晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统与流程

本公开实施例涉及一种清洁方法，特别涉及晶圆座的清洁方法。

背景技术：

在一些半导体装置的制作过程中，会将半导体装置放置于晶圆座(waferchuck)上。随着时间的累积，晶圆座的表面有可能会累积一些污染物，例如粉尘粒子、硅微粒或光致抗蚀剂残留物等等。

为了减少上述污染物对半导体制程所产生的影响，一般会针对晶圆座执行清洁的操作。虽然现有的清洁方法已可在某种程度上降低晶圆座表面的污染物，但仍然具有可进一步改善的空间。

技术实现要素：

本公开实施例提供一种晶圆座的清洁方法。晶圆座的清洁方法包括：在真空腔室中，将清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

本公开实施例提供一种半导体制作方法。半导体制作方法包括：在真空腔室中，将第一清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离；以及在将第一清洁装置与晶圆座分离后，将半导体装置放置于晶圆座以对半导体装置执行至少一半导体制程。

本公开实施例提供一种清洁系统，清洁系统包括真空腔室、清洁装置、晶圆座、传送装置、控制器。清洁装置被配置于真空腔室内。清洁装置包括基底以及聚合物材料层。聚合物材料层被配置于基底上。晶圆座被配置于真空腔室内。传送装置被配置于真空腔室内以选择性地将清洁装置放置于晶圆座。控制器被配置于真空腔室内以控制晶圆座与传送装置。晶圆座是通过静电吸附清洁装置。

附图说明

图1是依据本公开实施例的清洁装置的示意图。

图2a、2b是依据本公开实施例的清洁系统的示意图。

图3a、3b是依据本公开实施例的聚合物材料层的示意图。

图4a-4c是依据本公开实施例的清洁方法的操作示意图。

图5a、5b是依据本公开实施例的半导体制造系统的示意图。

图6是依据本公开实施例的半导体制作方法的操作示意图。

图7是依据本公开实施例的半导体制作方法的操作示意图。

附图标记说明：

100～清洁装置

101～聚合物材料层

102～基底

200～清洁系统

201～真空腔室

202～晶圆座

203～传送装置

204～控制器

205～检测装置

300～主体部

301～突出部

302～特征部

400、400b、400c～清洁方法

401-404～操作

tn～时间

t～间隔时间

n～指标

410-414～操作

500、500b～半导体制造系统

501～光学装置

510～半导体设备

w～半导体装置

s～光源

l～光线

600～半导体制作方法

601-604～操作

700～半导体制作方法

701-705～操作

具体实施方式

以下公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。

在下文中使用的空间相关用词，例如"在…下方"、"下方"、"较低的"、"上方"、"较高的"及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位外，这些空间相关用词也意指可能包含在不同的方位下使用或者操作附图中的装置。

以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。

在下文中使用的第一以及第二等词汇，仅作为清楚解释之目的，并非用以对应以及限制专利范围。此外，第一特征以及第二特征等词汇，并非限定为相同或是不同的特征。

在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。必须了解的是，未特别描述或图示的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。

图1是依据本公开实施例的清洁装置100的示意图。清洁装置100包括基底102与聚合物材料层101。在一些实施例中，清洁装置100可被放置于晶圆座(waferchuck)上，藉以将上述晶圆座表面的污染物(例如粉尘粒子、硅微粒或光致抗蚀剂残留物等等)粘附聚合物材料层101。因此，当清洁装置100与上述晶圆座分离时，可同时将上述污染物带离上述晶圆座的表面，进而实现清洁晶圆座的效果。在一些实施例中，聚合物材料层101可由弹性聚合物所组成或具有受控表面粘性且不会转移至晶圆座的聚合物所组成。在一些实施例中，基底102的材质可包括硅。在某些实施例中，清洁装置100可为具有半导体装置的一工作晶圆或未具有半导体装置的一非工作晶圆(即空白晶圆)。

图2a是依据本公开实施例的清洁系统200的示意图。清洁系统200包括真空腔室201、晶圆座202、传送装置203、控制器204、检测装置205以及清洁装置100。晶圆座202可乘载半导体装置(例如晶圆)或清洁装置100。传送装置203可被配置以选择性地将清洁装置100放置于晶圆座202上，或者使清洁装置100与晶圆座202分离。控制器204至少可被配置以控制晶圆座202、传送装置203与检测装置205。检测装置205可被配置以检测晶圆座202表面是否需要被清洁(例如检测晶圆座202表面是否具有污染物或晶圆座202表面是否不平坦)。

在一些实施例中，传送装置203包括机械手臂。在一些实施例中，检测装置205为光学检测装置，通过发射光线至晶圆座202且接收晶圆座202所产生的反射光来判断晶圆座202表面是否需要被清洁(例如通过反射光的角度或光线强度)。

在一些实施例中，控制器204被配置以控制传送装置203，藉以将清洁装置100放置于晶圆座202来执行清洁操作，如图2b所示。当清洁装置100放置于晶圆座202时，控制器204控制晶圆座202，使晶圆座202将聚合物材料层101吸附于晶圆座202。聚合物材料层101因晶圆座202的吸引力而被压缩，进而与晶圆座202的污染物接触，使上述污染物附着(或黏附)于聚合物材料层101。继之，当传送装置203将清洁装置100与晶圆座202分离时，附着于聚合物材料层101的上述污染物亦与晶圆座202分离。

在一些实施例中，晶圆座202可通过静电吸附的方式吸附清洁装置100。在一些实施例中，聚合物材料层101可包括金属化合物以增强与晶圆座202之间的静电吸附力。在一些实施例中，晶圆座202表面可被聚合物材料层101完全覆盖。在一些实施例中，聚合物材料层101的厚度可大于或等于一既定厚度(例如200μm)，藉此使上述污染物可附着于聚合物材料层101。在一些实施例中，在晶圆座202停止施加于聚合物材料层101的吸附力之后，传送装置203再将清洁装置100与晶圆座202分离。

在一些实施例中，清洁装置100被晶圆座202吸附的时间可大于一既定时间(例如15秒)，藉此增加聚合物材料层101被挤压的程度，使上述污染物更容易被粘附或嵌入于聚合物材料层101。在一些实施例中，控制器204可增加晶圆座202的吸附力，藉此增加聚合物材料层101被挤压的程度，使上述污染物更容易被粘附或嵌入于聚合物材料层101。

依据图2a、2b与所述实施例，本公开实施例在清洁晶圆座202时，不需要将晶圆座202移出真空腔室201以进行清洁。一般而言，若将晶圆座202移出真空腔室201以进行清洁，则需耗费额外的拆卸、安装、运送与环境维护的作业时间。举例而言，将晶圆座202移出真空腔室201时，需要破坏真空环境，因此需要耗费维护真空环境的作业时间。由此可知，由于本公开实施例不需要将晶圆座202移出真空腔室201以进行清洁，因此不需要耗费恢复真空环境的作业时间，使清洁晶圆座202的时间可被缩短，另一方面，真空腔室201中可进行的半导体制程不会因晶圆座202被移出真空腔室201而被迫停摆，进而改善整体半导体制程的效率。

图3a是依据本公开实施例的聚合物材料层101的示意图。聚合物材料层101包括主体部300与凸出部301。在一些实施例中，凸出部301的位置可对应晶圆座202表面的孔洞位置。当清洁装置100被吸附于晶圆座202时，可增加上述孔洞的清洁效果。在某些实施例中，聚合物材料层101仅包括主体部300，但不包括凸出部301。

图3b是依据本公开实施例的聚合物材料层101的示意图。聚合物材料层101包括主体部300与特征部302。在一些实施例中，特征部302可为配合晶圆座202的环形凹槽的一环型凸出部。在一些实施例中，特征部302可为配合晶圆座202的环形凸出部的一环型凹槽。在一些实施例中，特征部302可为任何对应晶圆座202表面的凸出部的一凹槽，或任何对应晶圆座202表面的凹槽的一凸出部。在某些实施例中，聚合物材料层101仅包括主体部300，但不包括特征部302。

图4a是依据本公开实施例的清洁方法400的操作示意图。在一些实施例中，清洁方法400可应用于图2a、2b的清洁系统200。

操作401描述在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一晶圆座。在操作402中，通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。在操作403中，当清洁装置被吸附于晶圆座且经过一第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

清洁方法400不需要将晶圆座(例如晶圆座202)移出真空腔室(例如真空腔室201)以进行清洁。因此清洁晶圆座的时间可被缩短，且真空腔室中可进行的半导体制程不会因晶圆座被移出真空腔室而被迫停摆，进而改善整体半导体制程的效率。

在一些实施例中，已清洁过的晶圆座(例如晶圆座202)表面上的污染物仍可能随着时间而累积。累积的污染物可能会造成晶圆座损坏或使晶圆无法平坦放置于晶圆座。

在一些实施例中，在操作403完成后，检测装置205检测晶圆座202是否需要被清洁。若检测装置205判断晶圆座202需要被清洁，则控制器204依据上述检测结果决定再次执行清洁方法400的时间点。

本公开实施例另提供一种重复清洁晶圆座的清洁方法，如图4b所示的清洁方法400b。在一些实施例中，清洁方法400b可应用于图2a、2b的清洁系统200。清洁方法400b与清洁方法400不同之处在于操作404。在操作404中，当清洁装置与晶圆座分离且经过间隔时间t时，再次进入操作401。

在一些实施例中，对于不同的半导体制程，清洁方法400b会使用不同的间隔时间t。换句话说，由于不同的半导体制程在晶圆座上累积污染物的速度不同，因此依据不同的半导体制程使用不同的间隔时间t来执行清洁方法400b，可达到避免过度频繁地清洁晶圆座的效果，或者可达到避免清洁操作的时间间隔太长造成污染物在晶圆座上累积过多的效果。

图4c是依据本公开实施例的清洁方法400c的操作示意图。在一些实施例中，清洁方法400c可应用于图2a、2b的清洁系统200。

操作410描述在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一晶圆座。在操作411中，通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。在操作412中，当清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间tn时，将清洁装置与晶圆座分离。在一些实施例中，指标n的预设值为0，亦即时间tn的预设值为时间t0。

在操作413中，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则将操作412中的时间tn改为时间tn+1(亦即将指标n的数值加1)并且再次执行操作410至操作413。

举例而言，在一些实施例中，清洁方法400c执行完操作410、411。在操作412中，当清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间t0(亦即指标n的数值为0)时，将清洁装置与晶圆座分离。在操作413中，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则再次执行操作410、411，并且在操作412中，当清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间t1(亦即指标n的数值加1)时，将清洁装置与晶圆座分离，以此类推。

在一些实施例中，时间tn中的指标n的数值越大，代表tn的时间越长。在此状况下，清洁方法400c在执行完操作410至操作412后，若判断晶圆座需要被清洁(仍有污染物)，则清洁方法400c会再次操作410至操作412，并且在操作410至操作412中以更长的时间(例如使用大于时间t0-的时间t1)，将清洁装置吸附于晶圆台，藉此增加清洁装置的聚合物材料层被挤压的程度，使污染物更容易被粘附或嵌入于清洁装置的聚合物材料层中，藉此进一步清除尚未从晶圆座移除的污染物。在某些实施例中，时间t0为一第一时间(长度)，而时间t1为一第二时间(长度)。

另一方面，若晶圆座表面不需要被清洁，则将时间tn恢复为预设值(例如时间t0)。在操作414中，在清洁装置与晶圆座分离且经过间隔时间t时，再次进入操作410。

在一些实施例中，操作414的内容可改变为：当真空腔室内的一检测装置判断晶圆座需要被清洁时，再次进入操作410。

图5a是依据本公开实施例的半导体制造系统500的示意图。半导体制造系统500包括真空腔室201、晶圆座202、传送装置203、控制器204、检测装置205、清洁装置100、半导体装置w以及半导体设备510。晶圆座202可被配置以乘载半导体装置(例如半导体装置w)。传送装置203可被配置以选择性地将清洁装置100(或半导体装置w)放置于晶圆座202上，或者使清洁装置(或100半导体装置w)与晶圆座202分离。控制器204至少被配置以控制晶圆座202、传送装置203、检测装置205与半导体设备510。检测装置205可被配置以检测晶圆座202表面是否有污染物，藉以判断晶圆座202表面是否需要被清洁。半导体设备510可被配置以对半导体装置w执行至少一种半导体制程(例如微影制程，但不限定于此)。

在一些实施例中，在半导体设备510完成施加于半导体装置w的半导体制程后，传送装置203将半导体装置w带离晶圆座202。继之，传送装置203可将清洁装置100放置于晶圆座202以进行对晶圆座202的清洁操作。

图5b是依据本公开实施例的半导体制造系统500b的示意图。半导体制造系统500b包括真空腔室201、晶圆座202、传送装置203、控制器204、检测装置205、清洁装置100、以及半导体设备510。晶圆座202可乘载半导体装置或清洁装置100。传送装置203可选择性地将清洁装置100放置于晶圆座202上，或者使清洁装置与晶圆座202分离。控制器204至少可控制晶圆座202、传送装置203、检测装置205与半导体设备510。检测装置205可检测晶圆座202表面是否有污染物，藉以判断晶圆座202表面是否需要被清洁。半导体设备510包括光源s与光学装置501。光学装置501可将源自光源s的光线l导引至清洁装置100。在一些实施例中，半导体设备510可对清洁装置100的基底102的一材料层执行一微影制程(例如极紫外线extremeultra-violet(euv)微影制程)。

如图5b所示，半导体制造系统500b可在清洁装置100的基底102上制作半导体装置，并且在半导体装置制作的过程中同时清洁晶圆座202，藉此减少制做半导体装置与清洁晶圆座的整体时间。

图6是依据本公开实施例的半导体制作方法600的操作示意图。在一些实施例中，半导体制作方法600可应用于图5a的半导体制造系统500或图5b的半导体制造系统500b。

操作601描述在一真空腔室中，将一第一清洁装置放置于一晶圆座。在操作602中，通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。在操作603中，当第一清洁装置被吸附于晶圆座且经过一第一时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离。在操作604中，将一半导体装置批次中的每一个半导体装置，在不同的时间点放置于晶圆座以个别地对半导体装置执行至少一半导体制程，且在对半导体装置执行完至少一半导体制程后将半导体装置与晶圆座分离。

在一些实施例中，上述半导体装置批次包括一或多个半导体装置。半导体制作方法600可在晶圆座(例如晶圆座202)被清洁后，再对半导体装置批次中的半导体装置执行至少一半导体制程，藉此减少晶圆座表面的污染物对半导体制程所产生的影响。在一些实施例中，半导体制作方法600不需要将晶圆座移出真空腔室(例如真空腔室201)以进行清洁，清洁晶圆座的时间可被缩短，且真空腔室中可进行的半导体制程不会因晶圆座被移出真空腔室而被迫停摆，进而改善整体半导体制程的效率。

在一些实施例中，可连续地针对不同的半导体装置批次，个别地执行半导体制作方法600，藉此降低晶圆座表面的污染物对每个半导体装置批次所产生的影响，例如造成半导体装置的背部(backside)损坏或影响半导体制程的效果。举例而言，在对一第一半导体装置批次执行半导体制作方法600后，若要对一第二半导体装置批次执行半导体制作方法600，则对第二半导体装置批次执行的操作601，会接续在对第一半导体装置批次执行的操作604之后。

在一些实施例中，第一半导体批次中的半导体装置数量与第二半导体批次中的半导体装置数量不同。在一些实施例中，第一半导体批次中的半导体装置数量与第二半导体批次中的半导体装置数量皆为一预定数量。

在一些实施例中，针对第一半导体装置批次执行半导体制作方法600且操作603已完成的情况下，若真空腔室内的一检测装置在一第一数量的半导体装置完成上述半导体制程并且与晶圆座分离后，判断晶圆座需要被清洁，代表第一半导体装置批次已完成半导体制作方法600(亦即完成操作604)。在此情况下，第一半导体装置批次的半导体装置数量等于第一数量。继之，可开始针对第二半导体装置批次执行半导体制作方法600。

在一些实施例中，对第一半导体装置批次执行半导体制作方法600时，可使用第一清洁装置；而对第二半导体装置批次执行半导体制作方法600时可使用一第二清洁装置，其中第一清洁装置与第二清洁装置的结构个别具有一基底与一聚合物材料层(如图1所示)。

在一些实施例中，在对第一半导体装置批次执行半导体制作方法600时，可在操作602至操作603之间对第一清洁装置执行一微影制程(例如极紫外线微影制程)，或者在对第二半导体装置批次执行半导体制作方法600时，可在操作602至操作603之间对第二清洁装置执行一微影制程(例如极紫外线微影制程)，藉此在上述微影制程的过程中同时清洁晶圆座。藉此减少半导体装置制作与晶圆座清洁的整体时间。

图7是依据本公开实施例的半导体制作方法700的操作示意图。在一些实施例中，半导体制作方法700可应用于图5a的半导体制造系统500或图5b的半导体制造系统500b。

操作701描述在一真空腔室中，将一第一清洁装置放置于一晶圆座。在操作702中，通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。在操作703中，当第一清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间tn时，将第一清洁装置与晶圆座分离。在一些实施例中，指标n的预设值为0，亦即时间tn的预设值为时间t0。

在操作704中，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则将操作703中的时间tn改为时间tn+1(亦即将指标n的数值加1)并且再次执行操作701至操作704。

举例而言，在一些实施例中，半导体制作方法700执行完操作701、702。在操作703中，当第一清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间t0(亦即指标n的数值为0)时，将第一清洁装置与晶圆座分离。在操作704中，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则再次执行操作701、702，并且在操作703中，当第一清洁装置被吸附于晶圆座且经过时间t1(亦即指标n的数值加1)时，将第一清洁装置与上述晶圆座分离，以此类推。

在一些实施例中，时间tn中的指标n的数值越大，代表tn的时间越长。在此状况下，半导体制作方法700在执行完操作701至操作703后，若判断晶圆座需要被清洁(仍有污染物)，则半导体制作方法700会再次操作701至操作703，并且在操作701至操作703中以更长的时间(例如使用大于时间t0-的时间t1)，将第一清洁装置吸附于晶圆台，藉此增加第一清洁装置的聚合物材料层被挤压的程度，使污染物更容易被粘附或嵌入于第一清洁装置的聚合物材料层中，藉此进一步清洁尚未从晶圆座移除的污染物。在某些实施例中，时间t0为一第一时间(长度)，而时间t1为一第二时间(长度)。

继之，若晶圆座表面不需要被清洁，则将时间tn恢复为预设值(例如时间t0)。在操作705中，将一半导体装置批次中的每一个半导体装置，在不同的时间点放置于晶圆座以个别地对半导体装置执行至少一半导体制程，且在对半导体装置执行完至少一半导体制程后将半导体装置与晶圆座分离。

在一些实施例中，上述半导体装置批次包括一或多个半导体装置。半导体制作方法700可在确认晶圆座(例如晶圆座202)已清洁完成后，再对半导体装置批次中的每一个半导体装置执行至少一半导体制程，藉此减少晶圆座表面的污染物对上述半导体制程所产生的影响。在一些实施例中，半导体制作方法700不需要将晶圆座移出真空腔室(例如真空腔室201)以进行清洁，清洁晶圆座的时间可被缩短，且真空腔室中可进行的半导体制程不会因晶圆座被移出真空腔室而被迫停摆，进而改善整体半导体制程的效率。

在一些实施例中，可连续地针对不同的半导体装置批次，个别地执行半导体制作方法700，藉此降低晶圆座表面的污染物对每个半导体装置批次所产生的影响。举例而言，在对一第一半导体装置批次执行半导体制作方法700后，若要对一第二半导体装置批次执行半导体制作方法700，则对第二半导体装置批次执行的操作701，会接续在对第一半导体装置批次执行的操作705之后。

在一些实施例中，第一半导体批次中的半导体装置数量与第二半导体批次中的半导体装置数量不同。在一些实施例中，第一半导体批次中的半导体装置数量与第二半导体批次中的半导体装置数量皆为一预定数量。

在一些实施例中，针对第一半导体装置批次执行半导体制作方法700。在操作704中判断晶圆座表面不需要被清洁的状况下，若真空腔室内的一检测装置在一第一数量的半导体装置完成上述半导体制程并且与晶圆座分离后，判断晶圆座需要被清洁，代表第一半导体装置批次已完成半导体制作方法700(亦即完成操作705)。在此情况下，第一半导体装置批次的半导体装置数量等于第一数量。继之，可开始针对第二半导体装置批次执行半导体制作方法700。

在一些实施例中，对第一半导体装置批次执行半导体制作方法700时可使用第一清洁装置，而对第二半导体装置批次执行半导体制作方法700时可使用一第二清洁装置，其中第一清洁装置与第二清洁装置的结构个别具有一基底与一聚合物材料层(如图1所示)。

在一些实施例中，在对第一半导体装置批次执行半导体制作方法700时，可在操作702至操作703之间对第一清洁装置执行一微影制程(例如极紫外线微影制程)，或者在对第二半导体装置批次执行半导体制作方法700时，可在操作702至操作703之间对第二清洁装置执行一微影制程(例如极紫外线微影制程)，藉此在微影制程的过程中同时清洁晶圆座，藉此减少半导体装置制作与晶圆座清洁的整体时间。

本公开实施例提供一种晶圆座的清洁方法。晶圆座的清洁方法包括：在真空腔室中，将清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

根据一些实施例，当清洁装置与晶圆座分离且经过一间隔时间时，将清洁装置放置于晶圆座且通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座，以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

根据一些实施例，在将清洁装置与晶圆座分离后，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则将清洁装置放置于晶圆座，通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第二时间时，将清洁装置与晶圆座分离。在些实施例中，第二时间大于第一时间。

根据一些实施例，若晶圆座表面不需要被清洁，则在清洁装置与晶圆座分离且经过一间隔时间时，将清洁装置放置于晶圆座，通过晶圆座将清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将清洁装置与晶圆座分离。

本公开实施例提供一种半导体制作方法。半导体制作方法包括：在真空腔室中，将第一清洁装置放置于晶圆座；通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座；当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离；以及在将第一清洁装置与晶圆座分离后，将半导体装置放置于晶圆座以对半导体装置执行至少一半导体制程。

根据一些实施例，在半导体装置与晶圆座分离后，将第一清洁装置放置于晶圆座，通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。当第一清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离。

根据一些实施例，在将第一清洁装置与晶圆座分离后且将半导体装置放置于晶圆座之前，判断晶圆座表面是否需要被清洁。若晶圆座表面需要被清洁，则将第一清洁装置放置于晶圆座，通过晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座，以及当清洁装置被吸附于晶圆座且经过第二时间时，将第一清洁装置与晶圆座分离。若晶圆座表面不需要被清洁，则将半导体装置放置于晶圆座以对半导体装置执行至少一半导体制程。在些实施例中，第二时间大于第一时间。

根据一些实施例，在半导体装置与晶圆座分离后，将第二清洁装置放置于晶圆座，通过晶圆座将第二清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座。当第二清洁装置被吸附于晶圆座且经过第一时间时，将第二清洁装置与晶圆座分离。

根据一些实施例，在晶圆座将第一清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座时，对第一清洁装置的第一材料层执行第一微影制程，或在晶圆座将第二清洁装置的聚合物材料层吸附于晶圆座时，对第二清洁装置的第二材料层执行第二微影制程。

本公开实施例提供一种清洁系统，清洁系统包括真空腔室、清洁装置、晶圆座、传送装置、控制器。清洁装置被配置于真空腔室内。清洁装置包括基底以及聚合物材料层。聚合物材料层被配置于基底上。晶圆座被配置于真空腔室内。传送装置被配置于真空腔室内以选择性地将清洁装置放置于晶圆座。控制器被配置于真空腔室内以控制晶圆座与传送装置。晶圆座是通过静电吸附清洁装置。

前述内文概述了许多实施例的特征，使本技术领域技术人员可以从各个方面更佳地了解本公开。本技术领域技术人员应可理解，且可轻易地以本公开为基础来设计或修饰其他制程及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本技术领域技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本公开的发明精神与范围。在不背离本公开的发明精神与范围的前提下，可对本公开进行各种改变、置换或修改。