技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带结构图形的衬底与玻璃的阳极键合方法，该方法包括：S11、带结构图形的衬底上表面设置至少一层绝缘层；S12、在绝缘层的上表面沉积富硅薄膜，通过光刻工艺与刻蚀工艺对富硅薄膜进行图形化处理，形成图形化的富硅中间层；S13、将富硅中间层与玻璃的下表面接触压紧，阳极键合的阴极与玻璃的上表面电连接，阳极与富硅中间层电连接，加压加温进行阳极键合。上述阳极键合方法，通过在带结构图形的衬底正面沉积并形成图形化的富硅中间层，实现带结构图形的衬底正面与玻璃之间的阳极键合，以将结构图形保护在真空中不受外界影响，使采用此方法完成的器件可用于各种复杂环境，从而提高其适用范围。
技术研发人员：柳俊文;史晓晶
受保护的技术使用者：南京元感微电子有限公司
技术研发日：2018.05.30
技术公布日：2018.10.19