微机电系统梳状致动器及形成梳状结构的方法与流程

文档序号:24158110发布日期:2021-03-05 13:15阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种微机电系统梳状致动器,包括:梳状结构,包括:支撑层,包含第一材料,以及多个突起物,包含所述第一材料且在第一方向上远离所述支撑层的第一表面延伸,其中所述多个突起物沿第二方向分隔开,所述第二方向与所述支撑层的所述第一表面平行;以及介电衬垫结构,连续地且完全地覆盖所述支撑层的所述第一表面及所述多个突起物的多个外表面,其中所述介电衬垫结构包括连接部分,所述连接部分连续地连接所述多个突起物中的至少两个突起物的多个最顶表面。2.根据权利要求1所述的微机电系统梳状致动器,其中所述介电衬垫结构的所述连接部分具有为平面的最顶表面,且其中与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向和所述连接部分的所述最顶表面正交。3.根据权利要求1所述的微机电系统梳状致动器,其中所述介电衬垫结构的所述连接部分与所述多个突起物中的至少一个突起物间隔开。4.根据权利要求1所述的微机电系统梳状致动器,其中所述梳状结构还包括:第四突起物,在所述第一方向上从所述支撑层的所述第一表面突起且在所述第二方向上与所述多个突起物间隔开,其中所述介电衬垫结构连续地且完全地覆盖所述第四突起物的多个外表面,且其中所述多个突起物中的第三突起物最邻近所述第四突起物,其中所述介电衬垫结构的第一部分完全地覆盖所述第三突起物的第一侧壁,其中所述介电衬垫结构的第二部分完全地覆盖所述第四突起物的第二侧壁,且其中所述第一部分的最外侧壁与所述第二部分的最外侧壁间隔开第一距离,其中所述第一距离是在所述第二方向上测量,且其中当在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上测量时,所述第一距离大约恒定。5.一种微机电系统梳状致动器,包括:梳状结构,包括:支撑层,包含半导体材料,以及第一突起物及第二突起物,包含所述半导体材料,在第一方向上远离所述支撑层延伸,且在与所述第一方向正交的第二方向上彼此隔开;以及介电衬垫结构,排列在所述梳状结构之上且包括:第一侧壁部分,完全地覆盖所述第一突起物的第一侧壁,以及第二侧壁部分,完全地覆盖所述第一突起物的第二侧壁,其中所述第一侧壁部分及所述第二侧壁部分分别具有在所述第二方向上测量的均匀的厚度,且其中环绕所述第一突起物的且在所述第二方向上测量的所述介电衬垫结构的最大距离是在背对所述第一突起物的所述第一侧壁部分的外侧壁与所述第二侧壁部分的外侧壁之间。6.根据权利要求5所述的微机电系统梳状致动器,其中所述介电衬垫结构还包括:顶部部分,排列在所述第一突起物的最顶表面上,其中所述顶部部分将所述第一侧壁部分耦合到所述介电衬垫结构的所述第二侧壁部分,其中第三方向与所述第一突起物的所
述最顶表面正交,其中所述第三方向与所述第一方向及所述第二方向垂直。7.一种形成梳状结构的方法,包括:在衬底中形成从所述衬底的最顶表面朝所述衬底的最底表面延伸的多个沟槽结构;在所述衬底的所述最顶表面之上形成第一介电层,其中所述第一介电层覆盖所述多个沟槽结构的多个内表面,所述沟槽结构的所述多个内表面由所述衬底的多个内表面界定;在所述第一介电层之上形成半导体材料;移除所述半导体材料的多个上部部分,以在所述多个沟槽结构内形成包括多个突起物的所述梳状结构;在所述梳状结构之上形成第二介电层;执行平坦化工艺以移除所述第一介电层的部分和/或所述第二介电层的部分,从而暴露出所述衬底的所述最顶表面;在所述第二介电层之上和/或所述衬底的所述最顶表面之上形成第三介电层;对所述第三介电层进行图案化,以从所述衬底的所述最顶表面移除所述第三介电层的多个部分;以及移除所述衬底的多个部分。8.根据权利要求7所述的方法,其中对所述第三介电层进行图案化包括:直接在所述多个突起物中的至少两个突起物之上形成掩模结构;执行刻蚀工艺,以移除排列在所述衬底的所述最顶表面之上的所述第三介电层的多个部分,其中所述第三介电层的所述多个部分不被所述掩模结构覆盖;以及移除所述掩模结构。9.根据权利要求8所述的方法,其中在所述执行所述刻蚀工艺之后,不位于所述掩模结构正下方的所述第一介电层的最顶表面、所述第二介电层的最顶表面及所述第三介电层的最顶表面不在所述衬底的所述最顶表面上方延伸。10.根据权利要求7所述的方法,其中在移除所述半导体材料的所述多个上部部分之后,所述多个突起物的多个最顶表面位于所述衬底的所述最顶表面下方。
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