一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于单晶硅抛光片清洗技术领域，具体涉及一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台。
【背景技术】
[0002]单晶硅抛光片是IC行业的基础材料，抛光片的洁净度是非常重要的指标，因此抛光片预清洗机是保证抛光片洁净度的必要设备。目前我公司使用的韩国ATIS抛光片预清洗机采用湿法进料的方法，湿法进料是指抛光片在从抛光机下车一直到清洗机进料的整个过程中，抛光片的表面一直要处于湿润状态。具体流程是抛光机一湿法传递窗一清洗机湿法进料台。抛光片从抛光机下车后，表面有一层水膜，颗粒附着在水膜上，属于物理沾污，容易清洗。当抛光片表面干燥后，水膜消失，颗粒就会附着在暴露在空气中的抛光片表面，物理沾污就会变成化学沾污，清洗困难。因此为了达到较好的清洗效果，湿法进料是非常必要的。ATIS抛光片预清洗机的湿法进料台主要有三部分组成，一是用来盛满纯水的水槽，二是水槽底部的片盒定位卡槽，三是在水槽内部两侧的片盒光电对射传感器，片盒定位卡槽和片盒光电对射传感器都在水槽的液面下。当片盒进入湿法进料台放在定位卡槽上后，水槽两侧的片盒光电对射传感器就会感应到片盒的信息，并及时把信息传递到清洗机，清洗机开始自动清洗。在进料的过程中，要求两盒抛光片为一组，每次进一组，抛光片和片盒要全部在水槽的液面下，片盒要准确定位，片盒传感器要及时准确的传出片盒信息。但在生产使用中发现，ATIS抛光片预清洗机的湿法进料台存在着以下两个问题:1、操作者在往湿法进料水槽的片盒定位卡槽放片盒时，由于片盒定位卡槽在水槽底部，受到水的折射和浮力影响，要把片盒迅速准确的放在定位卡槽上非常困难。稍不小心片盒就会放偏，甚至片盒会跌倒，导致抛光片滑出片盒，使抛光片产生划伤和沾污，降低抛光片的洁净度，同时降低生产效率。2、由于湿法进料的片盒光电对射传感器在水中，当片盒光电对射传感器周围有气泡或水波动时，片盒光电对射传感器会给出错误的信息，这些错误的信息会让清洗机做出误动作。长期下去就会使清洗机的程序错乱，影响正常的生产。同时，光电对射传感器长期泡在水中，给维修和保养造成很大困难，也会大大降低片盒光电对射传感器的使用寿命。
【实用新型内容】
[0003]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，该装置有效地解决了操作者放片盒困难，洁净度差，片盒光电对射传感器给出错误信号的问题，大大提高了生产效率。
[0004]本实用新型所采用的技术方案是:一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，升降台设置在清洗水槽正上方并能上下移动，升降台包括呈“L”形设置的侧壁和底壁，所述侧壁上部设有用于将升降台固定在升降电机上的螺孔，侧壁的下部沿竖直方向设有长条形的传感通孔，所述底壁上均匀分布有通水孔，底壁的上端还固定设有片盒定位卡槽；所述升降台还包括片盒光电对射传感器，片盒光电对射传感器的发射端和接收端分别设置在清洗水槽的两侧，片盒光电对射传感器的接收端可通过传感通孔接收发射端发出的光电信号。
[0005]进一步优化，所述传感通孔为两个。
[0006]进一步优化，所述的片盒定位卡槽为U型结构。
[0007]进一步优化，所述的侧壁长为500-600mm，宽为190-230mm ;底壁长为380_420mm，宽为 190-230mm。
[0008]进一步优化，所述的传感通孔长为130_160mm，宽为23_28mm。
[0009]进一步优化，所述的片盒定位卡槽高8_12mm。
[0010]进一步优化，所述的通水孔为直径为8-llmm的圆孔。
[0011]与现有技术相比，本实用新型至少具有下述优点及有益效果:
[0012]1、本实用新型的湿法进料升降台，所用的各种组件安装操作方便，有效地解决操作者放片盒困难，洁净度差，片盒光电对射传感器给出错误信号的问题，大大提高了生产效率。
[0013]2、本实用新型在清洗水槽的正上方设有一个L形的升降台，升降台的底壁上设有片盒定位卡槽，让片盒定位装置暴露在清洗水槽液面的上方，使操作者在放片盒时避免水的折射和浮力的影响，准确快速的把片盒放到位。
[0014]3、本实用新型把片盒传感器从水槽的内部移到水槽侧面的平台上，使片盒光电对射传感器与升降台的底部处于一个平面，暴露在空气中，避免了水中气泡和水波动造成的误动作，使片盒光电对射传感器准确的感应到片盒信息。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型结构示意图的主视图；
[0016]图2为本实用新型结构示意图的俯视图；
[0017]图3为本实用新型结构示意图的侧视图；
[0018]附图标记:1、清洗水槽，2、侧壁，3、底壁，4、螺孔，5、传感通孔，6、通水孔，7、片盒定位卡槽，8、片盒光电对射传感器。
【具体实施方式】
[0019]为使本实用新型的内容更明显易懂，以下结合具体实施例，对本实用新型进行详细描述。
[0020]如图所示，一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，升降台设置在清洗水槽I正上方并能上下移动，升降台包括呈“L”形设置的侧壁2和底壁3，所述侧壁2上部设有用于将升降台固定在升降电机上的螺孔4，侧壁2的下部沿竖直方向设有长条形的传感通孔5，所述底壁3上均匀分布有通水孔6，底壁3的上端还固定设有片盒定位卡槽7 ;所述升降台还包括片盒光电对射传感器8，片盒光电对射传感器8的发射端和接收端分别设置在清洗水槽I的两侧，片盒光电对射传感器8的接收端可通过传感通孔5接收发射端发出的光电信号。
[0021]为了使本实用新型具有更好的使用效果，所述传感通孔5为两个。所述的片盒定位卡槽7为U型结构，并且共设有8个。所述的侧壁2长为500-600mm，宽为190-230mm ;底壁3长为380-420mm，宽为190_230mm。传感通孔5长为130_160_，宽为23_28mm。片盒定位卡槽7高8-12mm。通水孔6为直径为8-llmm的圆孔，用于减小升降台在上升和下降的过程中水的阻力。进一步优化，所述的侧壁2长为550mm，宽为210mm ;底壁3长为400mm，宽为210mm。传感通孔5长为150mm，宽为25mm。所述的片盒定位卡槽7高10mm，所述的通水孔6为直径为1mm的圆孔。
[0022]结合上下文，本实用新型的升降台在待料时，U形片盒定位卡槽7要暴露在清洗水槽I液面的上方，固定在清洗水槽I侧面平台上的片盒光电对射传感器8 —直在清洗水槽I液面上方，此时两者处于同一平面上。升降台在放上片盒后，立即下降到清洗水槽I的液面下，当片盒进入清洗机的下个清洗槽后，升降台即上升到清洗水槽I的液面上。
[0023]本实用新型在清洗水槽I的正上方设有一个L形的升降台，升降台和片盒定位卡槽7均为不锈钢材质，升降台的底壁上设有片盒定位卡槽7，让片盒定位装置暴露在清洗水槽I液面的上方，使操作者在放片盒时避免水的折射和浮力的影响，准确快速的把片盒放到位。本实用新型把片盒光电对射传感器8从水槽的内部移到水槽侧面的平台上，使片盒光电对射传感器8与升降台的底部处于一个平面，暴露在空气中，避免了水中气泡和水波动造成的误动作，使片盒光电对射传感器8准确的感应到片盒信息。本实用新型所用的各种组件安装操作方便，有效地解决操作者放片盒困难，片盒光电对射传感器给出错误信号的问题，大大提高了生产效率。
[0024]本实用新型所列举的技术方案和实施方式并非是限制，与本实用新型所列举的技术方案和实施方式等同或者效果相同方案都在本实用新型所保护的范围内。
【主权项】
1.一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，升降台设置在清洗水槽(I)正上方并能上下移动，其特征在于:升降台包括呈“L”形设置的侧壁(2)和底壁(3)，所述侧壁(2)上部设有用于将升降台固定在升降电机上的螺孔(4)，侧壁(2)的下部沿竖直方向设有长条形的传感通孔(5)，所述底壁(3)上均匀分布有通水孔(6)，底壁(3)的上端还固定设有片盒定位卡槽(7);所述升降台还包括片盒光电对射传感器(8)，片盒光电对射传感器(8)的发射端和接收端分别设置在清洗水槽(I)的两侧，片盒光电对射传感器(8)的接收端可通过传感通孔(5)接收发射端发出的光电信号。
2.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述传感通孔(5)为两个。
3.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述的片盒定位卡槽(7)为U型结构。
4.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述的侧壁(2 )长为500-600mm，宽为190-230mm ;底壁(3 )长为380-420mm，宽为190_230mm。
5.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述的传感通孔(5)长为130-160mm，宽为23-28mm0
6.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述的片盒定位卡槽(7)高8-12mm0
7.如权利要求1所述的一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，其特征在于:所述的通水孔(6)为直径为8-llmm的圆孔。
【专利摘要】本实用新型公开一种用于清洗单晶硅抛光片的湿法进料升降台，升降台设置在清洗水槽正上方并能上下移动，升降台包括呈“L”形设置的侧壁和底壁，所述侧壁上部设有用于将升降台固定在升降电机上的螺孔，侧壁的下部沿竖直方向设有长条形的传感通孔，所述底壁上均匀分布有通水孔，底壁的上端还固定设有片盒定位卡槽；所述升降台还包括片盒光电对射传感器，片盒光电对射传感器的发射端和接收端分别设置在清洗水槽的两侧，片盒光电对射传感器的接收端可通过传感通孔接收发射端发出的光电信号。本实用新型所用的各种组件安装操作方便，有效地解决操作者放片盒困难，洁净度差，片盒光电对射传感器给出错误信号的问题，大大提高了生产效率。
【IPC分类】B08B13-00
【公开号】CN204583825
【申请号】CN201520250194
【发明人】邵奇, 赵文龙, 熊诚雷, 吴跃峰, 史舸, 魏海霞
【申请人】麦斯克电子材料有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月23日