技术特征：
技术总结
本发明公开了一种硅微桥压阻式MEMS温度传感器及其制作方法，所述传感器采用硅微桥双层膜结构，且制作在SOI器件上，下层为SOI器件的顶层硅，所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻；上层为通过溅射工艺形成的金属铝层；所述硅微桥下方悬空，且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定，且灵敏度高，硅微桥为可动结构，发生热膨胀时，压敏电阻值发生变化，通过电路的连接可以检测出电阻值的变化，基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系，从而实现温度的测量。
技术研发人员：余占清;王晓蕊;牟亚;曾嵘;庄池杰
受保护的技术使用者：广东电网有限责任公司惠州供电局;清华大学
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.03.01