本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种生产高纯四氯化锗的蒸馏装置。
背景技术：
目前，在化工生产的时候，遇到大量液相分离的时候，经常需要使用到蒸馏塔来进行分离提纯，然而现在使用的蒸馏塔大多是使用酒精或者是煤油、煤炭燃烧放热来提供热量，这样燃烧供热对燃料消耗十分的大，同时不同的原料必须使用不同的燃料，否则容易破坏原料，并且燃料燃烧后排放的废气也会给环境带来污染。同时，工作人员必须时刻盯着蒸馏塔每个部分的温度，控温十分困难。因此，有必要对现有的蒸馏塔进行改进，使其能够不再使用燃料进行供热，节约能源的同时也起到保护环境的效果，并具有易于控温的功能。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决上述背景技术中所提到的问题，提供了一种加热速度快，控温效果好的生产高纯四氯化锗的蒸馏装置。
为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种生产高纯四氯化锗的蒸馏装置，包括蒸馏罐和冷凝罐，所述蒸馏罐一侧设置有进料口和第一进气口，所述蒸馏罐另一侧设置有第二进气口，所述蒸馏罐的顶端设置有出气口，所述蒸馏罐内轴心处竖直设置有螺旋轴，所述螺旋轴上设置有多个红外加热块，所述多个红外加热块沿竖直方向呈螺旋状均匀排列在所述螺旋轴的外壁，所述蒸馏罐的底部设置有红外加热套，所述红外加热套内设有温度检测器，所述蒸馏罐的底部设置有废液口，所述蒸馏罐的顶部通过第一出气管和所述冷凝罐连接，所述冷凝罐内设置有螺旋冷凝管，所述冷凝罐上设置有第二出气管和第三出气管，所述第二出气管和所述第二进气口连接。
优选的，所述红外加热块为露出三个面的三角锥。
优选的，所述螺旋轴和所述蒸馏罐顶部固定连接。
优选的，所述蒸馏罐正下方设置有上端具有开口的废液盒，所述废液盒内设置有抽屉式废液室。
优选的，所述第一出气管上设置有第一电磁控制阀，所述第二出气管上设置有第二电磁控制阀，所述废液盒侧壁设置有控制所述第一电磁控制阀和所述第二电磁控制阀的控制器。
与现有技术相比，本发明提供的生产高纯四氯化锗的蒸馏装置，加热速度快，控温效果好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1 为本实施例中的结构示意图。
1、蒸馏罐，2、进料口，3、第一进气口，4、温度检测器，5、第一出气管，6、第一电磁控制阀，7、冷凝罐，8、红外加热块，9、第二电磁控制阀，10、第三出气管，11、第二出气管，12、红外加热套，13、废液盒，14、废液口，15、控制器，16、第二进气口，17、螺旋轴。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
具体实施例：
结合图1所示的一种生产高纯四氯化锗的蒸馏装置，包括蒸馏罐1和冷凝罐7，蒸馏罐1一侧设置有进料口2和第一进气口3，蒸馏罐1另一侧设置有第二进气口16，蒸馏罐1的顶端设置有出气口，蒸馏罐1内轴心处竖直设置有螺旋轴17，螺旋轴17上设置有多个红外加热块8，多个红外加热块8沿竖直方向呈螺旋状均匀排列在螺旋轴17的外壁，蒸馏罐1的底部设置有红外加热套12，红外加热套12内设有温度检测器4，蒸馏罐1的底部设置有废液口14，蒸馏罐1的顶部通过第一出气管5和冷凝罐7连接，冷凝罐7内设置有螺旋冷凝管，冷凝罐7上设置有第二出气管11和第三出气管10，第二出气管11和第二进气口16连接。
本实施例中，红外加热块8为露出三个面的三角锥。
本实施例中，螺旋轴17和蒸馏罐1顶部固定连接。
本实施例中，蒸馏罐1正下方设置有上端具有开口的废液盒13，废液盒13内设置有抽屉式废液室，排出的废液从废液口14进入废液盒13，经过一段时间后通过抽屉式废液室抽出，再进行收集。
本实施例中，第一出气管5上设置有第一电磁控制阀6，第二出气管11上设置有第二电磁控制阀9，废液盒13侧壁设置有控制第一电磁控制阀6和第二电磁控制阀9的控制器15。
本实施例的工作过程：在使用本设备进行蒸馏工作时，在温度检测器4上设置好红外加热套12和红外加热块8上的温度，然后将原料从进料口2进入蒸馏罐1，开始蒸馏工作，蒸馏工作结束后，蒸馏后的产品从出气口出来，经过第一出气管5进入冷凝罐7，经过螺旋冷凝管冷凝后，合格的产品排出，不合格的产品经过第二出气管11进入蒸馏罐1内继续蒸馏，直到符合要求，温度检测器4实时检测蒸馏罐1内的温度，并对红外加热套12和红外加热块8的温度进行控制，并通过第一电磁控制阀6和第二电磁控制阀9控制出气速率，掌握整个蒸馏过程，最后关闭控制器15、红外加热套12和红外加热块8，结束蒸馏过程。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的保护范围内所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。