技术特征：
1.一种氧化镁负载的钌催化剂，其特征在于，包括：氧化镁载体；负载在氧化镁载体上的金属钌。2.一种氧化镁负载的钌催化剂的方法，其特征在于，包括：以含钌元素的盐和氧化镁为原料采用浸渍法制备了ru/mgo催化剂。3.如权利要求2所述的氧化镁负载的钌催化剂的方法，其特征在于，所述浸渍法的具体步骤为：将含钌元素的盐和氧化镁溶解在溶剂中，搅拌2～6h，烘干，研磨，得到氧化镁负载的钌催化剂。4.如权利要求2所述的氧化镁负载的钌催化剂的方法，其特征在于，含钌元素的盐和氧化镁的质量比为0.3：1～3、优选为0.3：2。5.如权利要求2所述的氧化镁负载的钌催化剂的方法，其特征在于，氧化镁的制备方法为：取碱式碳酸镁4mgco3·
mg(oh)2·
5h2o在400～500℃煅烧1～2h，得到mgo粉末。6.一种氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法，其特征在于，包括：以含钌元素的盐和氧化镁为原料采用浸渍法制备了ru/mgo催化剂；以所述ru/mgo催化剂为催化剂，采用cvd法合成swnts。7.如权利要求6所述氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法，其特征在于，cvd法合成swnts的具体步骤为：取ru/mgo催化剂放入石英舟中，将石英舟置于双温区滑轨式cvd系统的石英管中，确保其处于双温区滑轨炉的中部；通入惰性气体排除装置内的空气；升温800～1000℃，停止通入惰性气体，改通co进行swnts的生长反应，反应结束后，先关闭co改通惰性气体，降温，关闭惰性气体，取出石英舟，得到swnts粗品。8.如权利要求7所述氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法，其特征在于，所述惰性气体为ar、n2、he、ne中的至少一种，优选的，为ar。9.权利要求6
‑
8任一项所述的方法制备的单壁碳纳米管。10.权利要求9所述的单壁碳纳米管在纳米电子器件和光电子器件领域中的应用。
技术总结
本发明属于碳纳米管生长领域，涉及一种氧化镁负载的钌催化剂生长粉体单壁碳纳米管的方法，包括：以含钌元素的盐和氧化镁为原料采用浸渍法制备了Ru/MgO催化剂；以所述Ru/MgO催化剂为催化剂，采用CVD法合成SWNTs。本发明通过浸渍法以氧化镁(MgO)为载体负载贵金属钌制备了Ru/MgO催化剂，并以一氧化碳(CO)及甲烷(CH4)为碳源，氩气(Ar)作为保护气体，在800℃常压条件下通过化学气相沉积(CVD)法催化裂解碳源气体制备SWNTs，实现了在窄直径分布、窄手性分布的小直径SWNTs的合成。性分布的小直径SWNTs的合成。性分布的小直径SWNTs的合成。
技术研发人员：何茂帅 张雪婷 武倩汝 李栋 赵楠 马辰
受保护的技术使用者：青岛科技大学
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2021/11/2