专利名称：多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及晶圆级微机电系统芯片技术领域，尤其是一种多层线路导通型晶圆级 微机电系统芯片。
背景技术：
目前晶圆级微机电系统(英文简称MEMS)芯片穿透硅通孔(英文简称TSV)封装 技术制作过程中，普遍采用单层线路布线形式，通过前工序露出晶圆内部导电块(英文简 称pad)，溅镀铝，光阻涂布曝光显影，镀镍，去光刻胶，去光刻胶层的铝，刻蚀，镀镍金，防焊 层涂布曝光显影，锡膏印刷，回流焊等工艺使晶圆内外部电性互联，制作出所需要的线路及 球栅阵列(英文简称BGA)焊垫，通过上述工艺制作出的晶圆级微机电系统(MEMS)芯片含 有一层与导电块导通的线路，一般线路宽度及线路或焊垫间距在40-100微米范围，焊垫边 缘之间的间距多在300微米左右，在300微米左右的间距内从晶圆内外部电性互联出三至 四条线路，且满足线宽线距的要求，在现有技术条件下作业面临多种问题，如蚀刻时有刻蚀 未净，断短路问题等，避开不良问题极其困难，直接影响产量及良率，而客户线路的设计有 时又必须从焊垫边缘之间间距内引出三条或以上线路，使得生产工艺面临困境，良率成本 优势不再，从而制约产品的竞争力。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明提供一种多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片，可 达到客户要求产品小尺寸上多线路、宽线路和小焊垫间距各方面需要。本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是一种多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片，包括玻璃和晶圆，以晶圆的集成电 路(英文简称IC)面为上端面，所述晶圆的上端面上设有集成电路焊垫和聚光区，所述晶 圆的集成电路焊垫部分两侧填充有胶而形成胶层，晶圆的上端面的集成电路焊垫和胶层通 过树脂与玻璃键合，所述晶圆的下部设有与晶圆的集成电路焊垫相导通的线路，所述晶圆 的下部设有至少两层线路，晶圆的各层线路之间按设计导通，靠近集成电路焊垫的线路与 集成电路焊垫的非导通处阻隔有绝缘层，各层线路之间的非导通处阻隔有绝缘层，靠近晶 圆下端面的线路按设计形成有若干锡球焊垫，晶圆下端面为绝缘层，所述晶圆下端面对应 锡球焊垫的部位上设有外露出晶圆下端面的锡球，所述锡球与锡球焊垫导通。本发明的有益效果是由于晶圆的下部设有至少两层按设计导通相互导通的线路 来替代原本的一层线路，从而实现了客户在小尺寸上多线路，宽线路和小焊垫间距的各方 面需要；制作时可采用传统的线路层间导通技术，有效应对产品尺寸缩小化和产品线路密 集化，提高产品良率。
图1为本发明的剖面结构示意图。
具体实施例方式实施例一种多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片，包括玻璃1和晶圆，以晶圆 的集成电路(IC)面为上端面，所述晶圆的上端面上设有集成电路焊垫2和聚光区3，所述晶 圆的集成电路焊垫部分两侧填充有胶4而形成胶层，晶圆的上端面的集成电路焊垫2和胶 层通过树脂5与玻璃键合，所述晶圆的下部设有与晶圆的集成电路焊垫2相导通的线路6， 所述晶圆的下部设有至少两层线路6，晶圆的各层线路6之间按设计导通，靠近集成电路焊 垫2的线路与集成电路焊垫2的非导通处阻隔有绝缘层7，各层线路6之间的非导通处阻 隔有绝缘层7，靠近晶圆下端面的线路6按设计形成有若干锡球焊垫8，晶圆下端面为绝缘 层7，所述晶圆下端面对应锡球焊垫8的部位上设有外露出晶圆下端面的锡球9，所述锡球 9与锡球焊垫8导通。由于晶圆的下部设有至少两层按设计导通相互导通的线路来替代原本的一层线 路，从而实现了客户在小尺寸上多线路，宽线路和小焊垫间距的各方面需要；制作时可采用 传统的线路层间导通技术，有效应对产品尺寸缩小化和产品线路密集化，提高产品良率。
权利要求
一种多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片，包括玻璃(1)和晶圆，以晶圆的集成电路面为上端面，所述晶圆的上端面上设有集成电路焊垫(2)和聚光区(3)，所述晶圆的集成电路焊垫部分两侧填充有胶(4)而形成胶层，晶圆的上端面的集成电路焊垫和胶层通过树脂(5)与玻璃键合，所述晶圆的下部设有与晶圆的集成电路焊垫相导通的线路(6)，其特征是所述晶圆的下部设有至少两层线路，晶圆的各层线路之间按设计导通，靠近集成电路焊垫的线路与集成电路焊垫的非导通处阻隔有绝缘层(7)，各层线路之间的非导通处阻隔有绝缘层，靠近晶圆下端面的线路按设计形成有若干锡球焊垫(8)，晶圆下端面为绝缘层，所述晶圆下端面对应锡球焊垫的部位上设有外露出晶圆下端面的锡球(9)，所述锡球与锡球焊垫导通。
全文摘要
本发明公开了一种多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片，晶圆的上端面上设有集成电路焊垫和聚光区，集成电路焊垫部分两侧填充有胶层，集成电路焊垫和胶层通过树脂与玻璃键合，晶圆下部设有至少两层与集成电路焊垫相导通的线路，晶圆的各层线路之间按设计导通，靠近集成电路焊垫的线路与集成电路焊垫的非导通处阻隔有绝缘层，各层线路之间的非导通处阻隔有绝缘层，靠近晶圆下端面的线路按设计形成有若干锡球焊垫，晶圆下端面为绝缘层，晶圆下端面对应锡球焊垫的部位上设有外露出晶圆下端面的锡球，锡球与锡球焊垫导通。由于晶圆下部设有至少两层相互导通的线路来替代原本的一层线路，实现了客户在小尺寸上多线路，宽线路和小焊垫间距的各方面需要。
文档编号B81B7/02GK101870443SQ20091003152
公开日2010年10月27日 申请日期2009年4月22日 优先权日2009年4月22日
发明者陈闯 申请人:昆山西钛微电子科技有限公司