯萃取有机层，并且通过使用硫酸镁除去剩余水分。将残余物干燥并通过柱色谱法分离以获得化合物h-1-52(5.7g，产率：70％)。
[0146] mw熔点h-1-52642.73154℃
[0147]
合成实例2：化合物h-1-55的制备
[0148][0149]
将化合物2-1(5.7g，10.6mmol)、化合物1-2(2.5g，11.7mmol)、k
2
co
3
(4.4g，31.8mmol)和pd(pph
3
)
4
(0.61g，0.653mmol)溶解在30ml的h
2
o、60ml的甲苯和30ml的etoh中，并且然后将混合物在120℃下回流3小时。在反应完成后，用乙酸乙酯萃取有机层，并且通过使用硫酸镁除去剩余水分。将残余物干燥并通过柱色谱法分离以获得化合物h-1-55(1.2g，产率：18％)。
[0150] mw熔点h-1-55642.73239℃
[0151]
合成实例3：化合物h-1-46的制备
[0152]
[0153]
将70ml的二甲苯添加到化合物3-1(5g，13.07mmol)、4-溴-1,1':2',1"-三联苯(4g，13.07mmol)、pd
2
(dba)
3
(0.6g，0.653mmol)、naot-bu(3.8g，39.21mmol)和2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.5g，1.307mmol)中，并且然后将混合物搅拌一天。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且用蒸馏水和meoh萃取。将所得产物通过柱色谱法使用二氯甲烷(mc)/己烷分离以获得化合物h-1-46(6.3g，产率：78％)。
[0154] mw熔点h-1-46610.7288℃
[0155]
合成实例4：化合物h-1-47的制备
[0156][0157]
将100ml的甲苯添加到化合物3-1(7.6g，18.88mmol)、3-溴-1,1':2',1"-三联苯(5g，18.88mmol)、pd
2
(dba)
3
(0.86g，0.940mmol)、naot-bu(4.5g，47.22mmol)和p(t-bu)
3
(0.38g，1.888mmol)中，并且然后将混合物搅拌一天。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且用蒸馏水和meoh萃取。将所得产物通过柱色谱法使用mc/己烷分离以获得化合物h-1-47(0.7g，产率：6.2％)。
[0158] mw熔点h-1-47610.7194.6℃
[0159]
合成实例5：化合物h-1-115的制备
[0160][0161]
将86ml的邻二甲苯引入到化合物5-1(5g，17.16mmol)、4-溴-1,1':2',1"-三联苯(5.3g，17.16mmol)、pd
2
(dba)
3
(0.8g，0.858mmol)、s-phos(0.7g，1.716mmol)和naot-bu(5g，51.48mmol)中，并且然后将混合物在回流下搅拌2小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且将所得固体在减压下过滤。将固体溶解在chcl
3
中，并通过柱色谱法使用mc/己烷分离以获得化合物h-1-115(2.4g，产率：26％)。
[0162] mw熔点
h-1-115519.6228.7℃
[0163]
合成实例6：化合物h-1-142的制备
[0164][0165]
将化合物6-1(40.0g，121.0mmol)、3-溴-1,1':2',1"-三联苯(41.1g，133.1mmol)、pd
2
(dba)
3
(5.5g，6.1mmol)、s-phos(5.0g，12.1mmol)和naot-bu(34.8g，363.0mmol)溶解在600ml的邻二甲苯中，并且然后将混合物在170℃下回流5小时。在反应完成后，用乙酸乙酯萃取有机层，并且通过使用硫酸镁除去剩余水分。将残余物干燥并通过柱色谱法分离以获得化合物h-1-142(28.5g，产率：42％)。
[0166] mw熔点h-1-142558.7248℃
[0167]
合成实例7：化合物h-1-143的制备
[0168][0169]
将化合物6-1(4.4g，13.5mmol)、5'-溴-1,1',3',1"-三联苯(5g，16.2mmol)、cui(1.3g，6.75mmol)、乙二胺(1.8ml，27mmol)和k
3
po
4
(8.6g，40.5mmol)溶解在67.5ml的甲苯中，并且然后将混合物在120℃下回流2小时。在反应完成后，用乙酸乙酯萃取有机层，并且通过使用硫酸镁除去剩余水分。将残余物干燥并通过柱色谱法分离以获得化合物h-1-143(6g，产率：79.6％)。
[0170] mw熔点h-1-143558.7276.6℃
[0171]
合成实例8：化合物c-5的制备
[0172][0173]
将5.0ml的etoh、40ml的甲苯和11ml的蒸馏水添加到化合物8-1(4.0g，11.1mmol)、化合物8-2(4.6g，13.3mmol)、pd(pph
3
)
4
(0.6g，0.56mmol)和k
2
co
3
(3.1g，22.2mmol)中，并且然后将混合物在回流下搅拌6小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并在环境温度下搅拌。将meoh添加到混合物中以获得固体。将所得固体在减压下过滤，并通过柱色谱法使用mc/己烷分离以获得化合物c-5(4.9g，产率：81％)。
[0174] mw熔点c-5541.7280℃
[0175]
合成实例9：化合物c-146的制备
[0176][0177]
将80ml的邻二甲苯添加到化合物9-1(4.0g，14.9mmol)、化合物9-2(7.1g，16.4mmol)、pd
2
(dba)
3
(0.7g，0.8mmol)、s-phos(0.6g，1.5mmol)和naotbu(3.5g，37.3mmol)中，并且然后将混合物在回流下搅拌6小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并在环境温度下搅拌。将meoh添加到混合物中以获得固体。将所得固体在减压下过滤，并通过柱色谱法使用mc/己烷分离以获得化合物c-146(3.6g，产率：45％)。
[0178] mw熔点c-146541.7261℃
[0179]
合成实例10：化合物c-160的制备
[0180][0181]
将55ml的甲苯、14ml的乙醇和14ml的蒸馏水添加到化合物8-1(4.5g，12.49mmol)、化合物10-2(6.6g，14.20mmol)、四(三苯基膦)钯(0.4g，0.34mmol)和碳酸钠(3.0g，
28.38mmol)中，并且然后将混合物在130℃下搅拌4小时。在反应完成后，将所得固体用蒸馏水和甲醇洗涤，并且然后通过柱色谱法纯化以获得化合物c-160(3.9g，产率：51％)。
[0182] mw熔点c-160617.7268℃
[0183]
合成实例11：化合物c-230的制备
[0184][0185]
将80ml的甲苯、20ml的乙醇和20ml的水添加到化合物11-1(4.5g，13.07mmol)、化合物11-2(5g，13.07mmol)、四(三苯基膦)钯(0.75g，0.653mmol)和碳酸钾(5.4g，39.22mmol)中，并且然后将混合物在回流下搅拌2小时。在反应完成后，将混合物冷却至环境温度，并且向其中逐滴添加甲醇。将所得固体过滤，溶解在二氯甲烷中，并通过柱色谱法分离以获得化合物c-230(3.7g，产率：53％)。
[0186] mw熔点c-230525.6272℃
[0187]
合成实例12：化合物c-167的制备
[0188][0189]
将化合物12-1(5g，19.03mmol)、化合物9-2(9.1g，20.94mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.88g，0.97mmol)、二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(0.79g，1.93mmol)、叔丁醇钠(4.63g，48.3mmol)和100ml的二甲苯添加到烧瓶中，并且然后将混合物在回流下搅拌4小时。在反应完成后，将所得产物用乙酸乙酯萃取，并且通过柱色谱法分离以获得化合物c-167(5g，产率：50％)。
[0190] mw熔点c-167525.6252.6℃
[0191]
合成实例13：化合物c-489的制备
[0192][0193]
将化合物8-1(5.0g，13.9mmol)、化合物13-1(6.1g，13.9mmol)、四(三苯基膦)钯(0.8g，0.7mmol)、碳酸钾(3.9g，27.8mmol)、30ml的甲苯、10ml的乙醇和14ml的蒸馏水添加到烧瓶中，并且然后将混合物在130℃下搅拌5小时。在反应完成后，将所得固体用蒸馏水和甲醇洗涤，并且然后通过柱色谱法纯化以获得化合物c-489(3.6g，产率：44％)。
[0194] mw熔点c-489591.7282.5℃
[0195]
合成实例14：化合物c-249的制备
[0196][0197]
将化合物14-1(4.0g，14.9mmol)、化合物9-2(7.1g，16.4mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.7g，0.74mmol)、s-phos(0.6g，1.49mmol)、叔丁醇钠(3.5g，37.3mmol)和80ml的邻二甲苯添加到烧瓶中，并且然后将混合物在165℃下搅拌5小时。在反应完成后，将混合物冷却至环境温度，并且用乙酸乙酯萃取。用硫酸镁干燥萃取的有机层，并通过旋转蒸发器除去溶剂。此后，通过柱色谱法纯化残余物以获得化合物c-249(4.2g，产率：81％)。
[0198] mw熔点c-249541.7283℃
[0199]
合成实例15：化合物c-174的制备
[0200][0201]
将化合物15-1(6.0g，23.7mmol)、化合物9-2(11.4g，26.1mmol)、三(二亚苄基丙
酮)二钯(1.1g，1.2mmol)、s-phos(0.98g，2.4mmol)、磷酸钾(12.6g，59.3mmol)和120ml的邻二甲苯添加到烧瓶中，并且然后将混合物在165℃下搅拌5小时。在反应完成后，将混合物冷却至环境温度，并且用乙酸乙酯萃取。用硫酸镁干燥萃取的有机层，并通过旋转蒸发器除去溶剂。此后，通过柱色谱法纯化残余物以获得化合物c-174(4.0g，产率：32％)。
[0202] mw熔点c-174525.6244℃
[0203]
合成实例16：化合物c-520的制备
[0204][0205]
将化合物15-1(4.23g，11.4mmol)、化合物15-2(5.04g，13.7mmol)、四(三苯基膦)钯(0.66g，0.57mmol)、碳酸钾(3.15g，22.8mmol)、35ml的甲苯、7ml的乙醇和11ml的蒸馏水添加到烧瓶中，并且然后将混合物在130℃下搅拌15小时。在反应完成后，将所得固体用蒸馏水和甲醇洗涤，并且通过柱色谱法纯化以获得化合物c-520(4.5g，产率：69％)。
[0206] mw熔点c-520575.7293℃
[0207]
装置实例1至4和8至15：生产沉积有根据本公开的多种主体材料作为主体的oled
[0208]
生产根据本公开的oled。将用于oled的玻璃基板上的透明电极氧化铟锡(ito)薄膜(10ω/sq)(日本吉奥马有限公司(geomatec co.,ltd.,japan))经受依次用丙酮、三氯乙烯、丙酮、乙醇和蒸馏水进行的超声洗涤，并且然后储存在异丙醇中。然后将ito基板安装在真空气相沉积设备的基板支架上。将化合物hi-1引入真空气相沉积设备的小室中，并且然后将所述设备的腔室中的压力控制到10-6
托。此后，向小室施加电流以使以上引入的材料蒸发，从而在ito基板上形成具有80nm厚度的第一空穴注入层。接下来，将化合物hi-2引入真空气相沉积设备的另一个小室中，并通过向小室施加电流使所述化合物蒸发，从而在第一空穴注入层上形成具有5nm厚度的第二空穴注入层。然后将化合物ht-1引入真空气相沉积设备的小室中，并通过向小室施加电流使所述化合物蒸发，从而在第二空穴注入层上形成具有10nm厚度的第一空穴传输层。然后将化合物ht-2引入真空气相沉积设备的另一个小室中，并通过向小室施加电流使所述化合物蒸发，从而在第一空穴传输层上形成具有60nm厚度的第二空穴传输层。在形成空穴注入层和空穴传输层之后，如下在其上形成发光层：将下表1中所示的第一主体化合物和第二主体化合物作为主体引入真空气相沉积设备的两个小室中，并且将化合物d-39作为掺杂剂引入另一个小室中。将两种主体材料以1:1的比率蒸发，并且将掺杂剂材料以不同的比率同时蒸发，并且将掺杂剂以基于主体和掺杂剂的总量3wt％的掺杂量进行沉积，以在第二空穴传输层上形成具有40nm厚度的发光层。将化合物et-1和化合物ei-1引入两个小室中并以1:1的比率蒸发，以在发光层上形成具有35nm厚度
的电子传输层。在电子传输层上将化合物ei-1沉积为具有2nm厚度的电子注入层之后，通过另一个真空气相沉积设备在电子注入层上沉积具有80nm厚度的al阴极。由此，生产了oled。
[0209]
装置实例5至7：生产沉积有根据本公开的多种主体材料作为主体的oled
[0210]
除了使用化合物ht-3形成具有45nm厚度的第二空穴传输层并且在第二空穴传输层上使用化合物eb-1形成具有15nm厚度的电子阻挡层之外，以与装置实例1中相同的方式生产oled。
[0211]
对比实例1至4：生产包含对比化合物作为主体的oled
[0212]
除了使用下表1中所示的化合物作为发光层的主体之外，以与装置实例1中相同的方式生产oled。
[0213]
下表1中提供了装置实例1至15和对比实例1至4中生产的oled的在5,000尼特的亮度和恒定电流下亮度从100％降低至95％所花费的时间(寿命；t95)。
[0214]
[表1]
[0215]
[0216]
从上表1中可以看出，与包含单一主体材料(对比实例1和2)或包含与常规主体化合物组合的根据本公开的主体化合物作为主体材料(对比实例3和4)的oled相比，包含根据本公开的化合物的特定组合作为主体材料的oled具有显著改善的寿命特性。
[0217]
装置实例16至21：生产沉积有根据本公开的多种主体材料作为主体的红色oled
[0218]
生产根据本公开的oled。将用于oled的玻璃基板上的透明电极氧化铟锡(ito)薄膜(10ω/sq)(日本吉奥马有限公司)经受依次用丙酮和异丙醇进行的超声洗涤，并且然后储存在异丙醇中。然后将ito基板安装在真空气相沉积设备的基板支架上。将化合物hi-3引入真空气相沉积设备的一个小室中，并且然后将化合物ht-1引入另一个小室中，并且然后将两种材料以不同的比率蒸发以便以基于化合物hi-3和化合物ht-1的总量3wt％的掺杂量沉积化合物hi-3，从而在ito基板上形成具有10nm厚度的空穴注入层。接下来，然后将化合物ht-1沉积在空穴注入层上以形成具有80nm厚度的第一空穴传输层。然后将化合物ht-2引入真空气相沉积设备的另一个小室中，并通过向小室施加电流使所述化合物蒸发，从而在第一空穴传输层上形成具有60nm厚度的第二空穴传输层。在形成空穴注入层和空穴传输层之后，如下在其上形成发光层：将下表2中所示的第一主体化合物和第二主体化合物作为主体引入真空气相沉积设备的两个小室中，并且将化合物d-39作为掺杂剂引入另一个小室中。将两种主体材料以1:1的比率蒸发，并且将掺杂剂材料以不同的比率同时蒸发，并且将掺杂剂以基于主体和掺杂剂的总量3wt％的掺杂量进行沉积，以在第二空穴传输层上形成具有40nm厚度的发光层。将化合物et-1和化合物ei-1引入两个小室中并以50:50的重量比蒸发，以在发光层上形成具有35nm厚度的电子传输层。在电子传输层上将化合物ei-1沉积为具有2nm厚度的电子注入层之后，通过另一个真空气相沉积设备在电子注入层上沉积具有80nm厚度的al阴极。由此，生产了oled。用于生产oled的所有材料在10-6
托下通过真空升华来纯化。
[0219]
对比实例5和6：生产包含对比化合物作为主体的oled
[0220]
除了使用下表2中所示的化合物作为发光层的主体之外，以与装置实例16中相同的方式生产oled。
[0221]
下表2中提供了装置实例16至21以及对比实例5和6中生产的oled的在1,000尼特的亮度下的驱动电压、发光效率和发光颜色，以及在5,000尼特的亮度下亮度从100％降低至95％所花费的时间(寿命；t95)。
[0222]
[表2]
[0223][0224]
从上表2中可以看出，与对比装置相比，包含根据本公开的化合物的特定组合作为主体材料的oled示出改善的驱动电压、发光效率、和/或寿命特性。
[0225]
在装置实例和对比实例中使用的化合物在下表3中示出。
[0226]
[表3]
[0227]
[0228]
[0229]