一种城市污水深度净化装置的制作方法

技术特征：

1.一种城市污水深度净化装置，其特征在于，包括液压箱（2）、电源箱（23）、机盖（4）和压缩装置（11），液压箱（2）内部设置有高密度液体（3），液体（3）上设置有液压盖（1），在机盖（4）内设置有液压管道（5），液压管道（5）和液体箱（2）连通，在机盖（4）下部固定有处理池（20），机盖（4）的顶部设有电源箱（23），电源箱（23和液压箱（2）之间电连接，活塞（7）固定在机盖（4）下端，活塞（7）下端设置有弹簧（6），弹簧（6）下端连接压盘（8），压盘（8）下端设置有压缩装置（11），在压缩装置（11）左端设置有进口管道，在压缩装置（11）右端设置有出口管道（12），压缩装置（11）是有多个压缩组件（21）组成，每个压缩组件（21），下端设置有板框（19），上端设置有压缩盖（13），压缩盖（13）底部设置有出水孔（17），在压缩盖（13）底端设置有进口管（14）和出口管（15），进口管（14）和进口管道（9）连接，出口管（15）和出口管道（12）连接，压缩盖（13）和板框（19）之间的空隙是污泥空间（18），固定杆（22）在同一竖直面上穿过压缩盖（13）和板框（19）。

2.根据权利要求1所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述电源箱（23）包括电容C1、三极管V1、芯片IC2和芯片IC2，所述电容C1的一端连接整流桥T的端口2和芯片IC1的引脚1，整流桥T的端口1连接变压器W的绕组N2，变压器W的绕组N2的另一端连接整流桥T的端口3，变压器W的绕组N1连接220V交流电，电容C1的另一端连接电容C2、电容C3、电阻R2和三极管V1的集电极，电容C2的另一端连接三极管V1的集电极和芯片IC2的引脚4，三极管V1的集电极连接芯片IC1的引脚2，芯片IC2的引脚3连接电阻R1、电阻R4、芯片IC2的引脚7和负载W，三极管V1的基极连接电容C3的另一端和三极管V2的基极，三极管V2的发射极连接电阻R1的另一端，三极管V2的集电极连接电阻R2的另一端，芯片IC2的引脚2连接电阻R4的另一端和电阻R5，三极管V3的基极连接三极管V4的集电极和芯片IC2的引脚6，三极管V4的基极连接电阻R3和三极管V3的发射极，三极管V4的集电极连接电阻R3的另一端、电阻R5的另一端和负载W的另一端。

3.根据权利要求2所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述芯片IC1的型号为LM7812。

4.根据权利要求2所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述电阻R2为可调电阻。

5.根据权利要求2所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述芯片IC2的型号为F007C。

6.根据权利要求1所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述压缩盖（13）底部和板框（19）的接触面都设置有密封圈。

7.根据权利要求1所述的城市污水深度净化装置，其特征在于，所述压缩装置（11）的两端分别设置有导轨，每个压缩组件（21）都固定在导轨内。