专利名称：饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法
技术领域：
本发明涉及的是饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法，进而详细说明的话，所涉及的是将由聚对苯二甲酸乙二酯等的饱和聚酯形成的有底预塑形坯(preform)或瓶、杯等的应利用盖体等密封的口颈部进行加热并晶化的饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法。
背景技术：
由饱和聚酯形成的瓶，是通过将通常由注射模塑成形等而形成的非晶形组织的有底预塑形坯留下应成为口颈部的部分后，进行双轴延伸吹塑成形而制造出来的。
这种瓶，其凸缘部、主体部及底部被分子定向，其透明性、气密性、强度、耐冲击性等的容器特性出色；进而，将这些凸缘部、主体部及底部热定形的瓶具有，在热充填时这些部分难以发生因收缩而引起的变形的优点。
然而，由于容器的口颈部仍旧为非晶形组织的状态，因此在进行热充填时口颈部整体或螺钉部等发生变形，密封性容易受损。
为了克服该缺点，建议通过将预塑形坯或容器的口颈部加热并晶化，使口颈部的硬度及耐热性提高的技术(专利文献1)。
另外，为了不使口颈部发生变形、且使其有效地晶化，建议将口颈部在第一阶段以低温进行加热后，接着提高加热温度进行加热·晶化的技术(专利文献2)。
进而，建议利用沿着预塑形坯输送通路排列的多个近红外线加热装置，将口颈部加热晶化的晶化方法的技术；如果采用该技术的话，能够均匀地加热口颈部的内外面(专利文献3)。
另外，现有的加热器组是，由反照射侧半面上实施了陶瓷涂层的近红外线加热器和反射板构成的。
该近红外线加热器并设于反射板曲面领域的大致中央部的上下方向两处上。另外，反射板采用将圆筒沿着中心轴对开的曲面和从该曲面的两端部起在切线方向上延长的隧道形状。
通过采用这种形状，从近红外线加热器照射出的照射光被陶瓷涂层和反射板反射，或不被反射而直接放射到被加热部(专利文献4)。
进而，公开有将除下端膨胀部以外的未延伸的口栓部作为白化部分，同时，将口栓部下端的未延伸的膨胀部作为未白化部分的聚对苯二甲酸乙二酯瓶的技术(专利文献5)。如果采用该技术的话，口栓部的白化部分，在耐热性提高的同时具有充分的耐冲击性；进而，通过口栓部下端的未白化部分，可以得到适度的柔性，从而能够防止在充填作业等中，被施加过度的力而破损的不良情况的发生。
专利文献1特公平3-67499号公报专利文献2特公平3-26646号公报专利文献3特公平5-9261号公报专利文献4特公平6-22876号公报专利文献5特公平4-79901号公报发明内容发明所要解决的课题但是，现有的加热器组虽然陶瓷涂层和反射板将照射光反射，但是由于大致放射状地向照射侧进行照射，因此偏离口颈部而被照射的照射光多，难以将照射光仅聚光于需要加热·晶化的部分上。
另外，饱和聚酯空心体的口颈部，在口颈部的底部外周上设有螺纹和颈环等，具有壁厚不一定的复杂形状，上述问题进一步明显化。进而，也必须在圆周方向上均匀地进行加热。
另外，从能源有效利用的点来看，也要求进行改良。
本发明是为了解决上述诸问题，其目的在于提供一种，通过在使饱和聚酯空心体自转的状态下，将照射光聚光于欲加热·晶化的部分，能够根据由口颈部的形状、壁厚、物性及光吸收率而决定的升温特性进行加热，从而实现均匀晶化的饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法。
解决课题的手段为了达成该目的，本发明的饱和聚酯空心体的加热晶化装置是，通过在使上述饱和聚酯空心体自转的状态下，将来自加热器组的光照射于饱和聚酯空心体的口颈部并进行加热，使上述口颈部晶化的饱和聚酯空心体的加热晶化装置；并构成为，上述加热器组设有加热口颈部的加热灯、使从该加热灯照射出的光聚光的聚光手段、以及将从上述聚光手段照射出的光以规定的光强度照射于上述口颈部的规定位置的照射光控制手段。
这样的话，由于能够有效地将光照射于口颈部上，因此能够有效地利用加热灯主体的能量，从而能够降低耗散功率。另外，由于能够重点加热想加热的点，因此能够高精度地控制加热条件。进而，由于在使饱和聚酯空心体自转的状态下光被照射，因此能够在圆周方向上进行均匀的加热。
另外，本发明构成为，上述加热器组根据由上述口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性照射上述光。
这样的话，由于对于仅照射大致均匀光强度的光的话晶化会发生不均的口颈部，能够根据升温特性重点加热想加热的点，因此能够实现进一步均匀的晶化。另外，能够高精度地控制结晶度，从而可以得到所希望的特性。
另外，本发明构成为，将上述聚光手段作为具有一定焦距的反射板，并且，将上述照射光控制手段作为可调整上述加热灯及聚光手段的设置位置及/或设置方向的位置调整手段。
这样的话，能够将加热器组的构造简单化，同时，能够以规定的光强度容易地将照射光照射于口颈部的规定位置上。而且，设置位置的调整，通常是通过向垂直方向及/或水平方向的移动而进行的。
另外，本发明构成为，将上述加热器组沿着上述饱和聚酯空心体的输送路径并设(同时设置)有多个。
这样的话，通过使饱和聚酯空心体的口颈部连续通过多个加热器组的前面，能够连续地进行加热，从而实现了饱和聚酯空心体的连续晶化，使生产效率提高。
另外，本发明构成为，使上述多个加热器组的光照位置在水平方向及垂直方向上不同。
这样的话，由于各加热器组能够加热口颈部的规定部分，因此能够高精度且容易地控制口颈部各部分的结晶度。
另外，本发明的饱和聚酯空心体的加热方法是，通过在使上述饱和聚酯空心体自转的状态下，将来自加热器组的光照射于饱和聚酯空心体的口颈部并进行加热，使上述口颈部晶化的饱和聚酯空心体的加热方法；是通过将来自上述加热器组的光以规定的光强度聚光于上述口颈部的规定位置上，从而加热上述口颈部的方法。
这样，本发明作为加热方法也是有效的，而且由于能够有效地将光照射于口颈部上，因此能够有效地利用加热灯的能量，能够降低耗散功率。进而，由于在使饱和聚酯空心体自转的状态下光被照射，因此能够在圆周方向上进行均匀的加热。
另外，本发明为，根据由上述口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性，照射上述光的方法。
这样的话，即使饱和聚酯空心体的口颈部形状等变得复杂，也能够有效且均匀地使口颈部晶化。另外，可以高精度地控制结晶度，从而能够得到所希望的特性。
另外，本发明为，将聚光焦点对在接近上述口颈部轴中心的部分上，接着在比该焦点前方的部分上对焦并进行加热的方法。
这样的话，可以从接近轴中心的部分开始白化，可以防止因光被遮住而升温特性降低这样的不良情况的发生。
另外，本发明为，将聚光焦点对在上述口颈部的颈环部上进行加热的方法。
这样，通过使光优先聚光于光不易到达的颈环部，能够有效地进行加热。
发明内容
如以上详细说明，如果采用本发明的饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法的话，由于能够有效地将光照射于口颈部上，因此能够改善能源效率。进而，由于在使饱和聚酯空心体自转的状态下光被照射，因此能够在圆周方向上进行均匀的加热。
进而，由于能够根据由口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性容易地调整光强度，因此能够使口颈部进一步均匀地晶化。另外，也能够高精度且容易地控制口颈部各部分的结晶度。
附图的简单说明
图1表示本发明实施形态涉及的饱和聚酯空心体的加热晶化装置的概略俯视图。
图2a表示用于说明本发明实施形态涉及的饱和聚酯空心体的加热晶化装置的加热器组的概略正视图。
图2b表示包括图2a的部分剖面A-A的加热器组的概略侧面图。
图3a表示说明第一加热器组的照射状态的概略侧面图。
图3b表示说明第二加热器组的照射状态的概略侧面图。
图3c表示说明第三加热器组的照射状态的概略侧面图。
图3d表示说明第四加热器组的照射状态的概略侧面图。
图3e表示说明第五及第六加热器组的照射状态的概略侧面图。
图3f表示说明第七及第八加热器组的照射状态的概略侧面图。
符号说明1 加热晶化装置9 照射光10 预塑形坯11 口部12 颈环13 螺纹14 阶梯部20 输送手段21 转台22 链式输送机23 供料机24 排出机25、26 加热领域30(30a～30f) 加热器组31 卤素灯32 反射板33 筐体40 位置调整手段41 基体板42 垂直方向移动板43a、45a、47a 螺栓43b、45b 锁紧螺母44 水平方向移动板46 连结部件210 支架发明的最佳实施形态以下，参照附图对本发明适宜的各实施形态进行说明。
(饱和聚酯空心体的加热晶化装置)图1表示本发明实施形态涉及的饱和聚酯空心体的加热晶化装置的概略俯视图。
在图1中，加热晶化装置1构成为，设有输送作为饱和聚酯空心体的PET瓶的预塑形坯10的输送手段20，和通过将照射光9照射于作为饱和聚酯空心体的口颈部的预塑形坯10的口部11并进行加热，使口部11晶化的多个加热器组30a～30f。
另外，加热晶化装置1通常作为预塑形坯晶化装置(未图示)的加热部而被使用。而且，本发明涉及的加热晶化装置1并不限定于使用于预塑形坯晶化装置的情况。
(输送手段)输送手段20构成为，设有一对转台21、挂在该转台21上的链式输送机22、以及自转自如地连接于链式输送机22、且插入预塑形坯10的支架210。
转台21通过电动机(未图示)旋转，连续地输送连接于链式输送机22上的支架210。然后，供料机23将预塑形坯10以口部11露出的状态插入到被输送来的空支架210，排出机24将通过了相对的加热领域25、26的预塑形坯10从支架取出。
另外，输送手段20虽然未图示，但是使用周知的手段。例如，支架210上设有小齿轮，加热领域25、26的规定位置上设有齿条。由此，在预塑形坯10通过加热领域25、26时，由于小齿轮与齿条啮合而旋转，因此预塑形坯10以以纵向轴为中心自转的状态被输送，并在圆周方向上被均匀地加热。而且，自转机构并不限定于上述机构。
(加热器组)图2a表示用于说明本发明实施形态涉及的饱和聚酯空心体的加热晶化装置的加热器组的概略正视图。
另外，图2b表示包括图2a的部分剖面A-A的加热器组的概略侧面图。
在图2a、2b中，加热器组30构成为，在细长矩形箱状的筐体33内收容有作为加热灯的棒状卤素灯31和反射板32，并通过位置调整手段40被支持。而且，各加热器组30a～30f的光照位置不同，而其他构成大致相同。
另外，所谓的“卤素灯”是指，在密封气体中添加了惰性气体及微量卤素物质的红外线灯，在本实施形态中，使用照射近红外线的卤素灯31。
而且，所使用的加热灯并不限定于卤素灯31，例如，也可以使用通过光照射进行加热的一般的红外线灯等。另外，加热灯并不限定于棒状形状。
反射板32如图2b所示，形成为具有一定焦距的弯曲状，二维上呈将从卤素灯31照射出的照射光9反射，并聚光于口部11的任意F点(光照点)上的形状。从而，三维上如图2a所示，呈将从棒状卤素灯31照射出的照射光9反射为线状。
这样的话，加热器组30能够将除从卤素灯31照射出的一部分光以外的大部分光照射于口部11，从而能源效率被改善、能够降低耗散功率。
另外，通过降低耗散功率，例如，不将加热器组30进行水冷也可以，能够使构造简单化，能够谋求设备费用的降低。
进而，通过有效地将照射光9照射于口部11，例如，不进行利用热风的加热也可以，因此能够使构造进一步简单化。
而且，虽未图示，但也可以在反射板32上形成散热片，由此能够使冷却效率提高。
筐体33呈细长的四角柱状的形状，具有从照射侧的侧面收容反射板32及卤素灯31的构造。而且，筐体33的形状并不限定于本例子。
该筐体33支持卤素灯31的两端部，且虽未图示，但从两端面引出卤素灯31的电源电缆。
位置调整手段40由，立设于上方的基体板41、在垂直方向上可滑动地支持于基体板41的垂直方向移动板42、进行垂直方向移动板42的垂直方向移动及定位的螺栓43a及锁紧螺母43b、在水平方向上可滑动地支持于垂直方向移动板42顶部的水平方向移动板44、进行水平方向移动板44的水平方向移动及定位的螺栓45a及锁紧螺母45b、支持可向上下方向转动地安装于水平方向移动板44上的筐体33的连结部46、以及进行连结部件46的转动方向定位的螺栓47a构成。由此，加热器组30相对于预塑形坯10的口部11，能够自如地调整水平及垂直方向的距离、和上下方向的照射角度。
这样，加热器组30a～30f设有上述构成的位置调整手段40，并通过该位置调整手段40能够容易地设定筐体33和口部11的位置关系，能够以规定的光强度将照射光9照射于口部11的规定位置上。另外，加热器组30a～30f由于构造被简单化，因此能够谋求制造成本费的降低。
而且，位置调整手段40并不限定于上述构成，只要是通过以规定的光强度聚光于口部11的规定位置上，能够加热口部11的机构即可。另外，光强度的调整不仅仅是控制加热器组的位置关系，例如，也可以控制卤素灯31的电压。
加热晶化装置1，如图1所示，在沿着预塑形坯10的输送路径的加热领域25、26上，并设有合计八个加热器组30a～30f。这样的话，通过使预塑形坯10的口部11连续通过多个加热器组30a～30f的前面，能够连续地进行加热，实现了口部11的连续晶化，从而能够使生产效率提高。
而且，在本实施形态中，将加热器组的数目作为八个进行了说明，但是并不限于此。另外，虽然在右侧的转台21的外周部上未设有加热器组，但是也可以将该领域作为加热领域而利用，从而能够谋求节省空间。
另外，加热晶化装置1构成为，使利用加热器组30a～30f的光照位置不同。这样的话，由于各加热器组30a～30f能够加热口部11的规定部分，因此能够高精度且容易地控制口部11各部分的结晶度。
在此，以各加热器组30a～30f，根据由预塑形坯10的口部11的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性，以规定的光强度将照射光9照射于口部11的规定位置上为佳；这样的话，对于仅照射大致均匀光强度的光的话晶化会发生不均的口部11，能够根据升温特性重点加热想加热的点，因此可以实现进一步均匀的晶化。另外，在欲使结晶度部分不同的情况下，能够高精度地控制结晶度，可以得到所希望的特性。
另外，所谓的“升温特性”是指，将光照射于口颈部进行了加热时的口颈部各部的温度上升率。例如，PET瓶的预塑形坯10，在口部11的顶部上形成有螺纹13，中段部上形成有阶梯部14，底部形成有颈环12。因此，壁厚厚的部分的升温特性变小，温度不易上升。
另外，相对于晶化前的预塑形坯10无色透明，被晶化后变化为白色、光吸收率发生变化。因此，从无色透明状态白化的部分升温特性变大且温度急剧上升，而另一方面，通过白化的部分照射光9被遮住的部分，利用照射光9的升温特性急剧变小。
也就是说，所谓的“根据升温特性”是指，“考虑升温特性，以可以均匀晶化的照射条件”的意思。
接下来，参照附图对各加热器组30a～30f的照射条件及加热晶化装置1的动作进行说明。而且，本发明涉及的加热晶化装置的照射条件及动作并不限定于此。
(第一加热器组)首先，图3a表示说明第一加热器组30a的照射状态的概略侧面图。
在图3a中，第一加热器组30a被调整为，照射光9聚光于口部11的顶部中央。也就是说，加热器组30a以朝向水平方向的状态，被设定于口部11的上方且接近于口部11的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30a照射出的照射光9整体地加热口部11，同时，特别是加热口部11上方的螺纹13。
接下来，图3b表示说明第二加热器组30b的照射状态的概略侧面图。
在图3b中，第二加热器组30b被调整为，照射光9聚光于口部11的顶部外周上。也就是说，加热器组30b与加热器组30a相比，被设定于在水平方向上从口部11远离的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30b照射出的照射光9，重点加热并晶化口部11的螺纹13。
接下来，图3c表示说明第三加热器组30c的照射状态的概略侧面图。
在图3c中，第三加热器组30c被调整为，照射光9聚光于口部11的中段部中央。也就是说，加热器组30c与加热器组30b相比，被设定于在水平方向上接近口部11、且向下方移动的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30c照射出的照射光9整体地加热口部11，同时，特别是加热口部11中段的阶梯部14。
接下来，图3d表示说明第四加热器组30d的照射状态的概略侧面图。
在图3d中，第四加热器组30d被调整为，照射光9聚光于口部11的中段部外周上。也就是说，加热器组30d与加热器组30c相比，被设定于在水平方向上从口部11远离的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30d照射出的照射光9，重点加热并晶化口部11的阶梯部14。
接下来，图3e表示说明第五及第六加热器组30e的照射状态的概略侧面图。
在图3e中，第五及第六加热器组30e被调整为，照射光9从斜上方聚光于口部11的下段部外周上。也就是说，加热器组30e与加热器组30d相比，被设定于在水平方向上从口部11远离并向上方移动、且向下方转动的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30e照射出的照射光9重点地加热并晶化口部11下段的颈环12。而且，加热器组30e并设有两个。
接下来，图3f表示说明第七及第八加热器组30f的照射状态的概略侧面图。
在图3f中，第七及第八加热器组30f被调整为，照射光9从斜上方聚光于口部11的下段部中央。也就是说，加热器组30f与加热器组30e相比，被设定于在水平方向上接近口部11的位置上。
加热晶化装置1通过从加热器组30f照射出的照射光9，整体地加热口部11的顶面及外周面，并促进晶化。而且，加热器组30f并设有两个。
这样，本实施形态的饱和聚酯空心体的加热晶化装置1，由于能够将从卤素灯31照射出的光聚光，因此能够有效地将照射光9照射于作为加热对象的口部11上，从而能够提高能源效率。
另外，由于根据口部11的升温特性将规定光强度的照射光照射于口部11的规定位置上，因此，即使例如对于壁厚不同、形状复杂的口部11，也可以实现进一步均匀的晶化。
进而，由于能够一边使预塑形坯10自转，一边将照射光9照射于口部11上，因此能够在圆周方向上进行均匀的加热。
第一实施例接下来，对上述加热晶化装置1的第一实施例进行说明。
在本实施例中，使用加热晶化装置1(加热器组的数目为20个)，加热预塑形坯10的口部11，并使口部11晶化。此时，加热晶化装置1被最适合地设定为光照位置在水平及垂直的两方向上变化，并使口部11的大致整体晶化为，平均结晶度为大约35体积百分比。而且，最初预塑形坯温度为约35℃，加热时间为约两分钟。
上述加热晶化装置1中，加热器组30的耗散功率合计为40KW。相对于此，在使用现有的加热晶化装置以大致相同的条件使口部11晶化的情况下，加热器组的耗散功率合计为120kW。也就是说，加热晶化装置1可以将加热器组30的耗散功率节电大约67％。
第二实施例接下来，对上述加热晶化装置1的第二实施例进行说明。
在本实施例中，使用被最适合地设定为光照位置在水平方向上变化的加热晶化装置1，加热预塑形坯10的口部11，并使口部11晶化。而且，其他条件与第一实施例大致相同。
上述加热晶化装置1中，加热器组30的耗散功率合计为45KW。也就是说，加热晶化装置1能够将加热器组30的耗散功率节电约63％。
另外，本实施例的加热晶化装置1，被最适合地设定为光照位置在水平方向上变化，但是并不限定于该构成，例如，也可以采用设定为使光照位置在垂直方向上变化的构成。
(饱和聚酯空心体的加热方法)本实施形态的加热方法，是通过一边使预塑形坯10自转，一边将来自加热器组30的照射光9照射于预塑形坯10的口部11并进行加热，从而使口部11晶化的饱和聚酯空心体的加热方法；是通过将来自加热器组30的光以规定的光强度聚光于口部11的规定位置上，从而加热口部11的方法。
这样，由于通过将从卤素灯31照射出的光聚光于口部11，能够减少不入射口部11的光，因此能够改善能源效率，从而能够降低耗散功率。
另外，通过调整相对于口部11的焦距，可以调整光强度。也就是说，若将焦距调整为照射光9的照射面积变小的话，则光强度变强；相反，若将焦距调整为照射面积变大的话，则光强度变弱。这样，能够容易地调节口部11的规定位置的光强度，能够高精度地控制加热能。
另外，一般来说，形状复杂、壁厚不同或光吸收率不同的口部11，在各部中的升温特性不同。例如，在通过如太阳光那样的均匀光强度的光被加热的情况下，壁厚厚的部分，其接近热源的部分容易升温，越远离热源越难以升温。
这样，若加热条件不稳定的话，晶化不充分的部分机械强度变低；另外，过于晶化的部分变脆且发生变形，由此要求进一步均匀地晶化。
因此，以根据口部11的各部中的升温特性控制照射于各部的光的光强度为佳；若这样的话，例如，即使对于复杂形状的口部11，也能够使各部的温度曲线一致，因此能够均匀地晶化。
例如，若相对于热源前方部分白化的话，则光被遮住的后方部分通过热传导而升温，升温特性变小。这种情况下，为了光不被遮住，以首先将聚光的焦距对在后方部分，并从后方慢慢地向前方进行加热为佳。
另外，以使光优先聚光于口部11的光不易到达的部分为佳，由此在口部11通过加热白色化或变色而光吸收率发生变化的情况下，能够根据光吸收率的变化或利用该变化，有效地进行加热。
进而，如上所述，以作为聚光手段使用具有一定焦距的反射板32，调整卤素灯31及反射板32的设置位置及/或设置方向的方法为佳，这样的话，能够容易地将照射光9以规定的光强度照射于口部11的规定位置上。
以上，对本发明的饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法，示以理想的实施形态进行了说明，但是本发明并不仅限定于上述实施形态，当然可以在本发明的范围内进行各种变更实施。
例如，上述实施形态的加热晶化装置1根据预塑形坯10的口部11的形状设定了加热器组30a～30f，但是并不限定于上述设定，也可以替换加热器组30a、30b和加热器组30c、30d，或增减各加热器组的数目。
工业上的利用可能性本发明的饱和聚酯空心体的加热晶化装置及其加热方法，其加热对象并不限定于PET瓶的预塑形坯10的口部11，例如，也可以适当地利用于PET瓶以外的容器等的口颈部上。
权利要求
1.一种饱和聚酯空心体的加热晶化装置，是通过在使上述饱和聚酯空心体自转的状态下，将来自加热器组的光照射于饱和聚酯空心体的口颈部并进行加热，从而使上述口颈部晶化的装置，其特征在于，所说的加热器组设有加热灯、将从该加热灯照射出的光聚光的聚光手段、以及将从上述聚光手段照射出的光以规定的光强度照射于上述口颈部的规定位置上的照射光控制手段。
2.如权利要求1所述的饱和聚酯空心体的加热晶化装置，其特征在于，所说的加热器组构成为，根据由上述口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性照射上述光。
3.如权利要求1或2所述的饱和聚酯空心体的加热晶化装置，其特征在于，将所说的聚光手段作为具有一定焦距的反射板，并且，将所说的照射光控制手段作为可调整上述加热灯及聚光手段的设置位置及/或设置方向的位置调整手段。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的饱和聚酯空心体的加热晶化装置，其特征在于，将所说的加热器组沿着上述饱和聚酯空心体的输送路径并设有多个。
5.如权利要求4所述的饱和聚酯空心体的加热晶化装置，其特征在于，使所说的多个加热器组的光照位置，在水平方向及垂直方向上不同。
6.一种饱和聚酯空心体的加热方法，是通过在使上述饱和聚酯空心体自转的状态下，将来自加热器组的光照射于饱和聚酯空心体的口颈部并进行加热，从而使上述口颈部晶化的加热方法，其特征在于，通过将来自所说的加热器组的光以规定的光强度聚光于上述口颈部的规定位置上，加热上述口颈部。
7.如权利要求6所述的饱和聚酯空心体的加热方法，其特征在于，根据由上述口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性，照射所说的光。
8.如权利要求6或7所述的饱和聚酯空心体的加热方法，其特征在于，使聚光焦点对在接近所说的口颈部轴中心的部分，接着在比该焦点前方的部分上对焦并进行加热。
9.如权利要求6～8中任意一项所述的饱和聚酯空心体的加热方法，其特征在于，使聚光焦点对在所说的口颈部的颈环部而进行加热。
全文摘要
通过将照射光聚光于欲晶化的部分，改善能源效率，同时，一边使饱和聚酯空心体自转，一边根据由口颈部的形状、壁厚及光吸收率而决定的升温特性进行加热，从而可以均匀地晶化；加热晶化装置(1)是，通过将来自加热器组(30)的光照射于自转的预塑形坯(10)的口部(11)并进行加热，从而使口部(11)晶化的饱和聚酯空心体的加热晶化装置；并构成为，加热器组(30)设有卤素灯(31)、反射板(32)、以及以规定的光强度将照射光(9)照射于口部(11)的规定位置上的位置调整手段(40)。
文档编号B29C71/02GK1984766SQ200480043529
公开日2007年6月20日 申请日期2004年7月28日 优先权日2004年7月28日
发明者鹫崎祐树, 根本悟, 石川昌广 申请人:东洋制罐株式会社