具有气体回收功能的准分子激光振荡装置的制作方法

本发明涉及一种准分子激光振荡装置，其能够除去从准分子激光的振荡室排出的废气中的杂质，例如将作为准分子激光振荡装置所需的稀有气体的含氪气的氖气、含氙气和氩气的氖气、含氙气的氖气回收，作为循环气体再利用。

背景技术

以往的准分子激光振荡装置，不具备该振荡装置中所使用的激光气体(激光介质的气体)的循环功能，除了振动装置以外，还需要用于除去向准分子激光振荡装置的系统外排出的废气(使用过的激光气体)中的杂质的回收系统(也称为氖气回收系统)。通常，主流技术是采用低温分离等各种分离技术，将废气中的杂质和稀有气体分离，作为氖为99％以上的高纯度氖气进行纯化，并作为激光气体的原料气体进行回收。

例如，作为在将从准分子激光振荡装置向系统外排出的废气进行再利用的工序中，将氟化合物除去的方法的例子，可举出专利文献1。

另外，专利文献2记载了从使用氙气-氯系气体的准分子激光振荡装置中回收氖气的方法。

另外，专利文献3记载了能够将使用氪气、氙气的各种工艺的废气中所含的微量杂质除去，设置在准分子激光振荡装置的附近，仅将稀有气体(氪气、氙气)分离回收并进行再利用的稀有气体分离回收装置。

另外，专利文献4记载了除去从准分子激光振荡装置向系统外排出的激光气体(废气)中的卤素，在预定的纯化处理后补充激光气体成分，再次送入准分子激光振荡装置进行再利用的技术构成。

另外，专利文献5记载了从krf准分子激光振荡装置向系统外排出的、包含大量杂质的主成分为氖气的废气中仅将高纯度的氖气回收。

另外，作为将废气中的cf4分解的方法，专利文献6记载了使用无声放电的方法，专利文献1记载了电晕放电方法。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2010-92920号公报

专利文献2：日本特开2008-168169号公报

专利文献3：日本特开2004-161503号公报

专利文献4：日本特开平11-54851号公报

专利文献5：日本特开2001-232134号公报

专利文献6：日本特开2006-110461号公报

非专利文献1：t.ieeejapan,vol.117-a,no.10(1997)「通过电晕放电除去准分子气体中的气体状杂质」

技术实现要素：

如上述背景技术和专利文献1～5所公开的内容，为了将从准分子激光振荡装置向系统外排出的废气回收，需要另外的用于回收的纯化装置，因此需要设置空间。另外，由于该回收装置与准分子激光振荡装置是分别单独的装置，因此需要使各个装置合作运行。

另外，为了分离从准分子激光振荡装置向系统外排出的废气中的杂质，将与原料的激光气体中的氖气相同或实质相同的高纯度氖气回收，作为激光气体回收利用，需要从废气中除去氩气(ar)、氪气(kr)等稀有气体。但是，作为从废气中分离这些氩气、氪气的废气纯化装置，会使用-100℃以下的极低温技术。另外，作为不使用极低温技术的方法，提出了通过升压器等进行废气的高压化和吸附技术的分离方法。但是，极低温技术以及废气的高压化和吸附技术都需要巨大的能量。

另外，以往废气纯化装置为大型装置，被设计成能够应对从多个准分子激光振荡装置排出的大量废气。当废气纯化装置停止运行时，有可能对与该废气纯化装置连接的多个准分子激光振荡装置的运行造成较大影响。

另外，即使能够除去氩气(ar)、氪气(kr)，纯化得到以氖气(ne)为主成分的回收气体，在准分子激光振荡装置内生成的cf4等杂质也会对激光振荡造成影响。这些cf4等杂质的除去在上述专利文献等中有所记载，但并不简单。另外，对导入废气纯化装置的废气(低纯度的氖气)中的杂质浓度进行检测也不简单。因此，在废气中的杂质浓度高的情况下，废气纯化装置(特别是吸附除去手段等装置)的性能会更快降低。所以吸附除去手段的更换等维护频率增加。

另外，专利文献1的杂质除去装置中，具有通过沸石等吸附剂将包含cf4的杂质除去的工序，但在废气含有高浓度cf4的情况下，存在通过吸附剂无法完全除去cf4这样的问题。因此，在准分子激光振荡装置中产生的cf4，如果反复进行废气的纯化工序，则回收气体中的cf4浓度逐渐上升，在准分子激光振荡装置中有可能发生激光脉冲输出能量降低等不良情况。另外，根据分解方法，存在cf4分解时产生作为新杂质的氧气这样的问题。

另外，专利文献6的通过无声放电将废气中的cf4分解的方法，能够对较高浓度的cf4进行分解处理，但是存在分解后会残留一定量的cf4这样的问题。非专利文献1的通过电晕放电将废气中的cf4分解的方法，存在电极容易发生氟化从而劣化之类的问题。

本发明的第1目的是将从含有准分子激光振荡装置中所使用的稀有气体(例如氩气、氙气、氪气等)的废气中除去杂质的除去功能设置于准分子激光振荡装置的系统内。

另外，本发明的第2目的是在准分子激光振荡装置的系统内，除去从准分子激光的振荡室排出的废气中的部分杂质，并将其它杂质在准分子激光振荡装置的系统外除去。

另外，本发明的第3目的是在准分子激光振荡装置的系统内，测定从准分子激光的振荡室排出的废气中的杂质浓度，并在准分子激光振荡装置的系统内和/或准分子激光振荡装置的系统外进行杂质的除去处理。

另外，还以将除去了杂质的纯化气体(包含稀有气体的激光气体)回收利用为目的。

本发明的具备气体回收功能的准分子激光振荡装置，具备振荡室和第一杂质除去装置，

所述振荡室在内部填充有激光气体，所述激光气体具有卤素气体(例如氟气)、稀有气体(例如氪气、氩气、氙气)、缓冲气体(例如氖气、氯气)，

所述第一杂质除去装置将从所述振荡室排出的废气中的杂质除去。

所述第一杂质除去装置可以具有氟化合物除去部，所述氟化合物除去部将作为杂质的一部分的氟化合物除去。所述第一杂质除去装置可以仅具有氟化合物除去部。

所述第一杂质除去装置可以具有分解装置，所述分解装置将作为杂质的一部分的氟化碳(cf4等)分解，得到分解副产物。

所述第一杂质除去装置可以具有分解副产物除去部，所述分解副产物除去部使所述分解装置中生成的分解副产物与预定的反应剂反应从而将其从所述废气中除去。氟化碳被分解时的分解副产物例如为氟化合物。

所述第一杂质除去装置可以不具有氟化合物除去部，而具有分解装置和分解副产物除去部。

所述第一杂质除去装置可以具有杂质浓度测定部，所述杂质浓度测定部测定从振荡室排出的废气中的杂质浓度。第一杂质除去装置可以不具有氟化合物除去部、分解装置、分解副产物除去部，而具有杂质浓度测定部。

杂质浓度测定部可以设定在所述氟化合物除去部的上游或下游。

杂质浓度测定部可以设置在比所述分解装置靠上游，用于判断是否通过分解装置将杂质除去。另外，杂质浓度测定部也可以设置在比所述分解装置靠下游，用于测定由分解装置处理后的杂质的浓度。

杂质浓度测定部，作为废气中的杂质，可以测定cf4、n2、he之中的任一种或多种杂质的浓度。

所述第一杂质除去装置可以在比所述分解装置靠上游和/或靠下游，具有用于存储废气的缓冲罐。

所述第一杂质除去装置可以在比所述分解副产物除去部靠上游和/或靠下游，具有用于存储废气的缓冲罐。

所述第一杂质除去装置可以在比所述杂质浓度测定部靠上游和/或靠下游，具有用于存储废气的缓冲罐。

所述第一杂质除去装置可以在比所述氟化合物除去部靠上游和/或靠下游，具有用于存储废气的缓冲罐。

在上述发明中，如果准分子激光振荡装置为单一壳体，则“系统内”是指壳体内和与壳体连接的构成要素(包括从壳体突出的要素)，在准分子激光振荡装置由多个壳体构成的情况下，“系统内”包括与这些壳体接触配置或在附近配置的结构。

本发明中，只要没有特别说明，“上游”和“下游”就意味着气体(废气、纯化气体、回收气体、原料激光气体等)的流动方向上的配置关系。以下相同。

所述准分子激光振荡装置，其外观(单一壳体)尺寸例如可以为2200～3500(w)×500～1500(d)×1500～2500(h)。

准分子激光振荡装置是一种气体激光器，将紫外线区域的光振荡。振荡室中，通过至少一对电极对激发气体施加高电压(高电压脉冲放电)，由此产生处于激发状态的准分子，引起受激发射而得到光(紫外线)。

从振荡室射出的光，例如可以通过窄频带化模块(具有棱镜、光栅而构成)调整为特定的波长宽度。从窄频带化模块返回振荡室的光，从一对电极间穿过，由此增幅。另外，以光从振荡室中通过的方式，窄频带化模块和输出镜由光路线连接，每次光在窄频带化模块与输出镜之间往返，都会从一对电极间穿过，由此使光增幅。通过窄频带化模块和输出镜能够实现共振器的功能。透过输出镜的光作为输出激光，例如向曝光装置输出。

填充在振荡室内的激光气体，例如具有氖气等缓冲气体(例如90～95％)、以及由稀有气体(kr、ar、xe)(例如5～9％)和卤素气体(f2)(例如1～5％)构成的激发气体。例如，作为激发气体，有krf、arf、xef、ar/xef等。

所述准分子激光振荡装置，可以具有：

将一种或多种激光气体向所述振荡室供给的一个或多个激光气体供给线；

从所述激光气体供给线供给激光气体的所述振荡室；以及

用于将从所述振荡室排出的激光气体(废气)向所述第一杂质除去装置(或杂质浓度测定部)输送的废气线。

在废气线和激光气体供给线中，可以设置控制阀、气体压力调整部或气体压力计、和/或气体流量调整部或气体流量计。

所述准分子激光振荡装置可以具有排出用的泵。

所述准分子激光振荡装置可以具有测定所述振荡室内的激光气体的压力的激光气体压力计。

所述准分子激光振荡装置，为了向振荡室供给预定压力、预定量的激光气体以及从振荡室排出预定量的激光气体，可以设置控制阀、气体压力调整部或气体压力计、和/或气体流量调整部或气体流量计，通过激光气体供给排出控制部进行控制。

振荡室内的气体压力和激光气体的供给压力(第一压力)，与准分子激光振荡装置的规格相对应地设定，通常是比大气压高的压力，例如以表压计可例示300kpa～700kpa的范围，优选为400kpa～700kpa的范围，更优选为500kpa～700kpa的范围。

从振荡室排出的废气的压力，为大气压以上且所述第1压力以下，例如以表压计可举出50kpa～200kpa的范围。

通过升压器升压至预定压力的第一纯化气体的压力，是比所述第一压力大的值，例如与第一压力的差值以表压计为50kpa～150kpa的范围。

所述准分子激光振荡装置可以具有分解除去处理线，所述分解除去处理线基于由所述杂质浓度测定部测定的结果，用于将所述废气向所述分解装置和所述分解副产物除去部输送。分解除去处理线可以与连接于振荡室的废气线连接，也可以兼作废气线。

所述准分子激光振荡装置可以具有放出线，所述放出线基于由所述杂质浓度测定部测定的结果，用于将所述废气向准分子激光振荡装置的系统外放出。

所述准分子激光振荡装置可以具有旁路线，所述旁路线基于由所述杂质浓度测定部测定的结果，用于将所述废气向后段的工艺输送，而不向所述分解装置和所述分解副产物除去部输送。

所述准分子激光振荡装置可以具有处理选择部，所述处理选择部基于由所述杂质浓度测定部测定的结果，选择将废气向外部气体排出的第1处理、执行杂质的除去处理的第2处理、和将废气向后段的工艺输送的第3处理之中的任一处理。

可以设为：

在通过所述处理选择部选择了所述第1处理的情况下，通过所述放出线将所述废气向外部气体放出，

在通过所述处理选择部选择了所述第2处理的情况下，将所述废气向设置于所述分解除去处理线的所述分解装置和所述分解副产物除去部输送，将废气中的杂质分解除去，

在通过所述处理选择部选择了所述第3处理的情况下，通过所述旁路线将所述废气向后段的工艺输送。

可以具有阀控制部，对阀的开关进行控制，使得在选择了所述第1处理的情况下向所述放出线放出所述废气，在选择了所述第2处理的情况下向所述分解除去处理线输送所述废气，在选择了所述第3处理的情况下向所述旁路线输送所述废气。

所述分解装置例如可以是无声放电装置、短波长光振荡装置。作为短波长光，可举出准分子激光、uv激光等。分解装置可以具有分解腔室。可以从振荡室向分解腔室输送废气，在分解腔室内照射准分子激光而将废气中的杂质(cf4)分解。cf4分解形成分解副产物(f2、其它氟化合物)，所述分解副产物可以在分解副产物除去部中与预定的反应剂反应而被吸收除去。

本发明中，上述“预定的反应剂”例如是金属系反应剂或气体吸收系反应剂等。作为金属系反应剂，例如可举出ag系、cu系的反应剂。作为气体吸收系反应剂，例如可举出酸性气体吸收反应剂，例如可举出将以苏打石灰为代表的含氧物质用于反应剂。

所述氟化合物例如为sif4、cof2。

所述氟化碳例如为cf4。

所述分解除去处理线例如可以具有配管和自动开关阀而构成。

所述旁路线例如可以具有配管和自动开关阀而构成。

所述放出线例如可以具有配管、用于向外部气体排出的排气装置、自动开关阀等而构成。

所述杂质浓度测定部例如可以配置于分解除去处理线等的配管，可以配置于能够进行浓度测定的空间，也可以配置于缓冲罐。

本发明中，“纯化气体”和“回收气体”例如是包含第1稀有气体(例如ar、kr)且主成分为氖气的气体。

本发明中，废气中的杂质例如包含cf4、n2、he、氧气、水分之中的任一种或多种。稀有气体(例如氩气、氪气、氙气)和氖气等缓冲气体，只要不特别明示为杂质，就不属于杂质。

本发明中，在具有杂质浓度测定部的情况下，可以测定从振荡室输送来的废气中的杂质(例如cf4)浓度，根据测定结果对废气进行各种处理。

本发明中，可以构成为：例如在杂质浓度比预定浓度范围(例如10ppm～120ppm)高的高浓度的情况下向外部气体放出，如果杂质浓度为预定浓度范围(例如10ppm～120ppm)则将杂质分解除去，如果杂质浓度小于预定浓度范围(例如10ppm～120ppm)则以该状态向后段的工艺(第二杂质除去装置的工艺)送入废气。

即，在后段的工艺(第二杂质除去装置的工艺)中，由于能够仅将包含没有被第一杂质除去装置除去的杂质的废气(也称为“第一纯化气体”)送入，因此能够在后段的工艺中进一步进行杂质的除去。

另外，能够抑制第一杂质除去装置的分解副产物除去部或第二杂质除去装置的第一、第二除去部在早期阶段性能劣化的现象，减少维护次数。

在准分子激光振荡装置的系统内，能够进行废气的回收处理(根据实施方式为一部分杂质的除去处理、全部杂质的除去处理)。例如，在arf准分子激光振荡装置、krf准分子激光振荡装置的系统内，能够从废气中除去杂质，将含有第1稀有气体的主成分为氖气的气体纯化，作为回收气体再利用。

另外，本发明中，由于是不除去稀有气体(ar、kr)的技术构成，因此不需要极低温处理、1mpag以上的高压化处理，能够成为紧凑的装置结构，组入准分子激光振荡装置的系统内(壳体)。

另外，能够效率良好地除去在振荡室中生成的cf4等杂质，因此能够使激光振荡性能稳定化。

另外，通过将气体回收功能组入准分子激光振荡装置，能够进行每一台准分子激光振荡装置的气体回收处理，相比于连接有多台准分子激光振荡装置的大规模废气纯化装置，回收效率提高。

另外，通过将气体回收功能组入准分子激光振荡装置，能够节省以往的包括废气纯化装置在内的设置空间。

通过将气体回收功能组入准分子激光振荡装置，相比于连接有多台准分子激光振荡装置的废气纯化装置，能够使操作程序简化，可期待故障率的降低。

上述发明中，在所述杂质浓度测定部测定所述废气中的cf4的浓度的情况下，可以进行以下控制：

在cf4的浓度为第1阈值以上的情况下，所述处理选择部选择所述第1处理，

在cf4的浓度大于比所述第1阈值小的第2阈值、并且小于所述第1阈值的情况下，所述处理选择部选择所述第2处理，

在cf4的浓度小于所述第2阈值的情况下，所述处理选择部选择所述第3处理。

上述发明中，“第1阈值”例如为80ppm～110ppm之间的任意数值，优选为90ppm～100ppm之间的任意数值，更优选为100ppm。

上述发明中，“第2阈值”例如为5ppm～15ppm之间的任意数值，优选为8ppm～12ppm之间的任意数值，更优选为10ppm。

本发明中，除了特别明示为质量或重量的情况下，浓度意味着体积浓度。

所述废气的主成分是氖气，第1稀有气体相对于总量为1～10％，优选为1～8％。作为废气中的杂质，例如可举出cf4、n2、he等。废气中的cf4浓度预想为1ppm～500ppm的范围。

在cf4浓度为第1阈值(例如100ppm)以上的情况下，所述处理选择部选择第1处理。所述第1处理是将废气通过所述放出线向系统外排出。

如果一定量(例如100ppm)以上的cf4被导入分解装置，则废气中所含的cf4的一部分不会被分解，从而无法完全除去，但如果是这样的技术构成，通过将cf4除去有可能不充分的废气预先向系统外排出，能够进行完全的除去。

另外，在cf4为高浓度的情况下，会产生所述分解装置中生成的分解副产物的量增加，预定的反应剂(例如金属系反应剂、气体吸收系反应剂)的更换频率提高，配管、阀等发生腐蚀之类的问题，因此不将浓度为第1阈值以上的cf4导入分解装置，从而减轻这些问题。第1阈值的值可以根据分解装置的能力而设定。

在cf4浓度大于比第1阈值小的第2阈值(例如10ppm)、并且小于所述第1阈值的情况下，选择所述第2处理。第2处理是从所述分解除去处理线向所述分解装置导入废气。在分解装置中，cf4例如通过uv激光、准分子激光或等离子体分解而形成分解副产物(f2、其它氟化合物)，所述分解副产物通过与预定的反应剂(例如金属系反应剂、气体吸收系反应剂)的反应而被除去。

在cf4浓度小于第2阈值的情况下，选择所述第3处理，第3处理是绕过所述分解装置，将废气原样导入后段的第二杂质除去装置。

在所述杂质浓度测定部测定所述废气中的cf4、n2和he的浓度的情况下，可以进行以下控制：

在(a)he浓度为第3阈值以上，(b)cf4和n2中的任一者为所述第1阈值(例如80ppm～110ppm之间的任意数值，优选为90ppm～100ppm)以上，或(c)he浓度小于第3阈值，cf4和n2中的任一者为所述第2阈值(例如5ppm～15ppm之间的任意数值，优选为8ppm～12ppm)以上且小于所述第1阈值，并且浓度的大小关系为n2＞(1/2)×cf4的情况下，所述处理选择部选择所述第1处理。

在(d)he浓度小于第3阈值，n2或cf4的浓度为所述第2阈值以上且小于所述第1阈值，并且浓度的大小关系为n2＜(1/2)×cf4的情况下，所述处理选择部选择所述第2处理。

在(e)he浓度小于第3阈值，且n2或cf4的浓度小于所述第2阈值的情况下，所述处理选择部选择所述第3处理。

上述发明中，“第3阈值”例如是0.5％～1.5％之间的任意值，优选为0.8％～1.2％之间的任意值，更优选为1.0％。

作为所述废气中的杂质，也可以测定cf4、n2和he的浓度。所述废气中的cf4和n2浓度预想为1ppm～500ppm的范围，he浓度预想为0.01～5.0％的范围。

在cf4或n2浓度例如为100ppm以上、或he浓度例如为1％以上的情况下，激光强度下降，因此在cf4或n2浓度为第1阈值(例如100ppm)以上或he浓度为第3阈值(例如1％)以上的情况下，所述处理选择部选择第1处理，所述第1处理是将废气通过所述放出线向系统外排出。

即使在he浓度小于第3阈值，并且cf4和n2浓度大于比第1阈值小的第2阈值(例如10ppm)且小于所述第1阈值的情况下，在n2浓度为cf4浓度的2倍以上时，关于在所述分解装置的分解过程中产生的离子量，氮离子量优于碳离子量。该情况下，由所述分解装置分解生成的氮离子与碳离子相比，优先与废气中所含的氧或氧离子反应，生成氮氧化物。因此，在n2浓度为cf4浓度的2倍以上的情况下，所述处理选择部选择第1处理，所述第1处理是将废气通过所述放出线向系统外排出。

另一方面，在he浓度小于第3阈值，cf4和n2浓度为第2阈值以上且小于第1阈值，并且n2浓度小于cf4浓度的2倍的情况下，能够通过分解装置进行分解，通过该分解产生的氮氧化物量少，因此选择所述第2处理。在第2处理中，将所述废气通过所述分解除去处理线导入所述分解装置。

在he浓度小于第3阈值、且cf4和n2浓度小于第2阈值的情况下，选择所述第3处理。第3处理是绕过所述分解装置，将废气原样导入后段的第二杂质除去装置。

上述发明中，在分解除去处理线上，可以按照氟化合物除去部、杂质浓度测定装部、缓冲罐、分解装置、分解副产物除去部的顺序配置。

上述发明中，可以具备第一回收线，所述第一回收线将所述第一杂质除去装置处理过的第一纯化气体作为回收气体，使其返回所述振荡室。

上述发明中，可以具备气体处理线，所述气体处理线为了对所述第一杂质除去装置处理过的第一纯化气体进一步进行处理而将其向后段的工艺输送。

上述发明中，准分子激光振荡装置可以在其系统内还具备第二杂质除去装置，所述第二杂质除去装置从所述第一杂质除去装置处理过的第一纯化气体中进一步除去杂质。

上述发明中，可以还具备第二回收线，所述第二回收线将所述第二杂质除去装置处理过的第二纯化气体作为回收气体，使其返回所述振荡室。作为另一实施方式，所述第二杂质除去装置可以配置在准分子激光振荡装置的系统外。或者，可以将第二杂质除去装置配置在系统内，并在系统外还具备另外的具有回收功能的第三杂质除去装置。

上述发明中，准分子激光振荡装置、所述第一杂质除去装置和/或第二杂质除去装置，可以具备升压器(例如压缩机)和/或回收线。

所述升压器将所述第一纯化气体升压至预定压力(与原料气体的供给压相同或其以上的高的压力，或是与振荡缓冲内的压力相同或其以上的高的压力)。

所述回收线将通过所述升压器而成为预定压力的第一纯化气体向振荡室输送。

上述发明中，所述第二杂质除去装置可以具有：

从第一纯化气体中除去第一杂质(例如氧)的第一除去部(例如脱氧反应单元)；和

从通过了第一除去部的第一纯化气体中除去第二杂质的第二除去部(例如吸气剂)。

作为另一实施方式，可以取代上述第一杂质除去装置，在准分子激光振荡装置的系统内配置第二杂质除去装置(也可以包括后述的构成要素)。

升压器、第一除去部、第二除去部可以配置于共同的所述气体处理线。

第一除去部可以从通过所述升压器而升压至预定压力的第一纯化气体中除去第一杂质。

从所述第二除去部通过了的第二纯化气体(回收气体)，可以通过所述第二回收线向所述振荡室输送。

所述第二杂质除去装置可以在比所述升压器靠下游侧且比所述第一除去部靠上游的所述气体处理线上配置有调整废气的流量的气体流量调节部或测定纯化气体的流量的气体流量计。

所述第二杂质除去装置可以在比所述升压器靠下游侧且比所述第一除去部靠上游的所述气体处理线上配置有调整废气的压力的气体压力调节部或测定气体压力的压力计。

所述第二杂质除去装置可以还具有将从第二除去部通过的第二纯化气体(例如含有第1稀有气体的主成分为氖气的气体)存储的纯化气体缓冲罐。

所述第二杂质除去装置可以在第一除去部与第二除去部之间还具有氙气除去部，在作为原料的激光气体为含有ar、xe的氖气的情况下，所述第一纯化气体中包含氩气(ar)作为第1稀有气体，包含氙气(xe)作为第2稀有气体，所述氙气除去部从所述第一纯化气体中除去氙气。氙气除去部例如可举出填充有活性炭、沸石系的吸附剂的结构。

所述第二杂质除去装置可以还具有导入线，在作为原料的激光气体为含有ar、xe的氖气的情况下，所述第一纯化气体中包含氩气(ar)作为第1稀有气体，包含氙气(xe)作为第2稀有气体，所述导入线向纯化气体缓冲罐或流通第二纯化气体的气体处理线的配管导入辅助用含氙气的氖气。导入线可以与纯化气体缓冲罐或比其靠上游或靠下游的气体处理线连接。纯化气体缓冲罐或气体处理线的配管中，可以混合有第二纯化气体和含氙气的氖气。辅助用含氙气的氖气存储在系统内或系统外的辅助罐中，辅助罐可以与导入线连接。

所述导入线可以配置有气体流量调节部、气体流量计、气体压力调节部或气体压力计。压力调整部可以将辅助用含氙气的氖气的压力调整为预定的压力(例如第1压力)。“第1压力”例如是向振荡室供给的激光气体的压力或其以上的压力。

所述第二杂质除去装置可以还具有存储所述第二纯化气体和所述含有氙气的氖气的回收罐。导入线可以与回收罐连接。回收罐中可以混合有第二纯化气体和辅助用含氙气的氖气。

所述第二杂质除去装置，可以在比所述第二除去部靠下游侧的所述气体处理线上配置有调整第二纯化气体的流量的气体流量调节部或测定第二纯化气体的流量的气体流量计。可以在纯化气体缓冲罐的下游侧或回收罐的下游侧配置有气体流量调节部或气体流量计。

所述第二杂质除去装置，可以在比所述第二除去部靠下游侧的所述气体处理线上配置有调整第二纯化气体的压力的气体压力调节部或测定气体压力的气体压力计。可以在纯化气体缓冲罐的下游侧或回收管的下游侧配置有气体压力调节部或气体压力计。

所述第二杂质除去装置，可以在比所述第二除去部靠下游侧的所述气体处理线上，按顺序配置有调整第二纯化气体的压力的气体压力调节部或测定气体压力的气体压力计、和调整第二纯化气体的流量的气体流量调节部或测定第二纯化气体的流量的气体流量计。可以在比所述第二除去部靠下游侧的所述气体处理线上，按顺序配置有调整第二纯化气体的流量的气体流量调节部或测定第二纯化气体的流量的气体流量计、和调整第二纯化气体的压力的气体压力调节部或测定气体压力的气体压力计。

所述第二杂质除去装置可以被构成为：并联配置两个氙气除去部，其中一个进行吸附处理，另一个进行再生处理。

所述第二杂质除去装置可以还具有调整所述第一纯化气体的温度的温度调整部。作为温度调整部，例如可举出热交换器。温度调整部配置在比升压器靠下游侧，优选配置在升压器与比其靠下游侧的预定的流量调整部或气体流量计、或是气体压力调整部或气体压力计之间。

根据该技术构成，能够将第一纯化气体的温度调整为预定温度。例如，能够将随着通过升压器升压而上升的第一纯化气体的温度(例如60～80℃)调整为预定温度(例如15～35℃)。另外，能够将第一纯化气体的温度调整为适合于后段的第一、第二除去部中的除去作用的温度范围。

可以具有相对于所述第一除去部的第1旁路线。

可以具有相对于所述第二除去部的第2旁路线。

可以具有相对于所述氙气除去部的第3旁路线。

在第1～第3旁路线分别配置有闸阀。构成为在绕过处理时打开闸阀。

所述第一除去部可以至少在其上游侧具有闸阀。

所述第二除去部可以至少在其上游侧具有闸阀。

所述氙气除去部可以至少在其上游侧具有闸阀。

(方法)

一种回收气体生成方法，是在本发明的准分子激光振荡装置的系统内(壳体内)中执行的回收气体生成方法，其特征在于，在准分子激光振荡装置的系统内，执行将从振荡室排出的废气中的杂质除去的第一杂质除去工序。

第一杂质除去工序可以具有将作为杂质的一部分的氟化合物除去的氟化合物除去工序。

第一杂质除去工序可以具有将作为杂质的一部分的氟化碳分解而形成分解副产物的分解工序、和使所述分解工序中生成的分解副产物与预定的反应剂反应而将其从所述废气中除去的分解副产物除去工序。

所述第一杂质除去工序可以具有测定从所述振荡室排出的废气中的杂质浓度的杂质浓度测定工序。

回收气体生成方法，可以还在准分子激光振荡装置的系统内执行从经过所述第一杂质除去工序处理了的第一纯化气体中进一步除去杂质的第二杂质除去工序。

所述第二杂质除去工序可以具有将所述第一纯化气体升压至预定压力的升压工序。

所述第二杂质除去工序可以具有从所述第一纯化气体中除去第一杂质的第一除去工序、和在所述第一除去工序之后从第一纯化气体中除去第二杂质的第二除去工序。

所述第二杂质除去工序，在所述第一纯化气体中含有氩气(ar)作为第1稀有气体、含有氙气(xe)作为第2稀有气体的情况下，可以具有在所述第二除去工序之后将第二纯化气体与辅助用含氙气的氖气混合的、含氙气的回收气体生成工序。

所述第二杂质除去工序可以具有在所述升压工序之后使所述第一纯化气体的温度降低的热交换工序。

附图说明

图1a是表示实施方式1的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图1b是表示实施方式1的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图2a是表示实施方式2的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图2b是表示实施方式2的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图3是表示实施方式3的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图4是表示实施方式4的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图5是表示实施方式5的准分子激光振荡装置的结构例的图。

图6是表示实施方式6的准分子激光振荡装置的结构例的图。

附图标记说明

1准分子激光振荡装置

11高电压脉冲生成器

12振荡室

13第一杂质除去装置

131氟化合物除去部

1321杂质浓度测定部

133缓冲容器

134分解装置

135分解生成物除去部

14第二杂质除去装置

141压缩机

142第一除去部

143第二除去部

144纯化气体罐

具体实施方式

(实施方式1)

利用图1a、1b对实施方式1的准分子激光振荡装置1进行说明。

准分子激光振荡装置例如为氪·氟(krf)准分子激光振荡装置、氩·氟(arf)准分子激光振荡装置、氩氙氟(ar/x·f)准分子激光振荡装置。

实施方式1的准分子激光振荡装置1，在准分子激光振荡装置1的系统内具备：内部填充了具有卤素气体(例如氟)、稀有气体(例如氪气、氩气、氙气)、缓冲气体(例如氖气、氦气、氯气)的激光气体的振荡室12；将从振荡室12排出的废气中的杂质除去的第一杂质除去装置13；和从第一杂质除去装置13送来的第一纯化气体中除去杂质的第二杂质除去装置14。

振荡室12填充有预定压力、预定量的激光气体。在该状态下，高电压脉冲生成器11对于振荡室12内的激光气体(激发气体)施加至少一对电极的高电压脉冲放电，由此产生激发状态的准分子，引起受激发射而得到光。从振荡室12射出的光，通过未图示的窄频带化模块而调整为特定的波长宽度。从窄频带化模块返回振荡室12的光，从上述一对电极之间通过，由此被增幅。以光从振荡室12通过的方式，由光路线连接窄频带化模块和输出线，每次光在窄频带化模块与输出线之间往返，都会从一对电极之间通过，由此使光增幅。透过输出线的光作为输出激光，例如向曝光装置输出。在此，通过窄频带化模块和输出线实现共振器的功能，但也可以通过其它结构实现共振器的功能。

填充于振荡室12内的激光气体，例如具有由氖气或氦气等缓冲气体(例如90～95％)、稀有气体(kr、ar、xe)(例如5～9％)和卤素气体(f2)(例如1～5％)构成的激发气体。例如，作为激发气体，有krf、arf、xef、ar/xef等。

本实施方式中，作为回收气体向振荡室12返回的是与激光气体成分相同的包含稀有气体(例如氪气、氩气、氩气·氙气)的主成分为缓冲气体(例如氖气)的气体。可以在将含有卤素气体的主成分为缓冲气体的气体与回收气体混合之后，向振荡室12输送。

准分子激光振荡装置1可以具有用于向振荡室12送入第一激光气体的第一激光气体供给线、用于送入第二激光气体的第二激光气体供给线、和送入回收气体的回收气体线。

第一激光气体可以是含有卤素气体的主成分为缓冲气体的气体或含有稀有气体和卤素气体的主成分为缓冲气体的气体。

第二激光气体可以是含有卤素气体的主成分为缓冲气体的气体或含有稀有气体和卤素气体的主成分为缓冲气体的气体。

第一激光气体供给线、第二激光气体供给线分别配置控制阀、气体流量计、气体流量调整部、压力计、压力调整部(例如减压阀)等，在向振荡室12供给激光气体时，通过控制装置进行控制，向振荡室供给预定压力、预定流量的激光气体。

图1a中，第一激光气体从供给容器10通过供给线l1以预定压力(第一压力)向准分子激光振荡装置1供给。供给线l1配置有供给阀101、闸阀102(可以有也可以没有)、气体流量调整部104、供给用闸阀103。气体流量调整部104具有气体流量计和气体流量调整阀，根据气体流量计的测定值来调整阀，从而控制气体流量。可以代替气体流量调整部104而配置气体流量计、压力计、减压调整部。

准分子激光振荡装置1的控制装置，例如在向振荡室12仅供给回收气体时，进行控制以关闭供给阀101和/或供给用闸阀103。“第一压力”根据准分子激光振荡装置1的规格而设定，例如为300kpa～700kpa。

另外，用于供给第二激光气体的第二激光气体供给线(未图示)被设置成与供给线l1、振荡室12或回收线(l31、l6)连接。第二激光气体供给线(未图示)与第一激光气体供给线同样地配置有各种阀、气体流量调整部。

在供给容器10内的第一激光气体的压力大于第一压力的情况下，可以通过比气体流量调整部104靠上游侧或靠下游侧配置的气体减压阀(未图示)，将第一激光气体的压力向第一压力减压。

在未图示的供给容器内的第二激光气体的压力大于第一压力的情况下，可以通过气体减压阀(未图示)将第二激光气体的压力向第一压力减压。

(第一杂质除去装置)

将第一杂质除去装置13、第二杂质除去装置14的结构例示于图1b。

从振荡室12排出的废气，通过废气线l2向第一杂质除去装置13输送。废气以大气压以上且上述第一压力以下的第二压力被排出。该第二压力也根据准分子激光振荡装置1的规格而设定。再者，可以在废气线l2配置排出用泵(未图示)，执行(或促进)废气的排出。

作为“第二压力”，例如为50～100kpa。排出的废气中混合有杂质。作为杂质，例如可举出氮气、氧气、一氧化碳、二氧化碳、水、cf4、he、ch4等。

准分子激光振荡装置1的控制装置具有激光气体供给·排出控制部(未图示)，激光气体供给·排出控制部对控制阀、气体流量计、气体流量调整部、气体减压阀等进行控制，按照预定的规则(例如基于运行时间的定期的计时)，从振荡室12排出激光气体(废气)，供给与该排出量相对应的量的第一激光气体、第二激光气体、回收气体之中的任一种或两种以上。

废气线l2在第一杂质除去装置13中成为分解除去处理线。

首先，废气向氟化合物除去部131输送，作为杂质的一部分的氟化合物被除去。

接着，向缓冲空间1321输送并存储，使得废气成为一定量。缓冲空间1321具有存储预定量的废气，使后述的杂质浓度测定部211稳定进行杂质测定的功能。

通过配置在缓冲空间1321的内部的杂质浓度测定部132，测定废气中的杂质浓度。在此，作为杂质，例如测定ch4的浓度。作为杂质浓度测定部211，例如可以使用气相色谱仪、热传导式浓度传感器、半导体式浓度传感器等。

设置用于从缓冲空间1321向外部气体放出废气的放出线l20。放出线l20例如被构成为具有配管、外部气体排出用的排气装置、自动开关阀221。

在缓冲空间1321的下游，旁路线l21从分解除去处理线l2分支。旁路线l21例如被构成为具有配管、自动开关阀241。

分解除去处理线l2例如被构成为具有配管、气体流量测定部212和自动开关阀231。作为气体流量测定部212，可以使用质量流量计。更换时间判断部(未图示)可以基于气体流量测定部212的测定值和杂质浓度测定部132的测定值而算出杂质的量，求出分解副产物除去部135的预定的反应剂的更换时间。所求出的更换时间可以向i/o接口等输出，从而通知操作员。

另外，分解除去处理线l2，在比自动开关阀231靠下游侧配置缓冲容器133，在此存储预定量的废气。在比缓冲容器133靠下游侧，配置将作为杂质的一部分的氟化碳(cf4)分解而形成分解副产物的分解装置134。本实施方式中，分解装置134是向废气照射准分子激光的装置。

在比分解装置134靠下游侧配置分解副产物除去部135。本实施方式中，分解副产物例如是氟化合物，使分解装置134中生成的分解副产物与预定的反应剂(例如金属系反应剂或气体吸收系反应剂)反应而将其从废气中除去。将从分解副产物除去部135中通过了的废气称为第一纯化气体。第一纯化气体由气体处理线l3向第二杂质除去装置14输送。

另外，作为另一实施方式，可以具有或不具有气体流量测定部212。

本实施方式中的处理选择的判断如下所述。

杂质浓度测定部132测定废气中的cf4的浓度。该情况下，在cf4的浓度为第1阈值(例如100ppm)以上的情况下，处理选择部(未图示)选择第1处理，在cf4的浓度比小于第1阈值的第2阈值(例如10ppm)大、并且小于第1阈值的情况下，处理选择部选择第2处理，在cf4的浓度小于第2阈值的情况下，处理选择部选择第3处理。

另外，作为另一实施方式，杂质浓度测定部132测定废气中的cf4、n2和he的浓度。该情况下，在(a)he浓度为第3阈值(例如1.0％)以上，(b)cf4和n2的任一者为所述第1阈值(例如100ppm)以上，或(c)he浓度小于第3阈值、cf4和n2的任一者为所述第2阈值(例如10ppm)以上且小于第1阈值、并且浓度的大小关系为n2＞(1/2)×cf4的情况下，处理选择部选择第1处理。在(d)he浓度小于第3阈值、n2或cf4的浓度为所述第2阈值以上且小于所述第1阈值、并且浓度的大小关系为n2＜(1/2)×cf4的情况下，处理选择部选择第2处理。在(e)he浓度小于第3阈值、n2或cf4的浓度小于所述第2阈值的情况下，处理选择部选择第3处理。

再者，不限定于上述金属系反应剂，也可以使用气体吸收系反应剂来代替。

控制装置、处理选择部、各种阀的控制部、更换时间判断部，可以被构成为具有cpu(或mpu)等硬件、电路、固件、存储软件程序的存储器等，通过与软件的协作来进行工作。

(第二杂质除去装置)

第二杂质除去装置14从通过气体处理线l3送来的第一纯化气体中除去第一、第二杂质，得到第二纯化气体。气体处理线l3例如被构成为具有配管、1个或多个自动开关阀。

气体处理线l3可以按照顺序配置有压缩机141、第一除去部142、第二除去部143、纯化气体缓冲罐144。将从第二除去部143通过了的气体称为第二纯化气体(也称为回收气体)。

另外，作为另一实施方式，可以在比第一除去部142靠上游侧设有热交换器、调整第一纯化气体的流量的调整部、测定第一纯化气体的流量的流量计、调整第一纯化气体的压力的压力调整部。热交换器使第一纯化气体的温度降低至预定温度。能够使随着通过压缩机141升压而上升的气体温度(例如60～80℃)降低至预定温度(例如15～35℃)，例如能够使气体温度降低至适合于后段的各种除去部中的除去作用的温度范围。

另外，作为另一实施方式，可以在比第二除去部142靠下游侧或纯化气体缓冲罐144的下游侧设有调整第二纯化气体的流量的调整部、测定第二纯化气体的流量的流量计、调整第二纯化气体的压力的压力调整部。

压缩机141将第一废气的压力向第三压力升压。第三压力例如是比第一压力高出50kpa～150kpa左右的压力。压力控制部(未图示)基于被组入压缩机141的压力计或配置在比压缩机141靠下游的压力计的测定值而控制第一纯化气体的压力。

第一除去部142是从第一纯化气体中除去氧气的、填充有氧化锰反应剂或氧化铜反应剂的脱氧装置。作为氧化锰反应剂，可举出以一氧化锰mno反应剂、二氧化锰mno2反应剂、吸附剂为基体的氧化锰反应剂。作为氧化铜反应剂，例如可举出氧化铜cuo等反应剂、吸附剂为基体的氧化铜反应剂。

从第一除去部142通过的纯化气体，通过配管l4向第二除去部143输送。

第二杂质是除了废气成分中包含最多的杂质以外的成分，例如可举出氮气、一氧化碳、二氧化碳、水、cf4、ch4、he等。cf4有时会被第一杂质除去装置除去(一部分除去、完全除去)，有时也会绕开而向第二杂质除去装置输送。

第二除去部143是将氧气以外的杂质(例如氮气、一氧化碳、二氧化碳、水、ch4)除去的、填充有化学吸附剂的吸气剂。

从第二除去部143中通过了的第二纯化气体，是氧气和除了氧气以外的杂质被除去了的气体(含有稀有气体的主成分为缓冲气体的气体)。第二纯化气体通过配管l5向纯化气体缓冲罐144输送。

纯化气体缓冲罐144内的第二纯化气体，通过回收线l6，作为回收气体向振荡室12输送。回收线l6例如可以构成为设有在供给回收气体时打开的自动开关阀、调整回收气体的流量的调整部、测定回收气体的流量的流量计、调整回收气体的压力的压力调整部之中的一种或多种，通过激光气体供给·排出控制部进行控制，将回收气体向振荡室12供给。

(实施方式2)

利用图2a、2b对实施方式2的准分子激光振荡装置1进行说明。对于与实施方式1相同的结构，会省略或简化其说明。实施方式2的准分子激光振荡装置1如图2a所示，被构成为在其系统内具备第一杂质除去装置13，在其系统外配置第二杂质除去装置14。

如图2b所示，第二杂质除去装置14(压缩机141、第一除去部142、第二除去部143、纯化气体缓冲罐144)被配置在准分子激光振荡装置1的系统外。

(实施方式3)

利用图3对实施方式3的准分子激光振荡装置进行说明。对于与实施方式1、2同样的结构，有时省略或简化其说明。与实施方式1、2不同的点，是在第二杂质除去装置14的结构中，具有氙气除去部70、辅助氙气供给功能。将废气中的氙气除去而用作激光气体的成分时，容易通过第二除去部143除去第二杂质。即，第二杂质除去装置14可以配置在准分子激光振荡装置的系统内或系统外。

在第一除去部142的后段配置氙气除去部70，在此除去氙气。氙气除去部70是填充有活性炭的脱氙装置。从氙气除去部70中通过了的纯化气体向第二除去部143输送。

在纯化气体缓冲罐144的下游侧配置有减压阀151、气体流量调整部152。压力控制部(未图示)基于配置在配管l5的下游侧的压力计或被组入减压阀151的压力计的测定值来控制减压阀151，控制第二纯化气体的压力。纯化气体缓冲罐144的第二纯化气体是第三压力的气体，因此减压至与振荡室12内的激光气体相同的压力(第一压力)。

纯化气体流量调整部152具有气体流量计和气体流量调整阀，纯化气体控制部(未图示)根据气体流量计的测定值而调整气体流量调整阀，控制第二纯化气体的流量。由此，能够将送入振荡室12的第二纯化气体的供给量控制为恒定。再者，纯化气体流量调整部152可以仅为气体流量计。另外，纯化气体流量调整部152或气体流量计与减压阀151的配置也可以颠倒。

在纯化气体流量调整部152的下游侧设有与配管l5合流的辅助稀有气体导入线l7。在辅助稀有气体导入线l7上，按照顺序配置填充有缓冲气体(例如氖气)和氙气的辅助稀有气体的辅助容器71、供给阀(未图示)、辅助稀有气体减压阀(相当于辅助稀有气体压力调整部)72、辅助稀有气体流量调整部73。

压力控制部(未图示)基于配置在辅助稀有气体导入线l7的下游侧的压力计的测定值来控制辅助稀有气体减压阀72，从而控制辅助稀有气体的压力。在辅助容器71内的辅助稀有气体的压力大于第一压力的情况下，减压成为第一压力。

辅助稀有气体流量调整部73具有气体流量计和气体流量调整阀，纯化气体控制部(未图示)根据气体流量计的测定值来调整气体流量调整阀，控制辅助稀有气体的流量。纯化气体控制部控制辅助稀有气体的流量和第二纯化气体的流量，以成为与激光气体(例如氩气、氙气、氖气)相同配合量的含有氙气的气体(主成分为氖气)。

本实施方式中，在配管l5配置用于存储由第二纯化气体和辅助稀有气体构成的回收气体的回收气体罐145。可以在回收气体罐145的入口侧和出口侧设有自动开关阀。第二纯化气体和辅助稀有气体在回收气体罐145内混合，稳定为一定浓度。

回收气体罐145内的回收气体通过回收线l6向振荡室12输送。回收线l6例如可以被构成为设置在供给回收气体时打开阀的自动开关阀、调整回收的流量的调整部、测定回收气体的流量的流量计、调整回收气体的压力的压力调整部之中的一种或多种，通过激光气体供给·排出控制部进行控制，将回收气体向振荡室12供给。

(实施方式4)

利用图4对实施方式4的准分子激光振荡装置进行说明。对于与实施方式3同样的结构，会省略或简化其说明。与实施方式3不同的点是填充有缓冲气体(例如氖气)和氙气的辅助稀有气体的辅助容器471被收纳在激光气体罐400中。激光气体罐400也收纳有第一激光气体罐10。再者，第二杂质除去装置14可以配置在准分子激光振荡装置的系统内或系统外。

(实施方式5)

利用图5对实施方式5的准分子激光振荡装置1进行说明。对于与实施方式1同样的结构，会省略或简化其说明。与实施方式1不同的点是第一杂质除去装置13具有氟化合物除去部131、杂质浓度测定部132、缓冲空间1321、气体流量测定部212和自动开关阀231。

再者，第一杂质除去装置13可以是仅具有氟化合物除去部131的结构，也可以是仅具有杂质浓度测定部132的结构。

作为第三杂质除去装置13a，可以设置有缓冲容器133、分解装置134、分解副产物除去部135，也可以不设置。

在第一纯化气体的气体处理线l3配置压缩机141，在其下游设有自动开关阀252、和从压缩机141与自动开关阀252之间的气体处理线l3起分支并向振荡室21送入的分支线l31。再者，可以构成为在压缩机141的上游侧配置缓冲罐(未图示)，存储预定量的纯化气体。

可以基于杂质浓度测定部132的结果，将从旁路线l21中通过了的纯化气体或从第三杂质除去装置13a中通过了的第一纯化气体升压，向振荡室21送入。此时，自动开关阀252被关闭，配置于分支线l31的自动开关阀251被打开。可以在气体处理线l3或分支线l31配置热交换器，使第一纯化气体的温度降低至预定温度。

可以在分支线l31配置纯化气体缓冲罐。纯化气体通过分支线l31而作为回收气体向振荡室12输送。分支线l31例如可以构成为设置有在供给气体时打开的自动开关阀、调整气体流量的调整部、测定气体的流量的流量计、调整气体的压力的压力调整部之中的一种或多种，通过激光气体供给·排出控制部进行控制，向振荡室12供给气体。

另外，作为另一实施方式，可以在气体处理线l3上在比压缩机141靠上游侧配置另一分支线，从该另一分支线将通过了旁路线l21的纯化气体或通过了第三杂质除去装置13a的第一纯化气体向振荡室21送入。可以在另一分支线配置纯化气体缓冲罐。另一分支线例如可以构成为设置有在供给气体时打开的自动开关阀、调整气体流量的调整部、测定气体的流量的流量计、调整气体的压力的压力调整部之中的一种或多种，通过激光气体供给·排出控制部进行控制，向振荡室12供给气体。

(实施方式6)

利用图6对实施方式6的准分子激光振荡装置1进行说明。对于与实施方式5同样的结构，会省略或简化其说明。与实施方式5不同的点是第三杂质除去装置13a包含于第二杂质除去装置14中，配置在准分子激光振荡装置1的系统外。

(其它实施方式)

在上述实施方式1～6的基础上，放出线l20、旁路线l21可以有也可以没有。

在上述实施方式1～6的基础上，第一杂质除去装置13可以有也可以没有。

在上述实施方式1～6的基础上，第二杂质除去装置14可以有也可以没有。

在上述实施方式1～6的基础上，旁路线l21可以不是向后段的工艺送入废气的结构，而是向振荡室12送入废气的结构。该情况下，可以在旁路线l21配置有缓冲罐。纯化气体通过分支线l31而作为回收气体向振荡室12输送。旁路线l21例如可以构成为设置有在供给气体时打开的自动开关阀、调整气体流量的调整部、测定气体流量的流量计、调整气体压力的压力调整部之中的一种或多种，通过激光气体供给·排出控制部进行控制，向振荡室12供给气体。

(回收气体生成方法)

一种回收气体生成方法，是在上述准分子激光振荡装置的系统内(壳体内)执行的回收气体生成方法，其特征在于，在准分子激光振荡装置的系统内，执行将从振荡室排出的废气中的杂质除去的第一杂质除去工序。

第一杂质除去工序可以具有将作为杂质的一部分的氟化合物除去的氟化合物除去工序。

第一杂质除去工序可以具有将作为杂质的一部分的氟化碳分解而形成分解副产物的分解工序、和使所述分解工序中生成的分解副产物与预定的反应剂反应而将其从所述废气中除去的分解副产物除去工序。

所述第一杂质除去工序可以具有测定从所述振荡室排出的废气中的杂质浓度的杂质浓度测定工序。

回收气体生成方法，可以还在准分子激光振荡装置的系统内执行从经过所述第一杂质除去工序处理了的第一纯化气体中进一步除去杂质的第二杂质除去工序。

所述第二杂质除去工序可以具有将所述第一纯化气体升压至预定压力的升压工序。

所述第二杂质除去工序可以具有从所述第一纯化气体中除去第一杂质的第一除去工序、和在所述第一除去工序之后从第一纯化气体中除去第二杂质的第二除去工序。

所述第二杂质除去工序，在所述第一纯化气体中含有氩气(ar)作为第1稀有气体、含有氙气(xe)作为第2稀有气体的情况下，可以具有在所述第二除去工序之后将第二纯化气体与辅助用含氙气的氖气混合的、含氙气的回收气体生成工序。

所述第二杂质除去工序可以具有在所述升压工序之后使所述第一纯化气体的温度降低的热交换工序。