次氯酸根离子荧光探针、制备方法及其应用

文档序号:8392143阅读:449来源:国知局
次氯酸根离子荧光探针、制备方法及其应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种次氯酸根离子荧光探针、制备方法及其应用。
【背景技术】
[0002] 次氯酸根作为活性氧物种的一种,在免疫抵抗微生物感染和炎症过程中发挥着极 其重要的作用。在生物体中,H202和氯离子在髓过氧化物酶的催化作用下产生次氯酸根,这 是内因性次氯酸根的主要来源。保持适当的次氯酸根浓度对许多细胞功能至关重要,然而 研宄结果表明,一旦细胞内的次氯酸根水平不能保持在正常的生理水平范围内,将可能会 导致多种疾病,例如动脉粥样硬化、关节炎、类风湿性关节炎甚至肿瘤。与其它类型探针相 比,荧光探针拥有与生俱来的多项优势,它灵敏度高,特异性好,便于操作而且响应迅速,在 生物医学领域不但可以用于体外分析还可以用于活体的影像学研宄。最近几年来,能特异 性检测HC10/C10-的小分子荧光探针被大量报道。然而,其中许多探针水溶性差、灵敏度 低、pH对其检测效果影响大,还有一些探针生物毒性大、细胞膜渗透能力差,这些缺陷很大 程度上影响了探针的应用。因此,开发出能克服这些缺陷的新的荧光探针非常有必要。

【发明内容】

[0003] 本发明所要解决的技术问题是:克服现有技术存在的问题,提供一种次氯酸根离 子荧光探针,该荧光探针生物兼容性好、选择性高、灵敏度高,可方便检测次氯酸根离子,本 发明还提供该荧光探针的制备方法以及该探针在次氯酸根检测中的应用
[0004] 本发明的技术构思如下:该基于荧光素的衍生物探针可选择性与次氯酸根反应并 产生强烈荧光,且在0-50yM次氯酸根离子浓度范围内所产生的荧光强度与离子浓度线性 相关。本发明首次制备联氨吡啶基荧光素衍生物并首次将其用于次氯酸根离子的选择性检 测,从而解决上述技术问题。
[0005] 本发明解决其技术问题的技术方案如下:
[0006] 本发明的次氯酸根离子荧光探针,其为如式I所示的联氨吡啶基荧光素衍生物:
【主权项】
1. 一种次氯酸根离子荧光探针,其特征在于所述的探针为如式I所示的联氨吡啶基荧 光素衍生物:
O
2. -种如权利要求1所述次氯酸根离子荧光探针的制备方法,其特征在于包括以下步 骤: 第一步:将荧光素、氯仿、15-冠-5在甲醇溶液中反应,接着加入氢氧化钠溶液,反应后 得到如式II结构的荧光素单醛,
第二步:将荧光素单醛和肼基吡啶在乙醇溶液中反应生成的联氨吡啶基荧光素衍生物 即为次氯酸根离子荧光探针。
3. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于第一步的具体过程为:将荧光素溶于 甲醇,加入摩尔比为2:1-10:1的氯仿,然后加入摩尔比为0. 1%-10% 15-冠-5,接着缓慢 滴加10% -70%氢氧化钠溶液,反应结束后冷却,用浓度为10m〇l/L硫酸酸化,产生沉淀,过 滤,收集沉淀,真空干燥,将产品用硅胶层析法分离,得到的浅黄色固体即为荧光素单醛。
4. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于反应条件为:于40-60°C温度下反应, 持续搅拌回流5小时或以上。
5. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于第一步中在层析柱纯化过程中采用体 积比200:3的二氯甲烷:甲醇为洗脱液。
6. 根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于第二步的具体过程为:在30min内,向 荧光素单醛的乙醇溶液中滴加溶有肼基吡啶的甲醇溶液进行反应,其中荧光素单醛和肼基 吡啶的摩尔比为1 :〇. 5-1:10。
7. 根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于所述的甲醇用量不超过乙醇用量的 1/8〇
8. 根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于所述的反应条件为:于室温下反应,持 续搅拌12小时或以上。
9. 根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于第二步反应后进行纯化:产品为沉淀, 在反应溶剂中析出,收集产品烘干得粗品,然后用正戊烷洗涤即得次氯酸根离子荧光探针。
10. -种如权利要求1所述次氯酸根离子荧光探针在次氯酸根离子含量检测、生物样 本中次氯酸根的荧光显影中的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种次氯酸根离子荧光探针、制备方法及其应用,其可用于环境中次氯酸根离子含量的检测以及次氯酸根在生物样本中分布的荧光显影及含量检测。本发明荧光探针仅次氯酸根有荧光响应,对其他各种活性氧物种(ROS)包括H2O2、NO·、·O2-、ONOOˉ、ROO·、1O2、·OH均无反应,具有很好的选择性和特异性;该探针制备工艺简单易行,易于规模化生产。本发明的探针结构如式Ⅰ所示;其制备方法为:将荧光素单醛和肼基吡啶在乙醇溶液中反应即生成次氯酸根离子荧光探针。
【IPC分类】C07D493-10, G01N21-64, C09K11-06
【公开号】CN104710976
【申请号】CN201510005551
【发明人】陈小强, 王碧慧, 王苏鲁
【申请人】南京工业大学
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年1月6日
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