一种脉冲电源的反冲吸收电路的制作方法

文档序号:15089592发布日期:2018-08-04 13:07阅读:1513来源:国知局

本实用新型涉及电除尘领域,特指一种脉冲电源的反冲吸收电路。



背景技术:

脉冲电源在电除尘行业已经普及。其节能减排的作用也被实验印证,并得到行业认可。但目前市场上国内各厂家的脉冲电源在使用中的可靠性都有或多或少的问题。集中表现在:当工况不稳定闪络多发时,后级冲击电流经过脉冲变压器耦合到初级,产生非常大的冲击。导致前级电路中半导体器件的损伤和失效。

传统脉冲电源典型主体结构及破坏性冲击能量的产生机理见图1:S1为脉冲生成开关(一般为半导体器件),D1、R1、C2组同组成了常规吸收保护电路。 L1为谐振电感,T1为脉冲升压变压器,C3为高压耦合电容,EP为除尘器,R2 为阻尼电阻,HV_POWER为高压直流电源。

正常工作时,充电电源把C1充满电然后闭合开关S1,C1能量随着S1的闭合开始驱动升压变压器在次级产生短时高压脉冲(典型为50US到150US宽度,10KV到100KV的高压脉冲)作用于除尘器EP,配合HV_POWER以提高收尘效果。

但是当除尘器EP内部发生高压击穿时(这个在工作中是不可避免的),整个过程变为二次侧C3上的能量经过变压器T1反射到原边。因为C3上存储的是高达数万伏的电压,又经过变压器降压倍流(变压器变比一般取50左右),所以反射到原边的冲击电流很大。具体表现在:峰值电流Ip高达数千安。这个电流非常容易导致D1二极管的损坏。进而引发连锁破坏。同时多次的能量反射还容易导致一次侧C2上电压过高而导致S1的过压击穿。

因此,本发明人对此做进一步研究,研发出一种脉冲电源的反冲吸收电路,本案由此产生。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种脉冲电源的反冲吸收电路,用于解决现有脉冲电源因反冲能量过大而导致前级电路中半导体器件损伤和失效的问题。

为了实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:

一种脉冲电源的反冲吸收电路,包括控制电路,所述控制电路与原有初级电路并联,控制电路通过电流采样或电压采样对初级电路进行分流分压进行保护。

进一步,还包括电流互感器P1,所述电流互感器P1设置在初级电路的谐振电感L1与电容C1之间,电流互感器P1与控制电路的信号输入端连接,所述控制电路的信号输入端还与电阻R4和电阻R5的公共端连接,其中所述电阻R5一端接地,电阻R4一端与初级电路并联;控制电路的输出端与场效应管Q1的栅极连接,所述场效应管Q1的漏极与电阻R3串联后和充电电源连接,场效应管 Q1的源极接地。

进一步,所述电流互感器P1采用纳米晶磁环和三层绝缘线绕制而成。

进一步,所述电阻R4、电阻R5采用高压玻璃釉电阻。

进一步,所述电阻R3采用无感功率电阻。

进一步,所述场效应管Q1采用大功率高压IGBT半导体开关。

采用上述方案后,本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:

经过实际应用,此电路大大减小了前级电路电压过高的风险和二极管上的电流冲击,提高了脉冲电源的稳定性,对脉冲电源在除尘领域的推广有重要意义。

附图说明

图1是现有技术电路示意图;

图2是改进后的电路示意图;

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

如图所示,一种脉冲电源的反冲吸收电路,包括控制电路、电流互感器P1,电流互感器P1设置在初级电路的谐振电感L1与电容C1之间,电流互感器P1 与控制电路的信号输入端连接,控制电路的信号输入端还与电阻R4和电阻R5 的公共端连接,其中所述电阻R5一端接地,电阻R4一端与初级电路并联;控制电路的输出端与场效应管Q1的栅极连接,所述场效应管Q1的漏极与电阻R3 串联后和充电电源连接,场效应管Q1的源极接地。控制电路的控制芯片采用 ALTERA公司的EP4CE6。

原理上是通过增加电流互感器P1作过流采样,电阻R4、电阻R5作过电压采样,电阻R3和场效应管Q1组成泄放电路,控制电路时刻采样电流互感器P1 的电流信号和电阻R4、电阻R5的分压信号,当发现过流或过压时控制电路打开场效应管Q1,经过R3以消耗反冲能量,进而保护初级电路,Q1的寄生反并联二极管,可以在有反向电压冲击的时候提供电流通路,防止Q1的反向过压损坏。

作为优选:电流互感器P1采用纳米晶磁环和三层绝缘线绕制而成。以提高耐压和时效响应。R4、R5采用高压玻璃釉电阻,以提高可靠性。R3采用无感功率电阻以提高瞬态响应。Q1采用大功率高压IGBT半导体开关,以满足高速开关和频繁开关的实际使用要求。

应该看到,此保护电路可以应用于大多数高功率有冲击和需要作过流过压保护的场合。同时它可以采用并联以提高容量。

上述仅为本实用新型的具体实施例,同时凡本实用新型中所涉及的如“上、下、左、右、中间”等词,仅作参考用,并非绝对限定,凡利用本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1