技术特征：
1.化学机械抛光组合物，包含：(a)选自氧化铈、氧化锆及其组合的研磨剂，(b)选自式(i)化合物的自停止剂：其中r选自：氢、烷基、环烷基、芳基、杂环烷基及杂环芳基，其中的每一者均可经取代或未经取代；(c)阳离子型聚合物，(d)水性载剂，其中该抛光组合物的ph为约7至约9。2.权利要求1的抛光组合物，其中，该自停止剂选自异羟肟酸、乙酰基异羟肟酸、苯异羟肟酸、水杨基异羟肟酸及其组合。3.权利要求1的抛光组合物，其中，该阳离子型聚合物选自甲基丙烯酸2
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(二甲基氨基)乙酯、二烯丙基二甲基铵、聚(乙烯基咪唑鎓)、聚(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基铵)卤化物、聚(二烯丙基二甲基铵)氯化物、聚季铵盐
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2、聚季铵盐
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11、聚季铵盐
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16、聚季铵盐
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46、聚季铵盐
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44、luviquat supreme、luviquat hold、luviquat ultracare、luviquat fc 370、luviquat fc 550、luviquat fc 552、luviquat excellence、及其组合。4.权利要求1的抛光组合物，其中，该抛光组合物进一步包含速率增强剂。5.权利要求1的抛光组合物，其中，该自停止剂以约1wt％或更低的浓度存在于该抛光组合物中。6.权利要求1的抛光组合物，其中，该研磨剂为氧化铈。7.权利要求1的抛光组合物，其中，该研磨剂以约0.001wt％至约5wt％的浓度存在于该抛光组合物中。8.化学机械抛光基板的方法，包括：(i)提供基板，其中，该基板包含位于该基板的表面上的图案介电层，(ii)提供抛光垫，(iii)提供权利要求1的化学机械抛光组合物，(iv)使该基板与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触，及(v)相对于该基板移动该抛光垫及该化学机械抛光组合物以研磨位于该基板表面上的该图案介电层的至少一部分，从而抛光该基板。
技术总结
本发明涉及自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法。具体地说，本发明提供了包含研磨剂、自停止剂、水性载剂及任选地阳离子型聚合物的化学机械抛光组合物，而且，提供了适用于抛光基板的方法。供了适用于抛光基板的方法。供了适用于抛光基板的方法。
技术研发人员：A.W.海恩斯 张柱然 李常怡 林越 崔骥 S.布罗斯南 南哲祐
受保护的技术使用者：嘉柏微电子材料股份公司
技术研发日：2018.03.23
技术公布日：2021/11/14