一种智能传感装置的制作方法

文档序号:15744518发布日期:2018-10-23 22:53阅读:226来源:国知局

本发明属于热整流元件技术领域,尤其涉及一种智能传感装置。



背景技术:

类似于微电子技术的发展历程,热输运性质研究与热流控制技术的重大突破将为人类社会发展所面临的能源、信息等重大问题提供强有力的科技手段。在热器件的设计和制备中,对热整流效应的研究是很重要的方面。热整流是指热量传递依赖于温度梯度或者热流方向的一种特殊传热现象。

现有的一种智能传感装置存在着不方便存放,容易在放置盒内滑出和不容易将硅基片在放置盒内拿出的问题。

因此,发明一种智能传感装置显得非常必要。



技术实现要素:

为了解决上述技术问题,本发明提供一种智能传感装置,以解决现有的一种智能传感装置存在的不方便存放,容易在放置盒内滑出和不容易将硅基片在放置盒内拿出的问题,一种智能传感装置,包括盒体,挡块,防护杆,杆槽和热整流元件,所述的挡块安装在盒体的内部两侧;所述的杆槽开设在盒体的上部前端左右两侧;所述的防护杆插接在杆槽内;所述的热整流元件设置在挡块上;所述的热整流元件包括硅基片,多孔硅层,卡槽和铝膜,所述的铝膜设置在硅基片的下部;所述的多孔硅层设置在硅基片的上部;所述的卡槽开设在硅基片的左侧。

本发明还可以采用如下技术措施。

所述的防护杆下部设置有吸盘,有利于提高安装后的稳定性,且防止防护杆在杆槽内全部抽出。

所述的挡块成对设置,所述的挡块设置有四对,可同时将四个热整流元件放置在挡块上。

所述的铝膜的厚度为150nm-250nm。

所述的硅基片的厚度为500nm-550nm。

所述的多孔硅层内多孔硅的孔径平均为5nm-10nm。

与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:

本发明具有的优点和积极效果是:本发明通过挡块的成对设置,可同时将四个热整流元件放置在挡块上,通过防护杆的设置,有利于防止热整流元件在盒体内滑出,通过吸盘的设置,有利于提高安装后的稳定性,且防止防护杆在杆槽内全部抽出。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图2是本发明的热整流元件的结构示意图。

图中:

1-盒体;2-挡块;3-防护杆;31-吸盘;4-杆槽;5-热整流元件;51-硅基片;52-多孔硅层;53-卡槽;54-铝膜。

具体实施方式

以下结合附图对本发明做进一步描述:

实施例:

如图1和图2所示

本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:一种智能传感装置,包括盒体1,挡块2,防护杆3,杆槽4和热整流元件5,所述的挡块2安装在盒体1的内部两侧;所述的杆槽4开设在盒体1的上部前端左右两侧;所述的防护杆3插接在杆槽4内;所述的热整流元件5设置在挡块2上;所述的热整流元件5包括硅基片51,多孔硅层52,卡槽53和铝膜54,所述的铝膜54设置在硅基片51的下部;所述的多孔硅层52设置在硅基片51的上部;所述的卡槽53开设在硅基片51的左侧。

本发明还可以采用如下技术措施。

所述的防护杆3下部设置有吸盘31,有利于提高安装后的稳定性,且防止防护杆3在杆槽4内全部抽出。

所述的挡块2成对设置,所述的挡块2设置有四对,可同时将四个热整流元件5放置在挡块2上。

所述的铝膜54的厚度为150nm-250nm。

所述的硅基片51的厚度为500nm-550nm。

所述的多孔硅层52内多孔硅的孔径平均为5nm-10nm。

工作原理

本发明在工作过程中,使用时将防护杆3在杆槽4内抽出,然后将热整流元件5放入挡块2上或在挡块2上将热整流元件5拿出,不使用时,将防护杆3插入杆槽4内,使防护杆3底部的吸盘31与盒体1的内侧底部吸附固定。

利用本发明所述的技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。

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