1.一种mems单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器，其特征在于：所述的mems单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器，包括硅晶圆(1)，绝缘层(2)，金属薄膜(3)，敏感材料层(4)，钝化层(5)，金属焊盘(6)，腔室(7)，温度传感器(8)，气体质量流量传感器(9)，湿度传感器(10)，气体化学传感器(11)；
其中：硅晶圆(1)为整个器件的衬底，作为支撑结构；绝缘层(2)由氮化硅或者氮氧硅化物构成，板状结构，起到绝缘作用，绝缘隔离金属薄膜(3)与硅晶圆(1)；敏感材料层(4)是聚酰亚胺或氧化锡、锌、氧化锆和其他金属氧化物的混合物，设置在金属薄膜(3)上；钝化层(5)是氧化硅或者氮化硅材料件，设置在金属薄膜上，金属焊盘(6)由铝、金/铬构成，为芯片的对外电学连接端子；腔室(7)由晶圆(1)背面或正面对其内部进行刻蚀，形成的腔室；温度传感器(8)、气体质量流量传感器(9)、湿度传感器(10)和气体化学传感器(11)集成在金属薄膜(3)上。
2.按照权利要求1所述的mems单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器，其特征在于：所述的腔室(7)为长方体空腔结构。
3.一种如权利要求1所述的mems单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器的制作工艺，其特征在于：所述的mems单芯片集成流量温度湿度化学多种传感器的制作工艺中，硅晶圆(1)由硅构成，为整个器件的衬底，作为支撑结构；绝缘层(2)由氮化硅或者氮氧硅化物构成，利用低气压化学气相沉积或者等离子增强化学气相沉积制备，绝缘隔离金属薄膜(3)与硅晶圆(1)；金属薄膜(3)由铂/铬或者铂/钛构成，为电阻结构或电容的金属端子，通过物理气相沉积技术沉积，后通过光刻，剥离或刻蚀技术制备；敏感材料层(4)：是聚酰亚胺，或氧化锡、锌、氧化锆和其他金属氧化物混合物，构成化学气体传感器敏感层或者湿度传感器敏感层，通过物理气相沉积技术沉积，后通过光刻，剥离或刻蚀技术制备；钝化层(5)为氧化硅或者氮化硅组成，用于保护金属薄膜，利用等离子增强气相化学沉积制备；金属焊盘(6)由铝、金/铬构成，为芯片的对外电学连接端子，物理气相沉积技术沉积，后通过光刻，剥离或刻蚀技术制备；腔室(7)利用干法刻蚀、湿法刻蚀或者神反应离子刻蚀技术由晶圆(1)背面或正面对其内部进行刻蚀，形成的腔室，作用是在薄膜金属电阻下边做出腔室实现热隔离。