专利名称：金氰化钾结晶的电解制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种冶炼贵金属盐结晶，特别是一种能获得纯度较高的结晶物，且能降低电解耗材成本的金氰化钾结晶的电解制法。
以电路基板(PCB)的镀金原料而言，该金氰化钾的取得成本是目前此产业急需要解决的问题。如第一图所示，传统的金氰化钾结晶的电解装置，是以电解槽1’内部利用一多氟树脂半透膜11’予以区隔出正极电解槽12’，及负极电解槽13’，且正极电解槽12’及负极电解槽13’内并分别设置有正电极14’、负电极15’及对电解液放电加热的加热器2’，因此当电解槽1’内盛装氯化钾(KCN)溶液，且以加热器2’予以放电加热时，该氰化钾溶液产生电解反应，于正电极14’电解生成错离子，负电极15’电解生成氢(H2)气体，且离子能借多氟树脂半透膜11’的交换而达到导电目的，电解槽12内与错离子产生电解反应，如此正极电解槽12’内即能解析出金‘氰化钾错盐，故以此制法便将此过饱和错盐予以结晶析出，即能再电镀于电路基板(PCB)上作导线材料的用途。
上述金氰化钾错盐的电解制法是分别在正极电解槽12’及负极电解槽13’内需设置对电解液放电加热的加热器2’方式，致使电解槽1’内能保持均匀的电解液温度而实施电解反应，如此该加热器2’在长时间的加热电解反应过程中，会受到电解液的侵蚀作用而解析出其他游离杂质与结晶物混合结晶的现象，导致正极电解槽12’内所沉淀结晶物的纯度受影响，且加热器2’长时间受侵蚀会造成堪用，相对电镀反应一定期限就需更新加热器2’的耗材，就增加电解耗材成本。
本发明的上述目的是这样实现的，一种金氰化钾结晶的电解制法，包括下列步骤提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中；作为电解液的电解反应处理；利用正极电解槽内不设置加热元件，而于电解槽的负极电解槽或外表底部设置加热元件的方式，在电解槽内进行加温处理，且令正极电解槽内氰化钾溶液为隔离间接导热处理，供以正、负极电解槽的氰化钾溶液能渐进导热达到电解反应温度；以正极电解槽内进行错离子电解析出结晶处理，供以槽内生成的错离子与负极电解槽所产生穿透导入的负离子相互进行电解反应析出高纯度的金氰化钾错盐；将金氰化钾过饱和错离子溶液予以冷却处理，供以析出完成金氰化钾结晶物。
下面结合附图
对本发明进行详细说明。
附图标号说明电解槽1；多气树脂半透膜11；正极电解槽12；负极电解槽13；正电极14；负电极15；加热器2；电解槽5；多氟树脂半透膜51；正极电解槽52；负极电解槽53；正电极54；负电极55；电磁加热器6；红外线加热器7；加热器8。
在步骤1中，提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中作为电解液的电解反应处理。如图3至图5所示，此电解槽5内部以多氟树脂半透膜51所区隔出至少一组正、负极电解槽52、53，而该正极电解槽52内设置有一黄金板材的正电极54，负极电解槽53内设有不锈钢或 板材的负电极55，以利氰化钾(KCN)溶液得于正负极电解槽52、53中产生电解反应处理。
于步骤2中，以电解槽内进行加温处理，且令正极电解槽内氰化钾溶液为隔离间接导热处理，供以正、负极电解槽的氯化钾溶液能渐进导热达到正、负离子电解反应温度。如图3或图4所示，此隔离间接导热处理乃利用电解槽5外表底部直接采用电磁加热器6或红外线加热器7的设置，利用电磁加热器6能产生电磁波或远红外线加热器7能产生红外线等加热能源渐进对电解槽5的正、负极电解槽52、53达到隔离间接导热处理，致使正、负极电解槽52、53的氰化钾溶液能渐进持续加热达到电解反应温度，且该正极电解槽52内的氰化钾溶液需要求至80±10℃的电解反应温度，始可令电解槽5内达到均匀电解反应温度，进而完全生成大量错离子电解析出结晶处理。
在步骤3中，以正极电解槽内进行正、负离子电解析出结晶处理。此电解析出结晶处理乃于正、负极电解槽52、53的氰化钾溶液达到均匀的电解反应温度时，其正电极54及负电极55始可分别电解生成黄金盐错离子，且负极电解槽53所产生的负离子可穿透多氟树脂半透膜51而进入正极电解槽52内，如此以正极电解槽52内生成的错离子与负极电解槽53所产生穿透导入的负离子相互进行电解反应结晶处理，供以电解槽5底部析出高纯度的过饱和金氰化钾。
于步骤4中，将过饱和金氰化钾予以冷却处理，供以析出完成金氰化钾结晶物，以利取出再电镀于电路基板(PCB)上作导线材料的用途。
由上述得知，本发明所提供金氰化钾结晶的电解制法乃以正极电解槽5内采以不设置加热元件的设计，进而令正极电解槽52内氰化钾溶液具有隔离间接导热处理而获得均匀电解反应温度。避免传统以正极电解槽内直接以加热元件加热电解液的制程方式，以避免电解反应作用时有解析出其他游离杂质混合结晶的现象，进而确保电解反应结晶物的纯度。同时也能降低电解耗材的成本等效益。
又，本发明所提供金氟化钾结晶的电解制法。为了加快电解槽5内获得氰化钾溶液均匀的电解反应温度，乃采用如图5的电解装置，图中的电解装置5以两组多氟树脂半透膜51区隔出一组正极电解槽52及两组负极电解槽53，而负极电解槽53内各设有加热器8，如此加热器8直接对负极电解槽53的氰化钾溶液进行加热处理，致使负极电解槽53内的负电极55上电解生成离子，且负极电解槽53内所生的热能以热传导进入正极电解槽5中，加快正极电解槽5中的氰化钾溶液持续导热以获得均匀电解反应温度，如此，正极电解槽5内的氰化钾溶液只需获得60±10℃的电解反应温度，即能让电解槽5内达完全生成大量黄金错离子进行后续电解析出结晶处理，同时负极电解槽53内电解反应作用所解析出其他杂质受多氟树脂半透膜51阻隔而无法进入正极电解槽52内，供以电解槽5析出高纯度的过饱和金氰化钾。
权利要求
1.一种金氰化钾结晶的电解制法，包括下列步骤提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中；作为电解液的电解反应处理；利用正极电解槽内不设置加热元件，而于电解槽的负极电解槽或外表底部设置加热元件的方式，在电解槽内进行加温处理，且令正极电解槽内氰化钾溶液为隔离间接导热处理，供以正、负极电解槽的氰化钾溶液能渐进导热达到电解反应温度；以正极电解槽内进行错离子电解析出结晶处理，供以槽内生成的错离子与负极电解槽所产生穿透导入的负离子相互进行电解反应析出高纯度的金氰化钾错盐；将金氰化钾过饱和错离子溶液予以冷却处理，供以析出完成金氰化钾结晶物。
2.如权利要求1所述的金氰化钾结晶的电解制法，其中该电解槽内部是以多氟树脂半透膜所区隔出至少一组正负极电解槽，而该正极电解槽内设置有一黄金板材的正电极，负极电解槽内设有不锈钢或钛板材的负电极，以利氰化钾(KCN)溶液得于正、负极电解槽中产生电解反应处理。
3.如权利要求1所述的金氰化钾结晶的电解制法，其中该电解槽外表底部设置的加热元件为电磁加热器或红外线加热器，以产生加热能源渐进对电解槽的正、负极电解槽达到隔离间接导热处理，且该正极电解槽内的氮化钾溶液只需至80±10℃的电解反应温度，始可令电解槽内达到均匀电解反应温度，进而完全生成过量错离子进行后续电解析出结晶处理。
4.如权利要求1所述的金氰化钾结晶的电解制法，其中该电解槽的负极电解槽内设置的加热元件为加热器，以产生加热能源借电场电流的流动对电解槽的正极电解槽达到隔离间接导热处理，且该正极电解槽内的氰化钾溶液只需至60±10℃的电解反应温度，始可令电解槽内达到均匀电解反应温度，进而完全生成大量黄金错离子(Au(Cn-2))进行後续冷却析出结晶处理。
全文摘要
本发明是一种金氰化钾结晶的电解制法，包括有下列步骤提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中，作为电解液的电解反应处理；利用正极电解槽内不设置加热元件，而于电解槽的负极电解槽或外表底部设置加热元件的方式，在电解槽内进行加温处理，且令正极电解槽内氯化钾溶液为隔离间接导热处理，供以正负极电解槽的氰化钾溶液能渐进导热达到电解反应温度；以正极电解槽内进行错离子电解析出结晶处理，供以槽内生成的错离子与负极电解槽所产生穿透导入的负离子相互进存电解反应析出高纯度的金氰化钾错盐，将金氰化钾过饱和错离子溶液予以冷却处理，供以析出完成金氰化钾结晶物。
文档编号C25D1/00GK1420211SQ0113995
公开日2003年5月28日 申请日期2001年11月21日 优先权日2001年11月21日
发明者蔡振桂 申请人:蔡振桂