技术特征：
技术总结
本发明属于半导体纳米线器件技术领域，提供了一种半导体纳米线传感器，在具有导电层的绝缘衬底上制备具有特定深宽比的凹槽结构，使凹槽两侧的导电层相互隔绝；然后在凹槽底部设置表面改性层，覆盖凹槽底部；接着在导电层侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物。通过设计凹槽的深宽比以及引入表面改性层，可以减少或消除凹槽底部的沉积物，从而消除桥接纳米线的旁路电流。此外，利用桥接纳米线的多次生长，可以提高纳米线的桥接几率、总表面积以及生长可控程度。本发明解决了现有桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，提高了纳米线传感器的电学特性。
技术研发人员：黄辉;赵丹娜;陈顺姬;李志瑞
受保护的技术使用者：大连理工大学
技术研发日：2019.05.24
技术公布日：2019.08.13