1.一种网络结构硅基点阵的制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：
s1.在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；
s2.在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；
s3.将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；
s4.以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；
s5.将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区；以及
s6.将所述具有点样区的硅基底制成硅基点阵。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s4更包括：
在所述微纳米葫芦状阵列结构的表面形成金属层、金属化合物层、或高分子包覆层，以形成复合的微纳米葫芦状阵列结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s5更包括：
将光刻胶涂覆所述具有微纳米葫芦状阵列结构的硅片上并进行光刻，曝光结束后立即放置于显影液中震荡显影以去除被曝光区域的光刻胶，随后用去离子水冲洗后氮气吹干，获得所述点样区。
4.一种网络结构硅基点阵，其特征在于，所述网络结构硅基点阵包括：
硅基底，其上表面具有多个阵列分布的球状孔洞；
材料层，位于所述硅基底的上表面，所述材料层具有多个阵列分布的半球状穿孔，其中所述半球状穿孔正好位于所述球状孔洞上方并且连通所述球状孔洞，而共同组成多个阵列分布的葫芦状孔洞；以及点样区，形成于所述材料层上。
5.根据权利要求4所述的网络结构硅基点阵，其特征在于，所述的硅基底上表面与材料层下表面分布在同一平面；所述硅基底上表面的球状孔洞为有球缺的孔洞，所述材料层的半球状穿孔为分有球带体的孔洞，所述球带体上表面与材料层上表面分布在同一平面，所述球带体下表面与所述材料层下表面分布在同一平面；所述的球缺与球带体同轴；所述有球缺的孔洞和球带体的孔洞共同组成所述葫芦状孔洞。
6.根据权利要求5所述的网络结构硅基点阵，其特征在于，所述葫芦状孔洞为六方密排或者立方密排成阵列结构，所述阵列结构呈网络状分布。
7.根据权利要求5所述的网络结构硅基点阵，其特征在于，所述网络结构硅基点阵更包括包覆层，所述包覆层设置于所述硅基底与所述材料层表面上，在所述点样区内，沿着所述葫芦状孔洞的内表面分布。
8.一种网络结构硅基点阵在质谱检测或拉曼检测中或在生物传感器中或光电探测器中的应用，其特征在于，所述的网络结构硅基点阵为根据权利要求1至3任一项所述的方法所制备的网络结构硅基点阵或者根据权利要求4至7任一项所述的网络结构硅基点阵。
9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的质谱为电子轰击质谱(ei-ms)、场解吸附质谱(fd-ms)、快原子轰击质谱(fab-ms)、基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(maldi-tofms)或电子喷雾质谱(esi-ms)。
10.如权利要求8或9所述的应用，其特征在于，所述的质谱检测是用于检测有机无机小分子、高分子化合物、病毒、微生物、核苷酸、核苷、寡核苷酸、核酸、氨基酸、肽、蛋白质、脂质、糖类、碳水化合物、抗原、抗体、细胞及细胞代谢产物中的至少一种。