1.一种二轴对称多孔腔状阵列结构，包括若干金纳米碗，每个所述金纳米碗周围均均匀分布有6个金纳米碗，其特征在于，每个所述金纳米碗的侧面均设有4个小孔；所述小孔设于每个金纳米碗上与另一个金纳米碗的邻近处，且每个金纳米碗上的4个小孔两两相对；彼此相邻的两个所述金纳米碗，其邻近处均设有小孔或均不设有小孔。
2.如权利要求1所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构，其特征在于，所述每个金纳米碗的内径为300~400nm，每个小孔直径为50~100nm。
3.如权利要求1所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构，其特征在于，所述每个金纳米碗的内径为150~200nm，每个小孔直径为25~50nm。
4.一种如权利要求1~3之一所述的二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）通过自组装的方法制备高度有序的单层聚苯乙烯小球阵列；
（2）对步骤（1）制得的聚苯乙烯小球阵列进行刻蚀，使聚苯乙烯小球直径缩小；
（3）在步骤（2）刻蚀完成的聚苯乙烯小球阵列表面垂直溅射金，获得球状包覆的纳米碗；
（4）将胶带粘贴在步骤（3）制得的纳米碗的上表面，使聚苯乙烯小球和纳米碗转移到胶带上；
（5）将步骤（4）获得的胶带及粘贴在其上的聚苯乙烯小球和纳米碗放入有机溶剂中，使聚苯乙烯小球溶解；
（6）对粘贴在胶带上的纳米碗结构进行刻蚀，使每个纳米碗上与另一个纳米碗邻近处出现小孔，每个纳米碗上均有6个小孔；
（7）在步骤（6）获得的样品上倾斜溅射金，使每个纳米碗上相对的2个孔洞被金填充，且彼此相邻的两个纳米碗，其邻近处的小孔均被填充或均不被填充；
（8）对步骤（7）制得的样品进行刻蚀以获得完美的有4个小孔的金纳米碗，以及由金纳米碗有序排列构成的二轴对称多孔腔状阵列结构。
5.如权利要求4所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于：
步骤（1）中，所述聚苯乙烯小球的直径为400~600nm；和/或
步骤（2）中，刻蚀后的聚苯乙烯小球的直径为300~400nm，相邻聚苯乙烯小球之间的间隙为100~200nm；和/或
步骤（3）中，溅射金的厚度为100~150nm；和/或
步骤（7）中，溅射金的厚度为20~50nm。
6.如权利要求5所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为10~40w，刻蚀时间为1~2min；和/或
步骤（3）中，溅射金的方法为磁控溅射，溅射功率为50~70w，溅射时间为10~30min；和/或
步骤（6）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为10~40w，刻蚀时间为1~2min；和/或
步骤（7）中，溅射金的方法为磁控溅射，溅射功率为50~70w，溅射时间为5~15s；和/或
步骤（8）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为5~15w，刻蚀时间为0.5~1min。
7.如权利要求4所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于:
步骤（1）中，所述聚苯乙烯小球的直径为200~300nm；和/或
步骤（2）中，刻蚀后的聚苯乙烯小球的直径为150~200nm，相邻聚苯乙烯小球之间的间隙为50~100nm；和/或
步骤（3）中，溅射金的厚度为50~75nm；和/或
步骤（7）中，溅射金的厚度为10~25nm。
8.如权利要求7所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于：
步骤（2）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为10~40w，刻蚀时间为0.5~1min；和/或
步骤（3）中，溅射金的方法为磁控溅射，溅射功率为50~70w，溅射时间为5~15min；和/或
步骤（6）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为10~40w，刻蚀时间为0.5~1min；和/或
步骤（7）中，溅射金的方法为磁控溅射，溅射功率为50~70w，溅射时间为2.5~7.5s；和/或
步骤（8）中，刻蚀的方法为等离子体刻蚀，刻蚀功率为5~15w，刻蚀时间为15~30s。
9.如权利要求4所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述有机溶剂为二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、二甲基甲酰胺中的至少一种。
10.如权利要求4所述的一种二轴对称多孔腔状阵列结构的制备方法，其特征在于，步骤（7）中，所述倾斜溅射的倾斜角度为与竖直方向呈65°~75°。