液晶介质、用于高频技术的组件和介晶化合物的制作方法
【专利说明】液晶介质、用于高频技术的组件和介晶化合物 发明领域
[0001] 本发明涉及液晶介质，特别是用于高频技术的液晶介质，尤其是用于高频器件的 组件，特别是天线，尤其用于千兆赫兹区域和太赫兹区域，其在微米波或毫米波范围操作。 这些组件使用特别的液晶化学化合物或者由其构成的液晶介质，例如用于可调谐的相控阵 天线或者基于"反射阵列"的微波天线的可调谐盒的微波的相位移。此外，本发明涉及新型 介晶化合物。
[0002] 现有技术和待解决的技术问题
[0003] 长期以来已经将液晶介质用于电光显示器（液晶显示器-IXD)中以显示信息。
[0004]例如，TO2008/128623A1 中建议式
【主权项】
1. 液晶介质，特征在于，其包含由一种或多种选自式I-M和I-U的化合物，
其中 R1是直链或支链的烷基，其是未取代的或者被F、Cl或CN单或多取代，并且其中一个 或多个〇12基团在每种情况下彼此独立地任选被-。-、、-、-·01-、^!^1!^ 2-、^。-、^。。-、-OCO-、-0C0-0-、-s-co-、-CO-S-、-CYtl1= CY °2-或-C ξ C-以 O 和 / 或 S 原子彼此不直接连 接的方式代替， L1为H或F， X1 为 F、CN 或 CF3， Yqi和Y °2彼此独立地为F、Cl或CN，且作为选择，其中之一可以为H，和 Rtl1和R °2彼此独立地为H或具有1至12个C原子的烷基。
2. 根据权利要求1的液晶介质，特征在于，其包含一种或多种式I的化合物，
L1表示H、具有1至6个C原子的烷基、具有3至6个C原子的环烷基或者具有4至6 个C原子的环烯基， X1表示H、具有1至3个C原子的烷基或者卤素， R11至R 14彼此独立地表示各自具有1至15个C原子的未氟代的烷基或者未氟代的烷 氧基，各自具有2至15个C原子的未氟代的烯基、未氟代的烯氧基或者未氟代的烷氧基烷 基，或者各自具有最多15个C原子的环烷基、烷基环烷基、环條基、烷基环條基、烷基环烷基 烷基或者烷基环烯基烷基，以及作为替代，R13和R14之一或者两者还表示H。
3. 根据权利要求2的液晶介质，特征在于，其包含一种或多种式1-2的化合物，
其中R11和R 12具有在权利要求2中给出的各自的含义。
4. 根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质，特征在于，其额外包含一种或多种选 自下列组分，组分C至E的组分： -强正介电性组分，组分C，其在20°C的温度和IkHz的频率下具有10或者更大的介电 各向异性， -强负介电性组分，组分D，其在20°C的温度和IkHz的频率下具有-5或者更小的介电 各向异性， -组分，组分E，其由具有7个或更多个五元或六元环的化合物组成并且在20°C的温度 和IkHz的频率下具有在大于-5. 0至小于10. 0范围内的介电各向异性，和 -组分，组分E，其由具有至多6个五元或六元环的化合物组成并且在20°C的温度和 IkHz的频率下同样具有在大于-5. 0至小于10. 0范围内的介电各向异性。
5. 根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质，特征在于，其包含一种或多种式VI的 化合物
其中 L61表示R61并且在其中Z 61和/或Z 62表示反式-CH = CH-或反式-CF = CF-的情况 下，作为选择还表示X61， L62表示R62并且在其中Z 61和/或Z 62表示反式-CH = CH-或反式-CF = CF-的情况 下，作为选择还表示X62， R61和R62彼此独立地表示H，具有1至17个C原子的未氟代的烷基或者未氟代的烷氧 基，或者具有2至15个C原子的未氟代的烯基、未氟代的烯氧基或者未氟代的烷氧基烷基， X61和X 62彼此独立地表示F或Cl，-CN，-NCS，-SF 5，具有1至7个C原子的氟代的烷基 或者烷氧基，或者具有2至7个C原子的氟代的烯基、烯氧基或者烷氧基烷基，或者-NCS， Z61和Z 62之一表示反式-CH = CH-、反式-CF = CF-或-C ξ c-，而另一个与之独立地 表示反式-CH = CH-、反式-CF = CF-或者单键，并且
彼此独立地表示
6. 制备根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质的方法，特征在于将如在权利要求 1中所定义的一种或多种式I-M的化合物和/或一种或多种式I-U的化合物与一种或多种 其它化合物和/或与一种或多种添加剂混合。
7. 根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质在用于高频技术的组件中的用途。
8. 用于高频技术的组件，特征在于，其含有根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介 质。
9. 微波天线阵列，特征在于，其包含一个或多个根据权利要求8的用于高频技术的组 件。
10. 调谐微波天线阵列的方法，特征在于，将根据权利要求8的用于高频技术的组件电 寻址。
【专利摘要】本发明涉及包含组分A的液晶介质，所述组分A由一种或多种选自式(I-M)和(I-U)的化合物组成其中参数具有在权利要求中或者文中给出的各个含义，以及涉及相应的新型介晶化合物及其制备方法。同样地，本发明涉及这些液晶介质的用途，特别是在高频技术的组件中的用途，并涉及含有根据本发明介质的这种类型的组件，以及涉及这些组件的生产和用途。根据本发明的组件适合于特别是在微波和毫米波范围中作为移相器，用于微波和毫米波阵列天线，和特别用于所谓的可调谐“反射阵列”。
【IPC分类】C09K19-34, C09K19-32, C09K19-18
【公开号】CN104870611
【申请号】CN201380066310
【发明人】A·曼那贝, D·克拉斯, R·泽格尔, M·维特克, M·布莱默
【申请人】默克专利股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2013年12月2日
【公告号】WO2014094973A1