专利名称：一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种物体的加热干燥系统，尤其是指一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统。
远红外线的波长大约为3.0μm-1000μm，其通过辐射的方式将热量直接传递至被加热的物体上，不须中间介质作为传热媒介，因此远红外线加热是能量传递效率最高的加热方式。远红外线是长波长的辐射热，放射温度低于600℃，属于低温型辐射体发出的能量，能量比较不集中，用于表面加热。相对的红外线辐射体是短波长(0.7μm-2.0μm，放射温度约1200℃)，辐射能量大且较集中，被广泛应用于涂装干燥领域。但对于高分子物质(涂料、纤维、肉类、食品等)而言，其在远红外线波段具有强吸收带，因此，远红外线在高分子领域的加热、干燥应用方面深受重视。最近日本相继开发了在各种工业产品的干燥、食品工业、暖房利用等领域的远红外线的应用，并逐渐被广泛使用。
远红外线辐射加热的基本原理为入射(辐射量)＝受热物(吸收能量十反射能量十透射能量)，当受热物的吸收能量达到最大时即产生最佳的加热效果。影响吸收能量的因素有入射(辐射量)和吸收系数，单位面积入射(辐射量)＝EδT，其中E为放射率，δ为常数，T为绝对温度。当E＝1时为百分之百的发射率，此为黑体辐射的效果，一般辐射器的发射率在1以下。
所谓的高发射效率远红外线辐射体是近似的理想黑体(blockbody)，即其总放射率(emissivity)接近1。目前，日本比较知名的陶瓷工业厂家所开发远红外线陶瓷的放射率约为0.92-0.93。目前电容晶片沾银(铜)后的干燥作业采用的是传热风炉干燥方式，其缺点是耗费人力，且干燥时间约30分钟以上，这种传热风炉干燥作业方式无法衔接在自动沾银(铜)机的后段，做即时干燥的自动作业。
本实用新型基于两个理由采用远红外线陶瓷器热辐射的加热方式来设计一套连能够续干燥作业的加热炉，其可衔接在自动沾银(铜)机后段，连接成一套自动化的生产设备。这两个理由是(1)远红外线易于被加热体吸收的加热特点，目前精密陶瓷工业致力开发高发射效率的陶瓷加热器以取代传统的石英管加热器，(2)为了能在自动沾银(铜)作业后马上进行干燥作业，以提高生产量和降低人工作业。
本实用新型的目的是提供一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，来取代传统的费人力且效率低的加热干燥系统。
为达到上述目的，本实用新型采用下述技术方案该系统包括一输送带，一载料片和一加热器，所述输送带为自动运输的装置；所述载料片接合在上述输送带上，该载料片中有复数个圆洞，该圆洞中有沾银(铜)晶片；所述加热器处于该沾银(铜)晶片的上方。
所述输送带为一输送钢带。
所述加热器为远红外线陶瓷加热器。
所述远红外线陶瓷加热器的发射率在0.92-0.94之间。
所述加热器为远红外线陶瓷管状加热器。
所述远红外线陶瓷管状加热器的发射率在0.92-0.94之间。
所述加热器为远红外线陶瓷平面状加热器。
所述远红外线陶瓷平面状加热器的发射率在0.92-0.94之间。
还包括一用来防止所述加热器放出的热量传到该干燥系统外的炉壁，该炉壁为一绝热装置。
采用上述技术方案后，由于采用了高发射效率的远红外线陶瓷加热器，因此节省了晶片沾银(铜)材质的干燥时间，另外，自动化的输送带能提高生产效率和降低人工作业的人力。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的示意图；图2是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的远红外线陶瓷管状加热器的示意图；图3是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的另一实施例的示意图；图4是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的远红外线陶瓷平面状加热器的示意图；图5是本实用新型的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统的炉体结构中加热系统部件的相关配置位置的示意图。
参阅
图1，输送钢带100为一可自动运输的装置，其输送速度可视情况调整；在该输送钢带100上贴上黏胶110。然后，将载料片120贴合在黏胶110上，载料片120的物理尺寸包含但不限定于是240×140mm，载料片120中有复数个圆洞130，圆洞130的大小与密度的设计以能符合晶片的物理尺寸、最佳放置数目和放置便利为原则，晶片的物理尺寸包含但不限定于是12×6mm、8×5mm、6×3mm或4×2mm。
然后，使已沾银(铜)膏的晶片沾银(铜)材质180穿过上述载料片120的圆洞130贴合于黏胶110上；接着，远红外线陶瓷管状加热器160发出热辐射，进行载料片120中的晶片沾银(铜)材质180的烘干作业。由于反射板150所反射的热辐射也沿着辐射方向170的方向，因此这将提高烘干速度。整个晶片沾银(铜)材质180接受热辐射的时间可以由输送钢带100沿着输送方向140的输送速度决定。
远红外线陶瓷管状加热器160的结构图如图2所示。其中陶瓷管200为一热放射体，镍铬线210装在陶瓷管200的内部，镍铬线210为一电阻丝发热体。镍铬线210通过传热来加热陶瓷管200，然后，陶瓷管200放射出远红外线。本实用新型的陶瓷材料的发射率，例如，在0.92-0.93之间。
远红外线陶瓷管状加热器160有三个特征(1)一般须配合反射板使用，(2)可依处理的对象选用不同的长度，(3)最适于进行平面状或管状制品的加热。
此外，提升受热物体的吸收率有助于提高受热物体的热吸收量，而吸收率与受热物体的材质辐射波长有密切关系。本实用新型的装置应用在银膏或铜膏的干燥方面，而银膏或铜膏材质对远红外线波长有高的吸收系数。因此，把远红外线陶瓷加热器应用在晶片沾银(铜)的干燥中，会有很高的加热干燥性能。
另外，本实用新型的另一个实施例可参阅图3与图4。首先参阅图3，输送钢带300为一可自动运输的装置，其输送速度可视情况调整；在该输送钢带300上贴上黏胶310。然后，将载料片320贴合在黏胶310上，载料片320的物理尺寸包含但不限定于是240×140mm，载料片320中有复数个圆洞330，圆洞330的大小与密度的设计以能符合晶片的物理尺寸、最佳放置数目和放置便利为原则，晶片的物理尺寸包含但不限定于是12×6mm、8×5mm、6×3mm或4×2mm。
然后，使已沾银(铜)膏的晶片沾银(铜)材质370穿过上述载料片320的圆洞330贴合于黏胶310上；接着，远红外线陶瓷平面状加热器350发出热辐射，进行载料片320中的晶片沾银(铜)材质370的烘干作业。整个晶片沾银(铜)材质370接受热辐射的时间可以由输送钢带300沿着输送方向340的输送速度决定。
远红外线陶瓷平面状加热器350的结构图如图4所示。其中远红外线放射材420为一热放射体，发热体400的内部装有镍铬线440，镍铬线440为一电阻丝发热体。镍铬线440通过传热经过一导热材410来加热远红外线放射材420，由于断热材430的阻热作用，镍铬线440将只向导热材410一方传热；然后，远红外线放射材420放射出远红外线。本实用新型的陶瓷材料的发射率，例如，在0.92-0.93之间。
远红外线陶瓷平面状加热器350有四个特征(1)炉内的能量密度较高，(2)不须反射板，(3)因为温度分布较均匀，因此适用于薄且面积大的物件的处理，(4)可分区段控制。
此外，提高受热物体的吸收率有助于提高受热物体的热吸收量，而吸收率与受热物体的材质辐射波长有密切关系。本实用新型的装置应用在银膏或铜膏的干燥方面，而银膏或铜膏材质对远红外线波长有高的吸收系数。因此，把远红外线陶瓷加热器应用在晶片沾银(铜)的干燥中，会有很高的加热干燥性能。
图5所示是本实用新型的炉体结构中加热系统部件的相关配置位置的示意图。其中远红外线陶瓷加热器510置于炉壁500内部的上方，晶片沾银(铜)材质520置于输送钢带530的上面，输送钢带530置于炉壁500内部的下方。
由上述说明可知，本实用新型的优点为采用高发射效率的远红外线陶瓷加热器节省了晶片沾银(铜)材质的干燥时问，自动化的输送钢带能提高生产效率和降低人工作业的人力。
以上所述，仅为本实用新型的最佳具体实施例，实际并不局限于此，凡有相同或等效原理之变化者，皆为本专利的保护范围。
权利要求1.一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，包括一输送带，一载料片和一加热器，其特征在于所述输送带为自动运输的装置；所述载料片接合在上述输送带上，该载料片中有复数个圆洞，该圆洞中有沾银(铜)晶片；所述加热器处于上述沾银(铜)晶片的上方。
2.根据权利要求1所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述输送带为一输送钢带。
3.根据权利要求1所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述加热器为远红外线陶瓷加热器。
4.根据权利要求3所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述远红外线陶瓷加热器的发射率在0.92-0.94之间。
5.根据权利要求1所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述加热器为远红外线陶瓷管状加热器。
6.根据权利要求5所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述远红外线陶瓷管状加热器的发射率在0.92-0.94之间。
7.根据权利要求1所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述加热器为远红外线陶瓷平面状加热器。
8.根据权利要求7所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于所述远红外线陶瓷平面状加热器的发射率在0.92-0.94之间。
9.根据权利要求1所述的一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统，其特征在于该干燥系统还包括一用来防止所述加热器放出的热量传到该干燥系统外的炉壁，该炉壁为一绝热装置。
专利摘要本实用新型公开了一种应用远红外线陶瓷加热技术的晶片沾银(铜)干燥系统。其包括一输送带,一载料片和一远红外线陶瓷加热器。输送带为自动运输的装置;载料片接合在输送带上,载料片中有复数个圆洞,圆洞中有沾银(铜)晶片;远红外线陶瓷加热器处于该沾银(铜)晶片的上方。这种干燥系统具有节省干燥时间、提高生产效率和降低人工作业的人力的优点。
文档编号F26B3/30GK2485610SQ0122462
公开日2002年4月10日 申请日期2001年5月24日 优先权日2001年5月24日
发明者林宜弘 申请人:实密科技股份有限公司, 友厚新科技有限公司