一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置的制作方法

文档序号:20908739发布日期:2020-05-29 12:51阅读:171来源:国知局
一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置的制作方法

本实用新型涉及处理设备技术领域,尤其涉及一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置。



背景技术:

等离子体(又称电浆)是在固态、液态和气态以外的第四大物质状态,其特性与前三者截然不同,气体在高温或强电磁场下,会变为等离子体。在这种状态下,气体中的原子会拥有比正常更多或更少的电子,从而形成阴离子或阳离子,即带负电荷或正电荷的粒子。气体中的任何共价键也会分离。

现有的等离子体处理装置多数不能在高速雾化器端进行喷雾量的调节,导致不能根据实际需求调节等离子体的湿度,限制了处理装置的适用范围,所以我们提出了一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置,用以解决上述提出的问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在等离子体处理装置多数不能在高速雾化器端进行喷雾量的调节,导致不能根据实际需求调节等离子体的湿度,限制了处理装置的适用范围的缺点,而提出的一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置,包括雾化器箱,所述雾化器箱的一侧内壁上固定安装有高速雾化器,所述高速雾化器的进水口处密封螺纹连接有进水管,所述高速雾化器的出雾口处密封螺纹连接有雾化管,所述雾化管的顶部贯穿雾化器箱的顶部内壁并延伸至雾化器箱的上方,所述雾化器箱的顶部固定安装有调节块,所述调节块上设有腔室;

所述雾化管的贯穿调节块的顶部并延伸至腔室内,所述腔室的一侧内壁上转动安装有偏心轴,所述偏心轴的底部固定安装有封堵块,且封堵块完全覆盖雾化管的端口,所述调节块的顶部设有和腔室相连通的l形管,且l形管的外侧套设有盘管,所述偏心轴上设有驱动机构。

优选的,所述驱动机构包括转动安装在腔室一侧内壁上的横轴,所述横轴的一端固定安装有蜗杆,所述偏心轴的顶部固定套设有蜗轮,所述蜗轮和蜗杆相啮合,所述横轴的一端贯穿腔室的一侧内壁并延伸至调节块的一侧,且横轴的一端固定安装有旋钮,在调节块的一侧就可以操作封堵块的转动,操作步骤少,可操作性强。

优选的,所述雾化器箱的一侧设有固定在地表上的安装杆,且安装杆的顶部固定安装有鼓风泵,所述鼓风泵的输出端密封螺纹连接有管道,所述l形管的一端和管道的一侧密封螺纹连接,可以将雾化过后的水通入管道内,改变缓冲箱内的湿度。

优选的,所述雾化器箱的一侧设有放置在地表上的冷却液箱,所述冷却液箱的顶部固定安装有循环泵,所述循环泵的进液口和冷却液箱相连通,所述循环泵的出液口和盘管的一个端口密封螺纹连接,所述盘管的另一个端口和冷却液箱相连通,对l形管的外部进行循环往复的降温操作,提高对等离子体的处理效果。

优选的,所述管道的底部密封螺纹连接有缓冲箱,且缓冲箱的顶部密封螺纹连接有连通管,连通管的一端密封螺纹连接有反应容器,所述反应容器的一侧设有和反应容器相连通的真空泵,所述反应容器的顶部和底部分别设有和反应容器相连通的废气通道和出气通道,反应容器上还设有高压电极,可以对等离子体进行处理。

本实用新型中,高速雾化器可以将雾化器箱内的水进行雾化操作,通过设置的鼓风泵将雾化过后的水和等离子体一并带入缓冲箱中,在此过程中,可以根据实际缓冲箱内的湿度来对雾化的量进行调节,满足生产需要的同时可以节约成本,扩展了该处理装置本体的适用范围;

通过设置的偏心轴和封堵块,封堵块可以在腔室的底部内壁上进行转动,当横轴进行转动时,偏心轴可以进行转动,达到封堵块转动的目的,改变雾化管端口的大小,实现调节高速雾化器雾化量的目的,更加贴合实际的需求,水的利用率更高;

通过设置的盘管和冷却液箱,当循环泵启动时,l形管可以在盘管的作用下进行降温,通过l形管的雾化水可以进行降温,为等离子体提供一个低温环境,提高对等离子体的处理效率。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置的部分结构三维图;

图2为本实用新型提出的一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置的部分结构示意图;

图3为本实用新型提出的一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置的图2中a部分结构放大示意图。

图中:1雾化器箱、2高速雾化器、3进水管、4雾化管、5调节块、6腔室、7横轴、8旋钮、9蜗杆、10偏心轴、11蜗轮、12l形管、13鼓风泵、14管道、15冷却液箱、16循环泵、17盘管、18封堵块、19反应容器、20真空泵、21缓冲箱、22废气通道、23出气通道。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

实施例1

参照图1-3,一种具备湿度调节的低温等离子体处理装置,包括雾化器箱1,雾化器箱1的一侧内壁上固定安装有高速雾化器2,高速雾化器2的进水口处密封螺纹连接有进水管3,高速雾化器2的出雾口处密封螺纹连接有雾化管4,雾化管4的顶部贯穿雾化器箱1的顶部内壁并延伸至雾化器箱1的上方,雾化器箱1的顶部固定安装有调节块5,调节块5上设有腔室6;

雾化管4的贯穿调节块5的顶部并延伸至腔室6内,腔室6的一侧内壁上转动安装有偏心轴10,偏心轴10的底部固定安装有封堵块18,且封堵块18完全覆盖雾化管4的端口,调节块5的顶部设有和腔室6相连通的l形管12,且l形管12的外侧套设有盘管17,偏心轴10上设有驱动机构。

其中,高速雾化器2可以将雾化器箱1内的水进行雾化操作,通过设置的鼓风泵13将雾化过后的水和等离子体一并带入缓冲箱21中,在此过程中,可以根据实际缓冲箱21内的湿度来对雾化的量进行调节,满足生产需要的同时可以节约成本,扩展了该处理装置本体的适用范围,鼓风泵13、循环泵16和高速雾化器2的型号分别为hb-8315、wqdf和glw100z—b。

本实施例中,通过设置的偏心轴10和封堵块18,封堵块18可以在腔室6的底部内壁上进行转动,当横轴7进行转动时,偏心轴10可以进行转动,达到封堵块18转动的目的,改变雾化管4端口的大小,实现调节高速雾化器2雾化量的目的,更加贴合实际的需求,水的利用率更高。

实施例2

本实用新型中,驱动机构包括转动安装在腔室6一侧内壁上的横轴7,横轴7的一端固定安装有蜗杆9,偏心轴10的顶部固定套设有蜗轮11,蜗轮11和蜗杆9相啮合,横轴7的一端贯穿腔室6的一侧内壁并延伸至调节块5的一侧,且横轴7的一端固定安装有旋钮8,在调节块5的一侧就可以操作封堵块18的转动,操作步骤少,可操作性强。

本实用新型中,雾化器箱1的一侧设有固定在地表上的安装杆,且安装杆的顶部固定安装有鼓风泵13,鼓风泵13的输出端密封螺纹连接有管道14,l形管12的一端和管道14的一侧密封螺纹连接,可以将雾化过后的水通入管道14内,改变缓冲箱21内的湿度。

本实用新型中,雾化器箱1的一侧设有放置在地表上的冷却液箱15,冷却液箱15的顶部固定安装有循环泵16,循环泵16的进液口和冷却液箱15相连通,循环泵16的出液口和盘管17的一个端口密封螺纹连接,盘管17的另一个端口和冷却液箱15相连通,对l形管12的外部进行循环往复的降温操作,提高对等离子体的处理效果。

本实用新型中,管道14的底部密封螺纹连接有缓冲箱21,且缓冲箱21的顶部密封螺纹连接有连通管,连通管的一端密封螺纹连接有反应容器19,反应容器19的一侧设有和反应容器19相连通的真空泵20,所述反应容器19的顶部和底部分别设有和反应容器19相连通的废气通道22和出气通道23,反应容器19上还设有高压电极,可以对等离子体进行处理。

本实施例中,通过设置的盘管17和冷却液箱15,当循环泵16启动时,l形管12可以在盘管17的作用下进行降温,通过l形管12的雾化水可以进行降温,为等离子体提供一个低温环境,提高对等离子体的处理效率。

本实用新型中,使用时,启动高速雾化器2和鼓风泵13,高速雾化器2通过设置的进水管3可以将水雾化后经由雾化管4流入调节块5内,此时,按下循环泵16的开关,启动循环泵16,循环泵16将冷却液箱15内的冷却液经由盘管17的端口抽入盘管17内,对l形管12的外侧进行降温处理,从反应容器19上的废气通道22上通入废气,废气和冷却过后的雾化水一起进入反应容器19内,冷却过后的水一方面可以改变反应容器19内的温度和湿度,另一方面可以改变废气的浓度,提高放电的效率,需要调节雾化过后水的量时,通过设置的旋钮8使横轴7进行转动,当横轴7进行转动时,通过设置的蜗杆9和蜗轮11的啮合关系,实现偏心轴10转动的目的,当偏心轴10转动时,封堵块18封堵雾化管4的口径会改变,进而达到调节雾化量的目的,由于在l形管12的外侧设置了设置了降低水温的盘管17,在盘管17通入冷却液可以降低水温,因此通入冷却过后的雾化水可以有效的控制反应容器19的表面温度,达到提升活性物质的浓度,通入冷却过后的雾化水的流量可以决定反应容器19内的温度情况,设置了可以根据实际缓冲箱21内的湿度来对雾化的量进行调节,满足生产需要的同时可以节约成本,扩展了该处理装置本体的适用范围。

本实用的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限制,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接,可以是机械连接,也可以是电连接,可以是直接连接,也可以是通过中间媒介相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用中的具体含义。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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