1.一种mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在下层衬底上完成mems器件、电路或功能模块的制造；
步骤2、在下层衬底上完成测试端口的引出；
步骤3、在下层衬底上制作完成键合辅助层，形成辅助图形；
步骤4、在上层衬底上完成mems器件、电路或者功能模块的制造；
步骤5、在上层衬底上制作完成键合辅助层，形成辅助图形；
步骤6、上层衬底上通过光刻形成端口窗口，并将衬底刻蚀通，形成穿透式的窗口，通过干法刻蚀、湿法腐蚀或者激光切割进行窗口形成；
步骤7、上下两层衬底键合；
步骤8、采用划片完成芯片分割，同时将微波测试端口分开；
步骤9、清洗，将测试端口上的硅削去掉。
2.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，所述mems器件为可动结构器件、射频器件或体声波器件，所述电路为微波电路、数字电路或者模拟电路，所述功能模块为射频微系统功能模块、异质异构功能模块或者仿生化学功能模块。
3.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，下层衬底上的测试端口为微带线或者金属焊盘；
测试端口金属层厚度为1µm-50µm，材料为金属或者金属合金材料中的一种；测试端口金属层通过剥离、光刻电镀或者溅射光刻腐蚀进行图形化，金属线宽为5µm-500µm，线宽误差小于0.5µm。
4.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，键合辅助层材料为介质材料、高分子聚合物或金属合金材料中的一种，键合辅助层厚度为1µm-50µm。
5.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，所述键合为金属合金键合、硅硅键合或聚合物键合，上下两层衬底键合是上下衬底的键合辅助层材料通过熔融、扩散或者形成分子键完成，键合强度剪切力大于10kg，键合温度低于400℃。
6.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，采用光刻刻蚀、金属剥离或者电镀形成辅助图形。
7.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，所述划片通过砂轮划切、激光划切或者水激光划切方式完成，测试端口边缘无崩角，测试端口正面崩边小于10µm。
8.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，所述上、下层衬底厚度为50µm-1000µm，材料为硅、硅的化合物、陶瓷、金属或聚合物。
9.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，所述上层端口窗口通过干法刻蚀、湿法腐蚀或者激光切割进行加工；刻蚀深度为上层衬底厚度，刻蚀横向长度小于芯片长度的1/2，侧壁粗超度小于0.1µm。
10.根据权利要求1所述的mems层叠器件微波端口实现的工艺方法，其特征在于，步骤9中清洗采用有机溶液浸泡、去离子水冲洗。