1.一种微机械装置，其具有硅基底(100)，所述硅基底具有置于所述硅基底上的介电层(200)和置于所述介电层上的微机械功能层(300)，它们平行于主延伸平面(10)地延伸，其中，至少在所述微机械功能层(300)和所述介电层(200)中构造有空穴(320)，
其特征在于，
在所述介电层(200)和/或所述微机械功能层(300)中构造入口通道(250)，所述入口通道从所述空穴(320)开始平行于所述主延伸平面(10)延伸并且在此在垂直于所述主延伸平面(10)的投影方向(20)上看延伸到所述空穴(320)外部的入口区域(400)中。
2.根据权利要求1所述的微机械装置，其特征在于，在所述功能层(300)中构造有另外的入口通道(350)，所述另外的入口通道垂直于所述主延伸平面(10)在所述入口区域(400)中延伸并且与所述入口通道(250)连接。
3.根据权利要求2所述的微机械装置，其特征在于，所述另外的入口通道(350)构造为drie沟槽。
4.根据权利要求2或3所述的微机械装置，其特征在于，所述另外的入口通道(350)在键合垫区域(500)中通到所述微机械装置的外表面上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的微机械装置，其特征在于，所述微机械功能层(300)在所述空穴(320)外部在围绕所述入口区域(400)的部分区域中具有缺口(370)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的微机械装置，其特征在于，所述空穴(320)以罩晶片(600)覆盖，并且所述入口通道(250)在垂直于所述主延伸平面(10)的投影方向(20)上看延伸到所述罩晶片(600)外部的所述入口区域(400)中。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的微机械装置，其特征在于，所述微机械功能层(300)在所述入口区域(400)中结构化，并且所述入口区域(400)具有棱边(410)，其中，
-所述棱边(410)以小于熔化区的两倍直径的距离远离该熔化区布置，
和/或，
-所述入口区域(400)在垂直于所述棱边(410)的第二方向(40)上具有最大长度(41)，所述最大长度至少是所述入口区域(400)在平行于所述棱边(410)的第一方向(30)上的最小宽度(31)的一半，
和/或，
-所述入口区域(400)呈舌部的形状构造，其中，所述舌部的最窄部位具有小于所述熔化区的直径的五倍的宽度，
和/或，
-所述入口区域(400)呈舌部的形状构造，其中，所述舌部的最窄部位具有小于所述功能层的厚度的五倍的宽度。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的微机械装置，其特征在于，所述另外的入口通道(350)具有小于所述功能层(300)的两倍层厚度的直径(51)。
9.根据权利要求7或8所述的微机械装置，其特征在于，所述另外的入口通道(350)具有小于所述入口区域(400)在垂直于所述棱边(410)的第二方向(40)上的长度(41)的一半的直径(51)。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的微机械装置，其特征在于，
-所述功能层(300)在所述投影方向(20)上的导热能力小于所述基底(100)在所述投影方向(20)上的导热能力，
和/或，
-在所述入口区域(400)内部的、在所述基底(100)和所述功能层(300)之间的其他层在所述投影方向(20)上的导热能力小于所述基底(100)在所述投影方向(20)上的导热能力。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的微机械装置，其特征在于，在所述入口区域(400)中以熔化封闭部(450)封闭所述入口通道(250)和/或所述另外的入口通道(350)。
12.根据权利要求10所述的微机械装置，其特征在于，所述入口通道(250)在所述空穴(320)外部和所述另外的入口通道(350)外部的区域中在垂直于所述主延伸平面(10)的投影方向(20)上看完全被所述微机械功能层(300)覆盖。
13.一种用于制造微机械装置的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)-将介电层沉积在具有主延伸平面的基底上；
(b)-沉积并结构化第一传导层；
(c)-沉积并结构化介电牺牲层，其中，利用这种沉积产生空腔，所述空腔平行于主延伸平面延伸；
(d)-沉积并结构化多晶硅功能层，其中，施加用于空穴的至少一个缺口；
(e)-蚀刻牺牲层的一部分，优选利用气相蚀刻方法通过hf蚀刻，其中，由所述空腔形成入口通道，所述入口通道从所述空穴出发平行于所述主延伸平面延伸并且在此在垂直于所述主延伸平面的投影方向上看延伸到所述空穴外部的入口区域中；
(f)-通过罩封闭所述空穴。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步骤(f)之后，在步骤(g)中，优选通过利用激光脉冲使所述功能层局部熔化来执行所述入口通道在所述入口区域中的封闭。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，沉积并结构化掺杂的多晶硅层。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，沉积并结构化氧化物层。
17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步骤(f)中，借助于键合方法以罩晶片封闭所述空穴。
18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述步骤(d)之后，在另一步骤中，在所述功能层上沉积并结构化另一层，其中，该层作为掩膜用于之后以drie-蚀刻方法进行的蚀刻步骤，其中，在之后的该蚀刻步骤中实现另外的入口通道，所述另外的入口通道在所述入口区域中在投影方向上穿过所述功能层延伸并且与所述入口通道连接。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，通过利用具有小于50毫秒的脉冲持续时间的激光脉冲使所述功能层局部熔化来封闭所述入口通道。