1.一种制造电子设备的方法，包括：
将第一电子部件布置在支撑构件上，其中所述第一电子部件具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二表面面向所述支撑构件，其中所述第一电子部件具有在相对的所述第一表面与所述第二表面之间的第一厚度；
将被安装到衬底的第二电子部件布置在所述支撑构件上，其中所述衬底具有与所述第二电子部件相对、并且面向所述支撑构件的衬底表面，其中被组合的所述衬底和所述第二电子部件具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；
将封装模制材料模制到所述支撑构件上以包封所述第二电子部件，同时使所述第一电子部件的所述第一表面暴露；以及
移除所述支撑构件，以暴露所述第一电子部件的所述第二表面和所述衬底的所述衬底表面。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在模制之前，提供在所述第二电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在模制之前，提供在所述第一电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在模制之前，提供在所述第一电子部件与所述第二电子部件之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在模制之后，将电磁屏蔽材料安装在所述第一电子部件的相对的所述第一表面和所述第二表面中的至少一项之上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电子部件包括压力传感器，并且其中压力口被提供在相对的所述第一表面和所述第二表面中的一项或多项处。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑构件包括条带。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电子部件包括传感器，并且所述第二电子部件包括半导体集成电路芯片。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述传感器是mems传感器，并且其中所述半导体集成电路芯片是asic。
10.一种制造电子设备的方法，包括：
将多个组件布置在支撑构件上，其中每个组件包括：
第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二表面面向所述支撑构件，其中所述第一电子部件具有在相对的所述第一表面与所述第二表面之间的第一厚度；以及
第二电子部件，所述第二电子部件被安装到衬底，其中所述衬底具有与所述第二电子部件相对、并且面向所述支撑构件的衬底表面，其中被组合的所述衬底和所述第二电子部件具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；
将封装模制材料模制到所述支撑构件上，以包封所述多个组件的所述第二电子部件，同时使所述多个组件中的所述第一电子部件的所述第一表面暴露；
移除所述支撑构件，以暴露所述第一电子部件的所述第二表面和所述衬底的所述衬底表面；以及
将所述多个组件切割成单独的设备，其中每个单独的设备包括所述第一电子部件和所述第二电子部件。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在模制之前，提供针对每个组件的、在所述第二电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在模制之前，提供针对每个组件的、在所述第一电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
13.根据权利要求10所述的方法，还包括：在模制之前，提供针对每个组件的、在所述第一电子部件与所述第二电子部件之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
14.根据权利要求10所述的方法，还包括：在模制和切割之后，将电磁屏蔽材料安装在所述第一电子部件的相对的所述第一表面和所述第二表面中的至少一项之上。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电子部件包括压力传感器，并且其中压力口被提供在相对的所述第一表面和所述第二表面中的一项或多项处。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述支撑构件包括条带。
17.根据权利要求16所述的方法，其中切割不会切穿所述条带，并且移除在切割之后被执行。
18.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电子部件包括传感器，并且所述第二电子部件包括半导体集成电路芯片。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述传感器是mems传感器，并且其中所述半导体集成电路芯片是asic。
20.一种电子设备，包括：
支撑构件；
第一电子部件，具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第一电子部件被布置在所述支撑构件上，其中所述第二表面面向所述支撑构件，其中所述第一电子部件具有在相对的所述第一表面与所述第二表面之间的第一厚度；
衬底；
第二电子部件，被安装在所述衬底上，其中所述衬底被布置在所述支撑构件上，所述衬底具有与所述第二电子部件相对的、并且面向所述支撑构件的衬底表面，其中被组合的所述衬底、以及被安装在所述衬底上的所述第二电子部件具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及
封装模制材料，所述封装模制材料包封所述第二电子部件，但使所述第一电子部件的相对的所述第一表面和所述第二表面、以及所述衬底的所述衬底表面暴露。
21.根据权利要求20所述的电子设备，还包括在所述第二电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
22.根据权利要求20所述的电子设备，还包括在所述第一电子部件与所述衬底之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
23.根据权利要求20所述的电子设备，还包括在所述第一电子部件与所述第二电子部件之间的导电构造，其中所述封装模制材料包封所述导电构造。
24.根据权利要求20所述的电子设备，还包括电磁屏蔽件，所述电磁屏蔽件在所述第一电子部件的相对的所述第一表面和所述第二表面中的至少一项之上。
25.根据权利要求20所述的电子设备，其中所述第一电子部件包括压力传感器，并且其中压力口被提供在相对的所述第一表面和所述第二表面中的一项或多项处。
26.根据权利要求20所述的电子设备，其中所述第一电子部件包括传感器，并且所述第二电子部件包括半导体集成电路芯片。
27.根据权利要求26所述的电子设备，其中所述传感器是mems传感器，并且其中所述半导体集成电路芯片是asic。